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铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:计划2027年实现1000层堆叠

2024-06-27 20:21 · 稿源: 快科技

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现千层堆叠

近年来,3D NAND闪存技术飞速发展。铠侠预测,该技术将继续保持强劲增长势头,并预计到2027年将达到1000层堆叠的目标。

铠侠在3D NAND闪存领域的野心可见一斑。其BiCS8 3D NAND闪存已突破200层大关,并计划进一步探索五层单元(PLC)技术,以实现更高的密度。

相比之下,三星也表示将在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。但铠侠更为激进,设定了更早的实现时间表。

值得注意的是,提高3D NAND芯片的密度面临着制造方面的挑战。铠侠必须克服这些挑战,才能实现其雄心勃勃的目标。

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