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快科技1月13日消息,据报道,三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量,减少10%以上,平均月产量从20万片晶圆降至17万片。与此同时,三星在韩国华城的两条关键生产线12号和17号,也面临产量调整,旨在进一步缩减整体产能规模。当前,全球NAND闪存市场深陷供过于求的困境,业界普遍预测今年价格将遭遇大幅滑坡。在此背景下,三星此番举措被视为旨在维护自身盈利能力、促进市场价格稳定的战略部署。值得注意的是,与三星的保守策略形成鲜明对比的是,其竞争对手SK海力士正积极扩大NAND闪存的生产规模,并对自家新技术展现出高度自信。这不仅
快科技12月25日消息,据媒体报道,面对市场需求疲软和价格持续下跌的压力,NAND闪存大厂美光将减少10%的NAND晶圆产量,以调控供给量,期望借此提振市场需求。美光此前公布的财报及展望显示,尽管财务数字符合市场预期,但展望却低于预期,主要由于消费性电子需求未见好转,客户库存仍偏高。美光经营层指出,即使是与HBM2一起引领市场的企业级固态硬盘,到2025年第一季,需求也在放缓。虽然美光认为企业级固态硬盘需求放缓是短期问题,但考虑到全球经济的不确定性,2025年上半年内存市场难以乐观。还有厂商指出,若仅是供需问题,原厂减产?
三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力含钼材料的市场则将迅速崛起。
铠侠最近公布了3DNAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来,3DNAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。值得注意的是,提高3DNAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数,更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。
7月28日消息,据外媒报道,在当地时间周四发布的二季度财报中,三星电子预计在业内更大范围的减产、客户库存调整减弱的推动下,存储芯片的需求在下半年将会逐渐恢复。但从外媒的报道来看,预计存储芯片的需求在下半年将会开始逐渐恢复的三星电子,并不会因此而增加产量,他们在下半年还会继续削减DRAM和NAND闪存的产量。外媒在报道中提到,在二季度的财报分析师电话会议上,三星电子的高管表示,他们计划下半年继续削减存储芯片的产量,以加速库存正常化,他们将继续调整DRAM和NAND闪存的产量,尤其是大幅削减NAND闪存的产量。三星电子继?
据TrendForce最新数据,三星电子2022年Q3晶圆代工业务的营收达55.84亿美元,高于其NAND闪存43亿美元的营收额。这是三星半导体自2017年拆分出晶圆代工业务之后,首次营收超越NANDFlash闪存业务。由于PC和智能手机需求下滑,NAND闪存的需求与价格也都出现下滑,这也是NAND闪存业务营收被晶圆代工超越的原因。
按照三星的表述,与现有相同容量的闪存芯片相比,新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率,从而进一步降低了成本,这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘...在未来,三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升,路线图中的目标是超过500层,这被视为3D闪存的极限,不过三星还在想法突破,最终能制造1000层堆栈的3D闪存......
研究机构是预计NAND闪存的合约价格在三季度下滑13%-18%,整体的销售额,预计环比下滑10%...在报告中,研究机构称二季度全球NAND闪存的销售额为181.23亿美元,按给出的环比下滑10%的预期,三季度全球NAND闪存的销售额,就将下滑到163.1亿美元...在今年二季度,三星电子、SK海力士、铠侠、西部数据和美光这五大厂商NAND闪存的销售额,分别为59.8亿美元、36.15亿美元、28.32亿美元、24亿美元和22.88亿美元,所占的市场份额高达94.6%...
据国外媒体报道,研究机构发布的报告显示,今年二季度,全球NAND闪存的销售额为181.23亿美元,略高于一季度,环比增长1.1%...研究机构在报告中就提到,在二季度,NAND闪存供应商的出货量环比下滑1.3%,但平均价格环比增长了2.3%...对于三季度,研究机构是预计会更不乐观,疫情、持续上升的通货膨胀等将压抑市场需求,导致一个令人失望的旺季,NAND闪存的合约价格预计下滑13%-18%,整体营收预计环比下滑10%......
三星正准备量产第 8 代 V-NAND 闪存,包括即将推出的 PCIe 5.0 SSD 在内的产品,都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升...除了台式机和笔记本电脑,智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1(以及最新的 UFS 4.0)标准的高速闪存...不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事,尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND,但实际推行仍相当谨慎...在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的整体读取延迟也有所改进,意味着传输速度的继续提升......