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三星HBM内存难了：谷歌也计划换成美光产品
快科技5月2日消息，据报道，三星在高频宽内存（HBM）领域的处境愈发艰难。自2023年10月开始，三星就一直在努力使其HBM3E产品通过英伟达认证，但一年多过去，无论是8层还是12层堆叠的产品，均未能达标，甚至影响了财务表现。为此，三星传出修改了HBM3E的设计，并计划在5月底至6月初再次进行英伟达的认证，同时三星还打算逐步淘汰HBM2E，将资源转向HBM3E和HBM4的发展。不只是NVIDIA，市场消息显示，谷歌等客户正在将HBM3E订单从三星转移出去，转而采用美光的产品，原因是三星的制程技术无法达到产业标准。如今，三星不仅在时间上已经落后，?
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DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E：转向HBM3E和HBM4
4月24日消息，三星将逐步停产1y/1z制程8Gb DDR4内存，并停止HBM2E产品生产，转向新一代HBM3E和HBM4研发。随着AI、高性能计算需求激增，HBM市场前景广阔，但三星在该领域落后于SK海力士和美光。为应对竞争，三星需加快技术迭代。美光已通知客户将停产服务器用DDR4模块，SK海力士也计划减少DDR4产量。中国内存厂商崛起加剧行业竞争，长鑫存储已量产16纳米DDR5，并计划2025年提升产能，2026年进军LPDDR5和车用DRAM市场，未来或将涉足HBM领域。
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%
根据CounterpointResearch的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。CounterpointResearch表示，2025年第二季DRAM市场在各产品类别与厂商市占方面，将与前一季变化不大，长期来看，HBM市场的增长仍面临来自贸易冲击的结构性挑战，这可能会引发经济衰退甚至萧条。
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中国攻克HBM2内存！第三家厂商已投产 身份很特殊
快科技1月25日消息，接连搞定DDR4/DDR5内存、NAND闪存之后，中国半导体企业正在全力攻克下一个难关：对于AI人工智能、HPC高性能计算至关重要的HBM高带宽内存，并且取得了重大进展。据日经新闻曝料，中国存储企业正在缓慢但坚定地推进HBM2内存，通富微电子近期已经开始试产HBM2，并提供给特定客户。通富微电子其实并非专业的存储厂商，而是专注于集成电路封测，是全球第三大封测厂商，最大客户就是AMD，双方还合资组建了苏州通富超威半导体有限公司(TF-AMD)，联发科则是其第二大客户。2015年，AMD还在困境中挣扎的时候，作价3.71亿美元，将
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英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮
快科技11月24日综合报道，英伟达CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片HBM进行认证。这一消息引发了业界广泛关注。在这场互利共赢的合作中，三星将有望赢得更为广阔的市场机遇与业务增长新空间。
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NVIDIA GPU卖脱销！黄仁勋要求SK海力士HBM4内存提前6个月交货
NVIDIABlackwellGPU系列产品无疑是AI市场上的头号宠儿，甚至未来半年的产能都卖光了，NVIDIA对于产业链的供应也十分饥渴，比如台积电CoWoS封装，比如HBM内存芯片。SK海力士董事长崔泰源就透露，他们原计划2025年下半年向客户供货下一代HBM4芯片，但是黄仁勋明确要求，必须加快速度，提前6个月交货。不过在Rubin之前会有一代升级版的BlackwellUltraB300系列是搭配HBM3E。
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性能暴增30倍！SK海力士正开发HBM内存新标准
在SKIcheonForum2024论坛上，SK海力士副总裁RyuSeong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比目前HBM产品快20-30倍。RyuSeong-su表示，公司的目标是推出性能大幅提升的差异化产品，以期在HBM市场中取得领先地位。SK海力士还表达了创建其存储半导体的意向，根据计划，SK海力士和三星都计划在2025年中或年底之前发布各自的HBM4产品，以便及时集成到下一代产品中，如英伟达Robin等架构。
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NVIDIA准备精简版GPU B200A：144GB HBM3E内存、功耗低于2000W
据集邦咨询最新报告，NVIDIA将在今年下半年供货Blackwell架构的新一代B100、B200GPU，供应CSP云客户，同时增加一款精简版的B200A，面向有边缘AI需求的OEM企业客户。临时增加B200A的主要原因是B200所用的台积电CoWoS-L封装产能持续吃紧，需要集中满足CSP客户需求，B200A则会改用相对简单和宽松的CoWoS-S封装技术。集邦咨询预计，NVIDIA高端GPU明年的出货量将增长55％。
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三星发布全新内存芯片HBM3E12H，AI性能再创新高
三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片，被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后，三星电子强调该内存芯片的未来发展前景，并计划于2024年上半年开始量产。
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台积电和SK海力士联手联合生产HBM4：对抗三星
HBM4内存带来的升级之一，就是采用了2048位接口，从实现更高的带宽，这也是HBM4内存最大的变化，不过唯一的问题就是成本较高，与消费者无缘，但也可以说是HPC、AI领域的专属。据韩国《每日经济新闻》报道，台积电和SK海力士已成立所谓的AI半导体联盟。HBM类产品前后经过了HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本HBM4将是第六代产品。
