2030年实现

随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。为了实现这一目标，三星计划引入一种名为多BV”的NAND结构，通过堆叠四片晶圆来突破结构限制。除了晶圆键合技术外，三星还计划在未来的NAND生产中引入多种关键技术，包括低温刻蚀和钼的使用，这些技术将从400层NAND开始应用。...

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