NAND闪存
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三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线
据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资 8 万亿韩元(约合人民币 466 亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。
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NAND闪存合约价格三季度将持平 此前预计二季度环比上涨15%
5 月 23 日消息，据国外媒体报道，由于需求较为稳定，外媒预计NAND闪存芯片的合约价格，在2020年三季度将与二季度持平。
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外媒：NAND闪存四季度出货量环比增长近10% 营收增至125.5亿美元
据国外媒体报道，NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长，整体行业的营收也有提升。
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东芝存储工厂发生火灾，造成NAND闪存生产受影响
1月8日据technews报道，东芝存储工厂突发火灾，名为铠侠(Kioxia) 的工厂位于日本三重县四日市在1月7日发生了一次火灾，事故造成一台机器受损，目前，大火已被扑灭，没有人员伤亡。在本月，三星电子在韩国首尔的华城工厂发生了一次持续 1 分钟左右的断电，也将影响到三星DRAM和NAND闪存生产工作，业界预测这两次的存储工厂事故可能导致短期内存储市场产品上涨。
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紫光：中国首款64层3D NAND闪存开始量产
9月2日消息，据《每日经济新闻》报道，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司，已开始量产基于Xtacking®架构的 64 层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。紫光集团称，这是中国首款 64 层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品。
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2019年iPhone容量128GB起 NAND闪存价格将止跌回升
除了Q1传统淡季影响之外，智能手机、服务器厂商始于去年Q4季度的库存调节也导致NAND闪存位元出货量下架，进一步导致NAND出货量衰退，厂商营收环比减少了23.8%，也创下了2018年初以来跌价最多的记录。
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三星宣布量产1TB eUFS闪存 基于第五代V-NAND技术打造
今天，三星在其官网宣布，推出业界首个1TB嵌入式通用闪存(eUFS)2.1，并且已经正式量产。其基于第五代V-NAND技术打造，容量是64GB版本的 20 倍，速度是microSD存储卡的 10 倍，特别适合数据密集型应用。
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SSD正火热降价：小容量NAND闪存产品价格悄悄反弹
据Digitimes报道，小容量的NAND Flash闪存产品最近开始出现价格反弹。
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苹果被3D NAND闪存芯片的小伙伴给坑了 为了新iPhone向三星求援
据国外媒体报道，眼看iPhone 8等2017年的iPhone新品就要登场了，但新iPhone所需的3D NAND闪存芯片却因产能不足而陷入了供应不足的困境，为此苹果不得不向三星求援，希望三星能提供3D NAND闪存芯片。
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SSD要迎来降价潮？西数首发96层3D NAND闪存支持QLC
SLC、MLC及TLC这三种闪存芯片，大家都很清楚，但接下来QLC闪存芯片要开启它的逆袭之路，而西数已经率先做出表率。现在，西数全球首发了 96 层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS4 技术(下半年出样， 2018 年开始量产)，除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
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三星已可实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存
在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上，三星宣布了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体堆叠3D闪存）已经实现了64层晶粒（DIE）堆叠，存储密度再次突破新高，超过了外媒刚经过测评的PortableSSDT3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.
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业界称Windows 7将推动NAND闪存芯片需求
内存厂商预计Windows 7的将推动NANA闪存芯片的需求，因为这种新的操作系统为利用固态硬盘进行了优化。
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富途证券|正式官宣!SK海力士90亿美元收购英特尔NAND存储业务
半导体巨头英特尔以90亿美元的价格将其存储芯片部门出售给韩国SK海力士的协议，此举将使这家半导体巨头重新定位自己，远离这个具有历史意义的领域，而这个领域正面临越来越大的挑战。根据SK海力士官网表述，该交易包含英特尔NAND SSD业务、NAND晶圆业务、英特尔大连NAND工厂。值得注意的是，英特尔仍保留了傲腾业务。根据协议，SK海力士第一期支付 70 亿美元，在 2025 年 3 月之前支付剩余 20 亿美元。该交易预计在 2021 年底之前?
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消息称英特尔将以百亿美元向SK海力士出售NAND内存部门
10月20日，有消息称英特尔正在与海力士商讨出售NAND内存部门的交易，如果双方没有在最后时刻谈崩，最快将会在周一官宣这一百亿美元级的交易。受消息影响，英特尔（INTC）盘中股价波动异常，由53.97美元急升至最高55.68美元，振幅超3%。最终，英特尔以每股54.58美元收盘，较昨日上涨0.78%。2020年中，英特尔因桌面级芯片工艺制程落后而股价大跌，远偏离于主流科技股指。业内人士认为，英特尔消费级芯片落后于竞争对手AM
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CINNO Research：3 月 DRAM 与 NAND Flash 价格持续上涨
CINNO Research 在发布的内存价格报告中指出，短期内，在疫情影响供应链目前情况尚不明朗，加上季度合约价客户在去年 12 月已锁定价格的情况下，预计 3 月 DRAM 和 NAND Flash 的价格持续上涨。报告显示，2 月 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格继续上涨。其中型号为 DDR4 4GB SO-DIMM 2400MHZ 的产品 2 月合约价介于 13.80 美元-14 美元。
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NAND Flash正式开涨？宏旺半导体提供国产存储芯片最优方案
2020 年新年伊始，全球存储芯片市场似乎就不太平静。 1 月 7 日，铠侠位于日本三重县四日市的Fab6 工厂发生火灾，虽然火势很快被扑灭，但业界推测，因为火灾发生在无尘车间，可能造成无尘车间短期内无法正常工作，恐怕会影响NAND Flash供货，从而导致价格上涨。 无独有偶，三星工厂日前传出停电事故，虽然只停了 3 分钟，却引发了蝴蝶效应。据DRAMeXchange预估，一方面受三星停电影响，一方面看 2019 年 12 月份以来内存价格的走?
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三星 DRAM和NAND工厂断电 分析师：有利于清理库存
三星电子公司表示，在发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。目前正在检查生产线以备重新启动，并评估造成的损失。
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SK 海力士公布新产品规划：2030 年推 800+层堆叠 NAND Flash
据财联社消息，在日前举行的「Flash Memory Summit」大会上，SK 海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局，目前 SK 海力士正在开发 128 层堆叠的 4D NAND Flash，其量产时间将落在 2019 年第 4 季。海力士预计在 2030 年推出 800+层的 NAND Flash，届时将可打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
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内存条和SSD都要涨价了！日韩贸易战将引起NAND与DRAM双涨效应
近日，日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制，重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响，目前已缩减NAND Flash投片，减产幅度逾二成。
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三星回应：不会对NAND减产
对于三星来说，由于日本在三种关键材料上的管控，将导致他们有内存、OLED屏断供的风险。
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产业链预测：DRAM价格明年将下跌35%、NAND力度更大
对于普通消费者来说，每每接获DRAM、NAND存储芯片降价的消息，总会心生欣喜吧。
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SSD的幸福时光：NAND持续大降价
市场观察机构DRAMeXchange的最新数据显示，2018年第三季度全球NAND闪存产业价值170亿美元，环比增长4.4％，而闪存芯片价格平均降低了10-15％。
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西数发布96层3D NAND UFS 2.1存储 面向手机产品
据Techweb报道，近日，西部数据公布了 96 层3D NAND UFS 2. 1 嵌入式存储，该存储主要面向手机、平板电脑和笔记本等智能终端。其具备iNAND SmartSLC 5. 1 架构，针对目前热门的AI、AR和多摄像头支持、高分辨率拍摄等领域有所优化。它可以在未来5G网络到来的时候，实现高的速度下载和传输存储，并为AI技术提供支持。提供高达550MB/s的连续写入性能。据悉，?西数已经针对256GB容量存储解决方案开始测试，预计很快会有搭载该存储的产?
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三星重新使用SLC作为Z-NAND的构建模块
三星公司对其高性能，低延迟的非易失性存储产品Z-NAND进行了一些新的讨论。 Z-NAND旨在与英特尔用于构建Optane SSD和非易失性DIMM的3D Xpoint内存竞争。
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叫板三星存储，长江存储推出全新3D NAND架构
存储一直都是三星强项， 8 月 8 日，国内 2016 年成立的长江存储推出全新3D NAND架构：XtackingTM。
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东芝首款64层3D NAND SSD——TR200上市
近日，东芝首款 64 层3D NAND SSD——TR200 SATA固态硬盘系列正式上市。TR200 系列可提供给个人电脑和笔记本电脑更强的性能表现，并且满足用户对大容量SSD的使用要求。其具备高效能、高容量与数据高可靠度等特色，能满足您对于个人台式机中SSD产品的苛刻需求。 TR200 由东芝联合饥饿鲨团队共同研发打造，其系列全部采用2. 5 英寸标准规格，使用东芝全新的3bit-per-cell TLC( 1 个存储器存储单元可存放 3 比特的数据)BiCS FLASH??
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美司法部放弃调查三星东芝涉嫌操纵NAND价格
北京时间8月21日消息 据国外媒体报道，三星电子和东芝公司周四表示，美国司法部已经放弃对他们涉嫌操纵NAND闪存价格的调查。
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在INTC出售闪存后,AMD同意购买XLNX
这次，美国超微公司（AMD）同意以350亿美元的全股票交易收购竞争对手芯片制造商赛灵思（XLNX）。XLNX股东每XLNX股将获得约1.72股AMD普通股。目前的AMD股东将拥有合并后公司的74％的股份，而XLNX股东将拥有剩余的26％的股份。由于地缘政治，AMD在XLNX的弱点上猛烈抨击XLNX。您会看到，被禁止在美国销售其电信设备的中国电信巨头华为是XLNX的客户。在有关AMD兴趣的谣言开始散布之前，XLNX的股价已较2019年春季的高点下跌
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600亿买下Intel闪存业务 SK海力士：预期5年内公司收入增加2倍
前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。尽管外界批评SK海力士买亏了、且目前闪存处于价格下行轨道，但后者似乎决心已定，并不后
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四款iPhone 12：要消耗明年全球闪存产量的6%
今年的iPhone 12系列总计有64GB、128GB、256GB和512GB四种容量，从国内外的情况来看，尽管首波仅上市了两款，可销量着实恐怖。Digitimes报道称，业内分析称，单单就iPhone 12系列来看，明年将
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