11.11云上盛惠!海量产品 · 轻松上云!云服务器首年1.8折起,买1年送3个月!超值优惠,性能稳定,让您的云端之旅更加畅享。快来腾讯云选购吧!
随着半导体工艺深入到5nm以下,制造难度与成本与日俱增,摩尔定律的物理极限大约在1nm左右,再往下就要面临严重的量子隧穿难题,导致晶体管失效。各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的,所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的,台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺,日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。但是下一代EUV光刻机的代价也很高,售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上,最终价格可能还要涨,30亿一台设备很考验厂商的成本控制。
由于半导体工艺越来越复杂,摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效,10nm以下制造难度加大,未来10年还要进入1nm以下节点,迫切需要更先进的技术。在这个领域,英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代,在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术,再往后又需要改变晶体管结构了,英特尔的目标是全新的2DTMD材料。这个过程可能需要很多年,英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律,也就是进一步提升晶体管密度,提升性能,降低成本功耗等。
在半导体工艺进入7nm节点之后,EUV光刻机是少不了的关键设备,目前只有ASML能制造,单台售价10亿人民币,今年底还会迎来下一代EUV光刻机,价格也会大涨。光刻机的分辨率越高,越有利于制造更小的晶体管分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系,目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的,下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨,毕竟还要好几年才能上市。
作为摩尔定律的提出者,Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者,多次表示半导体工艺还会继续提升下去,在现有4年掌握5代CPU工艺之后,Intel还启动了未来两代的CPU工艺研发,目标逼近1nm了。Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A,其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了,Intel4会在下半年的14代酷睿上首发会首次用上EUV光刻工艺。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨,当前售价在1.5亿美元左右,下代价格轻松超过4亿美元。
苹果等方面证实了台积电提高芯片代工的费用,A16处理器台积电计划豪掷320亿美元建立全球首家1nm旗舰工厂,投入可以说是巨大的,这家1nm工厂预计将在2027年投产,2028年实现量产。除了建厂成本巨大之外,近日又有媒体爆料称1nm工厂的耗电量将会大幅上涨,目前3nm工厂的年耗电量大概在70亿度左右1nm工厂的年耗电量由于1nm光刻机总功耗将达到2MW,也就是200万瓦的水平,因此该工厂年耗电量将会从80亿度电起步,甚至轻松突破100亿度电,单日运行耗电量将达到4.8万度电,硬成本将大幅上涨,这将最终传递到消费端,相关产品的售价将会大幅提升,比如未来iPhone手机的A系列处理器,Macbook内的M系列处理器,涨价在所难免。在2019年的Hotchips会议上,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森在演讲中就谈到过半导体工艺极限的问题,他认为预计2050年,晶体管将来到氢原子尺度即0.1nm,或许未来晶圆的工艺单位将不再使用纳米来进行标注,芯片行业将会进入一个全新的时代,不过成本降低才有可能商业化普及,过高的售价对于大多数用户来讲是没有意义的。
台积电将在新竹科学园区龙潭片区建立一个采用超精密1纳米工艺的晶圆厂。新竹科学园区局负责人Wayne Wang 在一次新闻发布会上说,该局于11月中旬完成了位于桃园的龙潭区第三期扩建工程的试点项目,以容纳台积电的新工厂。
5月16日是联合国教科文组织定义的国际光日”,ASML中国官方在一篇微信推送中写道创新,让摩尔定律重焕光彩”...ASML自信满满地指出在元件方面,目前的技术创新足够将芯片的制程推进至至少1纳米节点,包括gate-all-around FETs(环绕栅极晶体管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”...光刻系统分辨率的改进(预计每6年左右缩小2倍)和边缘放置误差(EPE)对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小的实现...
据 Business Korea 报道,三星近期设立了一个新的目标,希望在今年 6 月前完成基于 11nm 工艺节点的第六代 1c DRAM 芯片的开发...因其需要先进的技术作为支撑,而当前三星在 1a DRAM(10 纳米级别的第 4 代内存产品)的量产上落后于两大竞争对手...在巨大的压力之下,报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标...
据清华大学官网消息,集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。据清华大学介绍,目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上,日本中在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管,2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管,而清华大学目前实现等效的物理栅长为0.34nm。图1 亚1纳米栅长晶体管结构示意图官网介绍,为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈,本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极,通过?
2021年,全球Intel PC出货量超过3.4亿台,相比2019年增长27%,预计未来PC市场需求将保持强劲并持续增长...2023年发布,升级为Intel 4工艺,也就是原来的7nm,号称可媲美行业4nm水平...2024年发布,同样是Intel 4工艺,同时首次加入Intel 20A工艺,还首次加入外部制程工艺N3,也就是台积电3nm...2024年后发布,继续推动IDM 2.0工艺,内外结合,其中内部自家工艺升级为Intel 18A,外部工艺未披露......
近日,全球最大的芯片代工厂台积电宣布,该公司联合台大、麻省理工宣布,1nm以下芯片已取得了重大进展,相关研究成果已发表于《自然》。
前不久,IBM公布了2nm技术路线,让人倍感振奋。虽然摩尔定律速度放缓,但硅晶片微缩的前景依然广阔。不过,2nm之后就是1.5nm、1nm,硅片触及物理极限。日前,台大、台积电和麻省理工共同发布研究成果,首度提出利用半金属Bi作为二维材料的接触电极。它可以大幅降降低电阻并提高电流,使其效能媲美硅材料,有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。论文中写道,目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm,单位面积容纳的晶体管数量逼近硅
作为全球唯一能生产EUV光刻机的公司,荷兰ASML公司去年出售了26台EUV光刻机,主要用于台积电、三星的7nm及今年开始量产的5nm工艺,预计今年出货35台EUV光刻机。
三星电子旗下的芯片代工制造部门,已被证实为信息被盗事件的受害者...早些时候,三星才被曝光隐瞒了良率过低的事实,导致其与美国芯片设计公司高通之间的关系变得相当紧张...三星在致《每日邮报》的一份声明中称:“该员工因违法信息保护规则而正在接受调查,目前尚不清楚被盗信息的类型、及其是否将相关信息泄露给了第三方”...参考 TrendForce 分享的数据,这家韩国科技巨头在 2021 年 4 季度的营收为 55 亿美元,逊于台积电在同期创下的 150 亿美元......
在2022年国际消费电子展上,高通宣布推出适用于高端Windows设备的全新骁龙 8cx Gen 3计算平台。高通声称,这款新SoC将提供高达85%的 CPU 性能提升和 60% 的 GPU性能提升。由于采用5nm制造工艺,基于Snapdragon 8cx Gen 3的设备应该可以提供多天的电池续航时间。
10月23日据手机中国消息,高通骁龙 735 处理器的配置信息曝光。曝光信息显示,骁龙 735 处理器将采用2+ 6 的组合,其中两个A76 大核频率分别为2.36GHz和2.32GHz,另外六个A55 小核频率都是1.73GHz。GPU方面,将采用的是Adreno 620,性能上比骁龙 730 和骁龙730G使用的Adreno618 要稍好一点。同时735处理器将采用7nm工艺,集成5G芯片,同时支持NSA和SA两种组网方式。
RISC-V已经成为继x86、ARM之后冉冉升起的第三大CPU架构,尽管此前试图收购RISC-V内核公司SiFive的努力失败,但Intel找到了新的办法来靠近RISC-V,那就是投资以及代工芯片。Intel和SiFive宣布合作研发RISC-V架构芯片的开发板HiFiveProP550,芯片将基于Intel4工艺打造。开发板将于今年夏天和外界正式见面。
然而最近的一份新报告称,Google 将再次选择三星 4nm 工艺来量产下一代定制芯片...D Daily 报道称:即便此前高通被迫转投口碑更好的台积电同代工艺,但在初代 Tensor SoC 选用了三星 5nm 工艺来制造之后,谷歌又为自家第二代定制芯片选用了三星 4nm 制程...除了工艺上的升级,韩媒还预计第二代谷歌 Tensor SoC 会从 6 月开始量产...至于为何三星成为了 Pixel 7 定制芯片的唯一代工厂,可能涉及诸多因素......
高通已开始在其旗舰智能手机芯片骁龙8 Gen 1芯片中使用4nm工艺,现在该公司正准备将这一新工艺用于即将推出的可穿戴设备芯片...目前的骁龙Wear4100芯片是使用12nm工艺节点制造的,而骁龙Wear 3100是使用28nm节点制造的...骁龙8 Gen 1 芯片也由三星使用新的 4nm 工艺节点制造...据说这两种版本都有四个运行频率为 1.7GHz 的 Cortex-A53 内核以及运行频率为 700MHz的 Adreno702 图形处理器...
据内部人士透露,这颗自研芯片是基于6nm先进制程EUV工艺制造,由台积电代工。芯片早在今年6月就完成流片,但一直没有公布。目前OPPO芯片团队已超2000人,大部分研发人员来自高通和英特尔。
据日经亚洲报道,苹果芯片供应商台积电计划到2024年开始制造2nm工艺制程的芯片,这一工艺也有望在苹果的芯片上率先使用。
从2020年下半年发售的索尼PS5主机至今已经销售超过450万台,但仍然无法满足市场的需求,目前销量成绩位列最畅销游戏主机的第21名。
10月28日消息,据国外媒体报道,在6月22日开幕的全球开发者大会(WWDC)上,苹果公司公布了基于ARM架构的自研Mac处理器计划,并宣布首款基于自研处理器的Mac,计划今年年底开始出货,在未来的两年完成过渡,届时Mac产品线就将全部采用苹果自研处理器。而从外媒最新的报道来看,除了自研用于Mac笔记本电脑的处理器,苹果还在研发用于桌面电脑iMac的处理器,明年年初推出的iMac预计就会采用。外媒在报道中表示,苹果正在
7月23日消息,据国外媒体报道,已推出了多款5G智能手机处理器的联发科,又推出了一款新的5G智能手机处理器天玑720。从官网所公布的消息来看,天玑720平衡高性能与低功耗,采用八核CPU,包括两个主频为2GHz的Arm Cortex-A76大核,另外6个为ARM Cortex-A55,搭载Arm Mali-G57 GPU、高性能LPDDR4X内存频率高达2133MHz及更快数据传输的UFS 2.2。天玑720将采用台积电的7nm工艺打造,集成了5G调制解调器,通过节能省电技术进
台积电最大客户苹果将在今年第二季度推出的新一代 iPhone 中采用 7nm 工艺的 A12 处理器。
网友@Kuro_Ne_Ko爆料称,Helio X30同样是一个10核心产品,采用16nm FinFET工艺制造,集成两颗1GHz的Cortex-A53核心。
博主@数码闲聊站爆料,高通骁龙7 Gen1将于本月正式发布,这颗芯片基于三星4nm工艺制程打造...骁龙7 Gen1由4颗大核和4颗小核组成,大核为ARM Cortex A710,CPU主频为2361MHz,小核为ARM Cortex A510,CPU主频为1804MHz,GPU为Adreno 662...跑分方面,骁龙7 Gen1单核成绩为712,多核成绩为2385,与高通骁龙778G跑分相差不大,首发这颗芯片的OPPO Reno8系列会在本月正式发布...
博主@数码闲聊站爆料,高通下一代旗舰处理器命名为骁龙8 Gen1 Plus,它将在5月20日前后发布,发布当天会有一波厂商官宣骁龙8 Gen1 Plus新机...高通骁龙8 Gen1 Plus基于台积电4nm工艺制程打造,采用的是1+3+4”三丛集架构,由超大核Cortex X2、大核Cortex A710和小核Cortex A510组成,CPU主频为2.99GHz,GPU有小幅升级,能效比比骁龙8更胜一筹......
今天,博主@数码闲聊站曝光了高通中端芯片骁龙7 Gen1的细节参数,这颗芯片的安兔兔CPU、GPU跑分都在17万分左右,与对手联发科天玑8000差距明显。如图所示,联发科天玑8000的安兔兔CPU成绩超过了19万分,GPU成绩超过了27万分,这颗芯片无论是CPU还是GPU跑分都超过了高通骁龙7 Gen1。天玑8000安兔兔成绩,CPU成绩超19万分,GPU成绩超27万分据悉,高通骁龙7 Gen1采用4nm工艺制程打造,由4颗大核和4颗小核组成,大核为ARM Cortex A710,CPU主频为2361MHz,小核为ARM Cortex A510,CPU主频为1804MHz,GPU为Adreno 662。联发科天玑8000基于台积?
AIDA64显示,高通骁龙7 Gen1采用4nm工艺制程打造,由4颗大核和4颗小核组成,大核为ARM Cortex A710,CPU主频为2361MHz,小核为ARM Cortex A510,CPU主频为1804MHz,GPU为Adreno 662...跑分方面,博主@数码闲聊站指出,高通骁龙7 Gen1的CPU和GPU都是17万分左右,对比骁龙778G提升有限(骁龙778G的安兔兔CPU、GPU成绩在16万分左右),可能是工程机调度偏保守,量产机可能会有所提升......