据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资 8 万亿韩元(约合人民币 466 亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。
5 月 23 日消息,据国外媒体报道,由于需求较为稳定,外媒预计NAND闪存芯片的合约价格,在2020年三季度将与二季度持平。
据国外媒体报道,NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长,整体行业的营收也有提升。
1月8日据technews报道,东芝存储工厂突发火灾,名为铠侠(Kioxia) 的工厂位于日本三重县四日市在1月7日发生了一次火灾,事故造成一台机器受损,目前,大火已被扑灭,没有人员伤亡。在本月,三星电子在韩国首尔的华城工厂发生了一次持续 1 分钟左右的断电,也将影响到三星DRAM和NAND闪存生产工作,业界预测这两次的存储工厂事故可能导致短期内存储市场产品上涨。
9月2日消息,据《每日经济新闻》报道,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司,已开始量产基于Xtacking®架构的 64 层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。紫光集团称,这是中国首款 64 层3D NAND闪存,亦是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品。
除了Q1传统淡季影响之外,智能手机、服务器厂商始于去年Q4季度的库存调节也导致NAND闪存位元出货量下架,进一步导致NAND出货量衰退,厂商营收环比减少了23.8%,也创下了2018年初以来跌价最多的记录。
今天,三星在其官网宣布,推出业界首个1TB嵌入式通用闪存(eUFS)2.1,并且已经正式量产。其基于第五代V-NAND技术打造,容量是64GB版本的 20 倍,速度是microSD存储卡的 10 倍,特别适合数据密集型应用。
据Digitimes报道,小容量的NAND Flash闪存产品最近开始出现价格反弹。
据国外媒体报道,眼看iPhone 8等2017年的iPhone新品就要登场了,但新iPhone所需的3D NAND闪存芯片却因产能不足而陷入了供应不足的困境,为此苹果不得不向三星求援,希望三星能提供3D NAND闪存芯片。
SLC、MLC及TLC这三种闪存芯片,大家都很清楚,但接下来QLC闪存芯片要开启它的逆袭之路,而西数已经率先做出表率。现在,西数全球首发了 96 层堆栈的3D NAND闪存,其使用的是新一代BiCS4 技术(下半年出样, 2018 年开始量产),除了TLC类型外,其还会支持QLC,这个意义是重大的。
在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的PortableSSDT3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.
内存厂商预计Windows 7的将推动NANA闪存芯片的需求,因为这种新的操作系统为利用固态硬盘进行了优化。
半导体巨头英特尔以90亿美元的价格将其存储芯片部门出售给韩国SK海力士的协议,此举将使这家半导体巨头重新定位自己,远离这个具有历史意义的领域,而这个领域正面临越来越大的挑战。根据SK海力士官网表述,该交易包含英特尔NAND SSD业务、NAND晶圆业务、英特尔大连NAND工厂。值得注意的是,英特尔仍保留了傲腾业务。根据协议,SK海力士第一期支付 70 亿美元,在 2025 年 3 月之前支付剩余 20 亿美元。该交易预计在 2021 年底之前?
10月20日,有消息称英特尔正在与海力士商讨出售NAND内存部门的交易,如果双方没有在最后时刻谈崩,最快将会在周一官宣这一百亿美元级的交易。受消息影响,英特尔(INTC)盘中股价波动异常,由53.97美元急升至最高55.68美元,振幅超3%。最终,英特尔以每股54.58美元收盘,较昨日上涨0.78%。2020年中,英特尔因桌面级芯片工艺制程落后而股价大跌,远偏离于主流科技股指。业内人士认为,英特尔消费级芯片落后于竞争对手AM
CINNO Research 在发布的内存价格报告中指出,短期内,在疫情影响供应链目前情况尚不明朗,加上季度合约价客户在去年 12 月已锁定价格的情况下,预计 3 月 DRAM 和 NAND Flash 的价格持续上涨。报告显示,2 月 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格继续上涨。其中型号为 DDR4 4GB SO-DIMM 2400MHZ 的产品 2 月合约价介于 13.80 美元-14 美元。
2020 年新年伊始,全球存储芯片市场似乎就不太平静。 1 月 7 日,铠侠位于日本三重县四日市的Fab6 工厂发生火灾,虽然火势很快被扑灭,但业界推测,因为火灾发生在无尘车间,可能造成无尘车间短期内无法正常工作,恐怕会影响NAND Flash供货,从而导致价格上涨。 无独有偶,三星工厂日前传出停电事故,虽然只停了 3 分钟,却引发了蝴蝶效应。据DRAMeXchange预估,一方面受三星停电影响,一方面看 2019 年 12 月份以来内存价格的走?
三星电子公司表示,在发生大约一分钟的断电事故后,其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。目前正在检查生产线以备重新启动,并评估造成的损失。
据财联社消息,在日前举行的「Flash Memory Summit」大会上,SK 海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局,目前 SK 海力士正在开发 128 层堆叠的 4D NAND Flash,其量产时间将落在 2019 年第 4 季。海力士预计在 2030 年推出 800+层的 NAND Flash,届时将可打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
近日,日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制,重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响,目前已缩减NAND Flash投片,减产幅度逾二成。
对于三星来说,由于日本在三种关键材料上的管控,将导致他们有内存、OLED屏断供的风险。
对于普通消费者来说,每每接获DRAM、NAND存储芯片降价的消息,总会心生欣喜吧。
市场观察机构DRAMeXchange的最新数据显示,2018年第三季度全球NAND闪存产业价值170亿美元,环比增长4.4%,而闪存芯片价格平均降低了10-15%。
据Techweb报道,近日,西部数据公布了 96 层3D NAND UFS 2. 1 嵌入式存储,该存储主要面向手机、平板电脑和笔记本等智能终端。其具备iNAND SmartSLC 5. 1 架构,针对目前热门的AI、AR和多摄像头支持、高分辨率拍摄等领域有所优化。它可以在未来5G网络到来的时候,实现高的速度下载和传输存储,并为AI技术提供支持。提供高达550MB/s的连续写入性能。据悉,?西数已经针对256GB容量存储解决方案开始测试,预计很快会有搭载该存储的产?
三星公司对其高性能,低延迟的非易失性存储产品Z-NAND进行了一些新的讨论。 Z-NAND旨在与英特尔用于构建Optane SSD和非易失性DIMM的3D Xpoint内存竞争。
存储一直都是三星强项, 8 月 8 日,国内 2016 年成立的长江存储推出全新3D NAND架构:XtackingTM。
近日,东芝首款 64 层3D NAND SSD——TR200 SATA固态硬盘系列正式上市。TR200 系列可提供给个人电脑和笔记本电脑更强的性能表现,并且满足用户对大容量SSD的使用要求。其具备高效能、高容量与数据高可靠度等特色,能满足您对于个人台式机中SSD产品的苛刻需求。 TR200 由东芝联合饥饿鲨团队共同研发打造,其系列全部采用2. 5 英寸标准规格,使用东芝全新的3bit-per-cell TLC( 1 个存储器存储单元可存放 3 比特的数据)BiCS FLASH??
北京时间8月21日消息 据国外媒体报道,三星电子和东芝公司周四表示,美国司法部已经放弃对他们涉嫌操纵NAND闪存价格的调查。
这次,美国超微公司(AMD)同意以350亿美元的全股票交易收购竞争对手芯片制造商赛灵思(XLNX)。XLNX股东每XLNX股将获得约1.72股AMD普通股。目前的AMD股东将拥有合并后公司的74%的股份,而XLNX股东将拥有剩余的26%的股份。由于地缘政治,AMD在XLNX的弱点上猛烈抨击XLNX。您会看到,被禁止在美国销售其电信设备的中国电信巨头华为是XLNX的客户。在有关AMD兴趣的谣言开始散布之前,XLNX的股价已较2019年春季的高点下跌
前不久,Intel突然宣布以90亿美元(约601亿)的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士,业内哗然。尽管外界批评SK海力士买亏了、且目前闪存处于价格下行轨道,但后者似乎决心已定,并不后
今年的iPhone 12系列总计有64GB、128GB、256GB和512GB四种容量,从国内外的情况来看,尽管首波仅上市了两款,可销量着实恐怖。Digitimes报道称,业内分析称,单单就iPhone 12系列来看,明年将