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随着半导体工艺深入到5nm以下,制造难度与成本与日俱增,摩尔定律的物理极限大约在1nm左右,再往下就要面临严重的量子隧穿难题,导致晶体管失效。各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的,所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的,台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺,日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。但是下一代EUV光刻机的代价也很高,售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上,最终价格可能还要涨,30亿一台设备很考验厂商的成本控制。...

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  • 摩尔定律物理极限 台积电要研发1nm工艺:一台光刻机就要30亿

    随着半导体工艺深入到5nm以下,制造难度与成本与日俱增,摩尔定律的物理极限大约在1nm左右,再往下就要面临严重的量子隧穿难题,导致晶体管失效。各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的,所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的,台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺,日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。但是下一代EUV光刻机的代价也很高,售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上,最终价格可能还要涨,30亿一台设备很考验厂商的成本控制。

  • 1nm以下关键技术 英特尔研发2D芯片工艺

    由于半导体工艺越来越复杂,摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效,10nm以下制造难度加大,未来10年还要进入1nm以下节点,迫切需要更先进的技术。在这个领域,英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代,在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术,再往后又需要改变晶体管结构了,英特尔的目标是全新的2DTMD材料。这个过程可能需要很多年,英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律,也就是进一步提升晶体管密度,提升性能,降低成本功耗等。

  • 售价直逼30亿 ASML下代EUV光刻机年底问世:1nm工艺必备

    在半导体工艺进入7nm节点之后,EUV光刻机是少不了的关键设备,目前只有ASML能制造,单台售价10亿人民币,今年底还会迎来下一代EUV光刻机,价格也会大涨。光刻机的分辨率越高,越有利于制造更小的晶体管分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系,目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的,下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨,毕竟还要好几年才能上市。

  • 摩尔定律不死 Intel将冲击1nm工艺:用上下一代EUV光刻机

    作为摩尔定律的提出者,Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者,多次表示半导体工艺还会继续提升下去,在现有4年掌握5代CPU工艺之后,Intel还启动了未来两代的CPU工艺研发,目标逼近1nm了。Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A,其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了,Intel4会在下半年的14代酷睿上首发会首次用上EUV光刻工艺。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨,当前售价在1.5亿美元左右,下代价格轻松超过4亿美元。

  • 难怪iPhone要涨价 台积电1nm工厂耗电量惊人

    苹果等方面证实了台积电提高芯片代工的费用,A16处理器台积电计划豪掷320亿美元建立全球首家1nm旗舰工厂,投入可以说是巨大的,这家1nm工厂预计将在2027年投产,2028年实现量产。除了建厂成本巨大之外,近日又有媒体爆料称1nm工厂的耗电量将会大幅上涨,目前3nm工厂的年耗电量大概在70亿度左右1nm工厂的年耗电量由于1nm光刻机总功耗将达到2MW,也就是200万瓦的水平,因此该工厂年耗电量将会从80亿度电起步,甚至轻松突破100亿度电,单日运行耗电量将达到4.8万度电,硬成本将大幅上涨,这将最终传递到消费端,相关产品的售价将会大幅提升,比如未来iPhone手机的A系列处理器,Macbook内的M系列处理器,涨价在所难免。在2019年的Hotchips会议上,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森在演讲中就谈到过半导体工艺极限的问题,他认为预计2050年,晶体管将来到氢原子尺度即0.1nm,或许未来晶圆的工艺单位将不再使用纳米来进行标注,芯片行业将会进入一个全新的时代,不过成本降低才有可能商业化普及,过高的售价对于大多数用户来讲是没有意义的。

  • 台积电正积极推进 1nm 制程工艺 谋划工厂建设事宜

    台积电将在新竹科学园区龙潭片区建立一个采用超精密1纳米工艺的晶圆厂。新竹科学园区局负责人Wayne Wang 在一次新闻发布会上说,该局于11月中旬完成了位于桃园的龙潭区第三期扩建工程的试点项目,以容纳台积电的新工厂。

  • 小米POCO C40越南推出:采用11nm JLQ JR510芯片

    这款芯片采用11nm工艺制成,由四颗2.0GHz的大核和四颗1.5GHz小核组成,GPU为Mali-G52,性能接近联发科Helio G35或高通骁龙450...小米POCO C40机身厚度接近9.2mm,重量为204g,还采用6.71英寸+1650×720分辨率的LCD全面屏...

  • ASML中国:现有技术搞定1nm芯片绰绰有余

    5月16日是联合国教科文组织定义的国际光日”,ASML中国官方在一篇微信推送中写道创新,让摩尔定律重焕光彩”...ASML自信满满地指出在元件方面,目前的技术创新足够将芯片的制程推进至至少1纳米节点,包括gate-all-around FETs(环绕栅极晶体管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”...光刻系统分辨率的改进(预计每6年左右缩小2倍)和边缘放置误差(EPE)对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小的实现...

  • 三星定于今年6月前全力转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发

    据 Business Korea 报道,三星近期设立了一个新的目标,希望在今年 6 月前完成基于 11nm 工艺节点的第六代 1c DRAM 芯片的开发...因其需要先进的技术作为支撑,而当前三星在 1a DRAM(10 纳米级别的第 4 代内存产品)的量产上落后于两大竞争对手...在巨大的压力之下,报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标...

  • 重大突破!清华大学首次实现亚1nm栅极晶体管:等效0.34nm

    据清华大学官网消息,集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。据清华大学介绍,目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上,日本中在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管,2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管,而清华大学目前实现等效的物理栅长为0.34nm。图1 亚1纳米栅长晶体管结构示意图官网介绍,为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈,本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极,通过?