HBM
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华为发布AI推理技术UCM：降低HBM依赖 计划9月正式开源
在2025金融AI推理应用落地与发展论坛上，华为重磅发布了其AI推理创新技术UCM（推理记忆数据管理器）。这项技术被业内视为有望重塑国内AI推理格局的关键突破。 UCM技术的核心在于其先进的KV Cache系统，通过融合多种缓存加速算法工具与精细的分级管理策略，高效处理推理过程中产生的大量记忆数据。这带来了多重显著优势：有效扩大上下文窗口，确保推理过程的高吞吐量与
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华为即将发布AI推理领域突破性成果：或能降低对HBM内存依赖
华为将于8月12日在2025金融AI论坛发布AI推理领域突破性技术成果。该技术有望降低中国AI对HBM高带宽内存的依赖，提升大模型推理性能，完善国内AI生态。HBM作为3D堆叠DRAM方案，具有高带宽、低延迟等优势，是高端AI芯片标配，但面临产能紧张和美国出口限制。国内厂商正探索Chiplet封装、低参数优化等替代方案。
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曝20周年版iPhone首发HBM内存：性能最激进的苹果手机
苹果正为iPhone 20周年研发HBM高带宽内存技术，该技术采用3D堆叠工艺，能提升数据处理能力并降低功耗，计划2027年应用于iPhone产品线。目前苹果正与三星、SK海力士等供应商合作开发，但面临成本高、散热难等挑战。若成功应用，将显著增强设备端AI性能，并可能搭配无边框显示屏推出，成为iPhone创新的重要里程碑。
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三星HBM内存难了：谷歌也计划换成美光产品
快科技5月2日消息，据报道，三星在高频宽内存（HBM）领域的处境愈发艰难。自2023年10月开始，三星就一直在努力使其HBM3E产品通过英伟达认证，但一年多过去，无论是8层还是12层堆叠的产品，均未能达标，甚至影响了财务表现。为此，三星传出修改了HBM3E的设计，并计划在5月底至6月初再次进行英伟达的认证，同时三星还打算逐步淘汰HBM2E，将资源转向HBM3E和HBM4的发展。不只是NVIDIA，市场消息显示，谷歌等客户正在将HBM3E订单从三星转移出去，转而采用美光的产品，原因是三星的制程技术无法达到产业标准。如今，三星不仅在时间上已经落后，?
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DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E：转向HBM3E和HBM4
4月24日消息，三星将逐步停产1y/1z制程8Gb DDR4内存，并停止HBM2E产品生产，转向新一代HBM3E和HBM4研发。随着AI、高性能计算需求激增，HBM市场前景广阔，但三星在该领域落后于SK海力士和美光。为应对竞争，三星需加快技术迭代。美光已通知客户将停产服务器用DDR4模块，SK海力士也计划减少DDR4产量。中国内存厂商崛起加剧行业竞争，长鑫存储已量产16纳米DDR5，并计划2025年提升产能，2026年进军LPDDR5和车用DRAM市场，未来或将涉足HBM领域。
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%
根据CounterpointResearch的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。CounterpointResearch表示，2025年第二季DRAM市场在各产品类别与厂商市占方面，将与前一季变化不大，长期来看，HBM市场的增长仍面临来自贸易冲击的结构性挑战，这可能会引发经济衰退甚至萧条。
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中国攻克HBM2内存！第三家厂商已投产 身份很特殊
快科技1月25日消息，接连搞定DDR4/DDR5内存、NAND闪存之后，中国半导体企业正在全力攻克下一个难关：对于AI人工智能、HPC高性能计算至关重要的HBM高带宽内存，并且取得了重大进展。据日经新闻曝料，中国存储企业正在缓慢但坚定地推进HBM2内存，通富微电子近期已经开始试产HBM2，并提供给特定客户。通富微电子其实并非专业的存储厂商，而是专注于集成电路封测，是全球第三大封测厂商，最大客户就是AMD，双方还合资组建了苏州通富超威半导体有限公司(TF-AMD)，联发科则是其第二大客户。2015年，AMD还在困境中挣扎的时候，作价3.71亿美元，将
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英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮
快科技11月24日综合报道，英伟达CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片HBM进行认证。这一消息引发了业界广泛关注。在这场互利共赢的合作中，三星将有望赢得更为广阔的市场机遇与业务增长新空间。
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NVIDIA GPU卖脱销！黄仁勋要求SK海力士HBM4内存提前6个月交货
NVIDIABlackwellGPU系列产品无疑是AI市场上的头号宠儿，甚至未来半年的产能都卖光了，NVIDIA对于产业链的供应也十分饥渴，比如台积电CoWoS封装，比如HBM内存芯片。SK海力士董事长崔泰源就透露，他们原计划2025年下半年向客户供货下一代HBM4芯片，但是黄仁勋明确要求，必须加快速度，提前6个月交货。不过在Rubin之前会有一代升级版的BlackwellUltraB300系列是搭配HBM3E。
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性能暴增30倍！SK海力士正开发HBM内存新标准
在SKIcheonForum2024论坛上，SK海力士副总裁RyuSeong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比目前HBM产品快20-30倍。RyuSeong-su表示，公司的目标是推出性能大幅提升的差异化产品，以期在HBM市场中取得领先地位。SK海力士还表达了创建其存储半导体的意向，根据计划，SK海力士和三星都计划在2025年中或年底之前发布各自的HBM4产品，以便及时集成到下一代产品中，如英伟达Robin等架构。
