SK海力士
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%
根据CounterpointResearch的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。CounterpointResearch表示，2025年第二季DRAM市场在各产品类别与厂商市占方面，将与前一季变化不大，长期来看，HBM市场的增长仍面临来自贸易冲击的结构性挑战，这可能会引发经济衰退甚至萧条。
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SK海力士1cnm DRAM技术新成果：良品率提升至80%以上
据报道，SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破，其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期，有望帮助SK海力士在消费级和数据中心市场建立技术优势，挑战三星在DRAM领域的领导地位。随着良品率的持续提升和产能的逐步扩大，1cnmDRAM芯片有望重塑存储市场格局，为AI时代的数据处理需求提供更强大的支持。
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90亿美元付完！SK海力士正式完成对Intel闪存业务的收购
当地时间周四，随着最后一笔19亿美元款项的支付，SK海力士正式完成对IntelNAND闪存业务的收购。SK海力士正式获得了Intel闪存的知识产权以及员工。支付完剩余的19亿美元，SK海力士通过Solidigm接管了Intel的NAND知识产权，以及研发资源和相关技术员工，实现了对于收购的IntelNAND业务的完整的运营控制。
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美光、SK海力士公布SOCAMM内存模块：尺寸更小 功耗更低
据报道，SK海力士和美光相继公布了自家的SOCAMM内存模块，该模块将应用于英伟达最新发布的BlackwellUltraGB300产品线。SOCAMM解决方案已经实现量产，这将是世界上最快、最小、最低功耗和最高容量的内存模块，为不断增长的人工智能工作负载提供了大容量内存，满足了AI服务器和数据密集型应用的需求。SOCAMM顶部没有凸出的梯形结构，进一步降低了整体高度，使其更适合服务器的安装和液体散热环境。
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国产内存机会来了！三星、SK海力士、美光被曝今年停产DDR4
随着DRAM内存芯片的价格不断走低，三星、SK海力士、美光三大原厂都将在2025年内就停产DDR4。DDR3内存都仍有相当的使用空间，三大厂也是去年底才开始逐步停产。长鑫存储的DDR4、LPDDR4XDRAM颗粒主要采用17-18nm工艺生产，未来几年肯定机会多多。
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三星、SK海力士计划停用中国EDA软件！
韩国半导体巨头SK海力士已开始紧急审查其使用的中国半导体电子设计自动化软件，以应对美国可能出台的新政策。这些政策可能会限制韩国半导体公司使用中国软件，业界人士透露，SK海力士正在评估其使用的中国EDA软件是否符合未来政策要求。SK海力士的代表表示，公司正在考虑是否继续使用中国EDA软件，因为目前正值续约之时。
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NVIDIA GPU卖脱销！黄仁勋要求SK海力士HBM4内存提前6个月交货
NVIDIABlackwellGPU系列产品无疑是AI市场上的头号宠儿，甚至未来半年的产能都卖光了，NVIDIA对于产业链的供应也十分饥渴，比如台积电CoWoS封装，比如HBM内存芯片。SK海力士董事长崔泰源就透露，他们原计划2025年下半年向客户供货下一代HBM4芯片，但是黄仁勋明确要求，必须加快速度，提前6个月交货。不过在Rubin之前会有一代升级版的BlackwellUltraB300系列是搭配HBM3E。
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性能暴增30倍！SK海力士正开发HBM内存新标准
在SKIcheonForum2024论坛上，SK海力士副总裁RyuSeong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比目前HBM产品快20-30倍。RyuSeong-su表示，公司的目标是推出性能大幅提升的差异化产品，以期在HBM市场中取得领先地位。SK海力士还表达了创建其存储半导体的意向，根据计划，SK海力士和三星都计划在2025年中或年底之前发布各自的HBM4产品，以便及时集成到下一代产品中，如英伟达Robin等架构。
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SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破：良品率已达56.1%
快科技6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良品，可用于实际应用。此外，SK海力士的实验性3
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业界最高性能！SK海力士推出新一代移动端闪存ZUFS 4.0
快科技5月9日消息，SK海力士今日宣布，已成功开发出新一代移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.0”，专为端侧AI手机优化。SK海力士表示，ZUFS 4.0是业界最高性能的移动端NAND闪存解决方案，它通过区分数据特性进行管理，与现有UFS相比，ZUFS采用分区存储方式，显著提升了手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。在长期使用环境下，ZUFS 4.0相比现有UFS，能够使手机应用程序的运行时间提升约45%，并且在存储读写性能下降方面实现了超过4倍的改善，从而将产品的使用寿命提升了约40%。SK海力士自2019年起便与全球平台企业合作开发ZUF
