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三星第9代V-NAND闪存将采用钼材料:可降低层高和延迟

2024-07-03 20:11 · 稿源: 快科技

技术革新:三星采用钼材料提升 NAND 闪存性能

三星在第 9 代 V-NAND 闪存技术中,将钼(Mo)引入金属化工艺,取代了传统的钨材料。这一突破性举措旨在降低层高,从而提高性能。

三星转向钼材料,有望将层高减少 30% 至 40%,同时显著缩短 NAND 闪存的响应时间。这项创新将为数据存储领域带来重大性能提升,预示着 NAND 材料供应链的重塑。

钼材料的应用要求生产设备耐高温处理。三星从 Lam Research 公司采购了首批 5 台 Mo 沉积机,并计划在一年内再添置 20 台,以加快钼基 NAND 的生产布局。

三星与 Entegris 和 Air Liquide 等领先供应商合作,确保稳定的钼源供应。Merck 等公司也提供了钼材料样品,表明了行业对新技术路径的广泛支持。

业界同行,如 SK 海力士、美光和铠侠,也正探索在 NAND 生产中采用钼材料的可行性。这一举措推动了半导体材料的革新进程,预示着六氟化钨市场将面临压力,而钼材料市场将迅速崛起。

尽管钼材料成本较高,但其显著的性能优势和未来在 DRAM 和逻辑芯片领域的潜力,使其成为众多企业竞相追逐的热门选择。

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