HBM2e高带宽
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12-20
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80GB都不够了！NVIDIA H100计算卡要上120GB HBM2e显存
根据最新曝料，NVIDIA正在准备120GBHBM2e显存版的H100计算卡，PCIe形态，显存带宽还是高达3TB/s...GH100核心采用台积电4nm工艺制造，集成800亿个晶体管，核心面积814平方毫米，内部集成了多达18432个CUDA核心、576个Tensor核心、60MB二级缓存，分为144个SM单元，另有12个512-bit显存控制器，总位宽6144-bit......
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传英伟达正在开发120GB HBM2e显存的Hopper H100 PCIe加速卡
近日有消息称，英伟达正在开发一款 Hopper H100 PCIe 加速卡，特点是具有高达 120GB 的 HBM2e 显存...每组 SM 单元最多由 128 个 FP32 单元，那样满血版应该是 18432 个 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心，每颗 GPU 拥有 18432 个 FP32 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心，每颗 GPU 拥有 16896 个 FP32 CUDA 核心......
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英特尔Sapphire Rapids-SP跑分流出 HBM2E缓存难敌AMD EPYC Milan-X
@结城安穗-YuuKi_AnS 刚刚分享了英特尔至强（Xeon）可扩展 Sapphire Rapids 处理器的一组跑分数据。尴尬的是，即使封装了 HBM2E 高带宽缓存的高端 HPC 型号，都未能将 AMD 当前一代 Zen 3 霄龙（EPYC）Milan-X 竞品扫落马下。作为参考，测试对比的 64C / 128T 的 Milan-X 服务器 CPU，也带有堆叠的 3D V-Cache 缓存。本次泄露的跑分，涉及两款工程样品 —— 分别是 52C / 104T 的至强铂金 8472C，以及 60C / 120T 的 8490H 。除了最简单的 CPU-Z 单 / 多核跑分，@结城安穗-YuuKi_AnS 还分享了阔内核扩展的 V-ray 基准测试项目。然后 Toms
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AMD发布6nm MI210计算卡：64GB HBM2e显存、300W功耗
MI200回归单芯封装，规格、性能几乎完全就是MI250砍去一半：291亿个晶体管，104组计算单元，6656个流处理器核心，416个矩阵核心，4096-bit 64GB HBM2e显存，三条Infinity Link互连总线......
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AMD Instinct MI210细节公布：具有104个计算单元和64GB HBM2e显存
AMD即将发布更多的Instinct MI200系列计算加速卡，基于其全新的Aldebaran CDNA 2GPU架构，主要用于HPC领域。最新公布的消息是Instinct MI210，它将采用单一的Aldebaran CDNA 2GPU计算芯片，拥有6656个内核和64GB HBM2E内存。通过Instinct MI250X和MI250，AMD将MCM技术带到了数据中心和HPC领域。基于其新的CDNA 2架构，新的Aldebaran GPU能够进一步缓解HPC和数据中心的工作负载，但还有更多的MI200系列显卡即将面世，MI210就是其中?
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英特尔SPR处理器配备64GB HBM2e、Ponte Vecchio拥有408MB L2缓存
在一年一度的超算大会上，高性能计算行业的许多参与者都在积极讨论硬件、安装、以及设计等方面的最新进展。期间，芯片巨头英特尔也展示了自家的硬件，并披露了有关下一代 Aurora Exascale 超算的诸多细节。起初，Aurora 计划采用英特尔的 10nm 至强（Xeon）融核（Phi）平台，但随着技术的飞速发展，后续该项目也经历了多次推倒重来。几年前最终敲定的方案，为 Aurora 选用了英特尔 Sapphire Rapids 处理器，特点是配备 HBM2e 高带?
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AMD Instinct MI250X/MI250计算卡曝光：128GB HBM2e、500W TDP
AMD CEO苏姿丰博士此前曾进口确认，会在明年发布基于下一代架构的全新计算卡，但未透露更多细节。一直以来不断有曝料称，AMD CDNA2架构的全新计算卡代号Aldebaran(毕宿五)，将命名为Instinct MI200，会采用MCM双芯整合封装设计。根据大神@ExecutableFix的最新情报，AMD全新计算卡将有两款，分别叫Instinct MI250X、Instinct MI250，都基于Aldebaran GPU。其中，MI250X将集成110个CU计算单元，并集成创记录的128GB HBM2e显存。这不?
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英伟达发布具有80GB HBM2E大容量缓存的双槽A100 PCIe加速卡
在 ISC 2021 活动期间，我们于英伟达晒出的诸多展品中，发现了一款 A100 加速卡的更新版本。其实早在去年 11 月，我们就已经见到过拥有 80GB HBM2E 缓存的 A100 加速卡。不过当时，英伟达仅提供了 SXM2 的专有外形版本。而现在，该公司终于推出了采用标准双 PCIe 插槽、辅以 80GB HBM2E 缓存的 A100 加速卡。（图 via VideoCardz）TechPowerUp 指出，该 SKU 采用了基于台积电 7nm 工艺制造的 GA100 GPU SKU，具有 6192 个 CUDA 核?
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英伟达升级Ampere A100加速器 配备80GB HBM2e内存
英伟达可能正在升级Ampere A100 GPU。现有的NVIDIA A100 HPC加速器是在去年6月推出的，看起来英伟达正计划给它进行重大规格升级。该芯片基于英伟达最大的安培GPU - A100，其尺寸为826平方毫米，容纳了540亿个晶体管，令人难以置信。在规格方面，A100 PCIe GPU加速器在核心配置方面没有什么变化。GA100 GPU保留了我们在250W版本上看到的规格，有6912个CUDA核心，排列在108个SM单元中，432个张量核心，但是内存升级到80GB HBM2e内存?
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80GB HBM2e显存：NVIDIA A100 PCIe加速卡下周升级
消息称，NVIDIA将在下周发布新款PCIe版本的A100加速计算卡，显存容量从40GB翻番到80GB，类型也从HBM2升级为HBM2e。NVIDIA A100加速卡诞生于去年3月，采用全新Ampere安培架构的超大核心GA100，7nm工艺，542亿晶体管，826平方毫米面积，6912个核心，搭载5120-bit 40GB HBM2显存，带宽1.6TB/s，外形规格分为专用的SMX4、通用的PCIe两种样式，前者支持更多GPU互连。去年11月，A100 SMX4版本升级为80GB HBM2e显存，加上频率提升到3.2GHz
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Intel Xe HP顶级加速卡首次曝光：7680核心、32GB HBM2E显存
我们知道，Intel重返独立显卡市场的Xe GPU架构分为四种不同级别，从低到高分别是Xe LP、Xe HPG、Xe HP、Xe HPC，覆盖从轻薄本到高性能计算等各种领域。如果说相当于核显级别的Xe LP只是牛刀小试，Xe HPG就是游戏玩家的期待，Xe HP、Xe HPC则是高端计算的利器。现在，我们第一次看到了Xe HP架构的加速卡，规格很残暴，而且还有更残暴的。Xe HP加速卡代号Arctic Sound，采用一种名为Tile”的模块化堆积设计方式(类似chiplets小芯片)?
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JEDEC正式发布HBM3内存标准：6.4Gb/s速率 带宽最高819GB/s
电子元件工业联合会（JEDEC）今天正式发布了 HBM3高带宽内存标准，规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性...除了6.4Gb/s 速率 @819GB/s 的带宽，它还支持16-Hi 堆栈 @64GB 容量...为了满足市面上对于这类内存可靠性、寿命的需求，HBM3引入了强大的片上 ECC 纠错功能，同时具有实时报告错误的能力...
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JEDEC正式发布HBM3内存标准：6.4Gb/s速率 819GB/s带宽 16-Hi堆栈
除了 6.4 Gb/s 速率 @ 819 GB/s 的带宽，它还支持 16-Hi 堆栈 @ 64GB 容量...● 在经过验证的 HBM2 架构的基础上进一步扩展带宽，将每个引脚的速率提升一倍（定义 6.4 GB/s），以实现 819 GB/s 的高带宽...● 支持每层 8~32 Gb 的容量密度，可轻松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）设备密度，预计初代产品将基于 16Gb 存储层......
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SK海力士宣布开发HBM3存储器：12-Hi堆栈24GB容量 带宽819GB/s
SK 海力士刚刚宣布了 HBM3 DRAM 存储器的最新开发进展，可知新一代内存标准不仅带来了更高的带宽，还可通过垂直堆叠来增加容量。从去年 7 月量产 HBM2E 内存开始，该公司就已经在着手 HBM3 新品的研发。随着今日的公告，我们得知 SK 海力士将带来两款衍生型号。除了基于 8-Hi 堆栈的 16GB SKU，SK 海力士还计划推出由 2GB DRAM 组成 12-Hi 堆栈的 24GB SKU，此外该公司提到其已将 DRAM 芯片的层高缩减至 30 μm 。负责 DRAM 开发的
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SK海力士预告HBM3：带宽飙升达665GB/s
JEDEC标准组织还没有公布下一代HBM3高带宽内存/显存的具体规范，SK海力士已经坐不住了，预告了自己的规划。SK海力士称，他们的HBM3可以做到I/O输入输出速度不低于5.2Gbps，带宽则不低于665GB/s，相比于HBM2E 3.6Gbps、460GB/s的规格都猛增了多达45％。如果使用四颗，带宽就可以做到恐怖的2.6TB/s，GDDR6X什么的都弱爆了。SK海力士2019年8月第一个提出了HBM2E，2020年7月投入量产，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)，单颗容?
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SK海力士公布HBM3技术规格：带宽665Gbps 容量翻倍 改进散热
SK 海力士刚刚公布了下一代高带宽内存（HBM3）的技术规格，可知其在提升传输速率和增大容量的同时，还引入了散热方面的最新改进。具体说来是，该公司的 HBM3 产品将提供高达 665 Gbps 的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在官方产品页上，SK 海力士还分享了一张对比图表，以直观地展示从 HBM2E 到 HBM3 的变化。这家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望实现 5.2 Gbps 的 I/O 速率，较现有的 HBM2E 提升 44%，从而大幅提升整体的
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HBM显存标准升级：一块显卡可配96GB 带宽1.23TB/s
目前在显存行业有两个方向，一是传统的GDDR继续演化，NVIDIA RTX 20系列已经用上最新的GDDR6，二就是高带宽的HBM，已经进化到第二代，NVIDIA、AMD的专业计算卡以及AMD的部分高端显卡都配备了它。
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三星发布全新内存芯片HBM3E12H，AI性能再创新高
三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片，被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后，三星电子强调该内存芯片的未来发展前景，并计划于2024年上半年开始量产。
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NVIDIA斥巨资 向SK海力士、美光预购大量HBM3E内存
韩国ChosunBiz近日报道，NVIDIA已经向SK海力士、镁光，交付了700亿至1万亿韩元的预付款，业内预计了这笔款项在10.8亿美元到15.4亿美元之间。虽然没有说明具体用途，但业界普遍认为，NVIDIA是为了确保2024年HBM供应稳定，避免新一代AI、HPCGPU因为发布后库存不足掉链子。毕竟在NVIDIA在AI、HPC领域遥遥领先，这也是为什么需要大量HBM内存，来确保H200GPU、以及GH200超级芯片的产品供应。
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亚马逊的 Trainium2 AI 芯片配备 96GB HBM，训练性能提高四倍
本周，亚马逊网络服务推出了其新的人工智能加速器芯片Trainium2，相比其前身，它显著提升了性能，使AWS能够训练具有高达数万亿参数的基础模型和大型语言模型。AWS还为自己设定了一个宏伟目标，即使其客户能够为他们的工作负载访问高达65AIExaFLOPS的性能。我们与AWS的合作将帮助各种规模的组织解锁新的可能性，因为它们使用Anthropic的最先进AI系统与AWS的安全可靠云技术结合。
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第五代HBM3e内存来了！三大存储巨头集体向英伟达供货：2024年第一季度完成验证
据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，英伟达也规划加入更多的HBM供应商。三星的HBM3预期于今年12月在NVIDIA完成验证。在HBM4中，将首次看到最底层的Logicdie将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。
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三星电子确认第五代 HBM3E 产品命名为「Shinebolt」：为下一代 AI GPU 铺平道路
HBM3e在行业中的意义是巨大的，因为它将为下一代AIGPU铺平道路这对于实现高计算性能至关重要。据BusinessKorea报道，三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为「Shinebolt」。我们将进一步扩大生产以为客户提供定制HBM。
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英伟达 Blackwell B100 GPU 或将采用 SK 海力士 HBM3e DRAM：因人工智能需求快速增长提前到 2024 年第二季度推出
由于人工智能需求的大幅增加，英伟达计划将其下一代BlackwellB100GPU的发布日期从2024年第四季度提前到2024年第二季度。该公司预计将使用SK海力士的HBM3eDRAM来驱动其最新的芯片。这表明英伟达正在加快其AIGPU的步伐，希望在未来几年继续保持领先地位。
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三星计划 2025 年推出第六代高性能 HBM4 DRAM：争夺快速增长的 AI 芯片领域的主导地位
三星电子周三发布的初步财报显示，第三季度营业利润同比下降77.9%，原因是全球芯片供应持续过剩的影响导致其芯片业务出现亏损。该公司将于本月晚些时候发布第三季度正式财报。「我们开创了AI内存芯片市场，大规模生产了第二到第四代HBM产品。
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24GB HBM3E内存明年初交付：NVIDIA疯狂堆料282GB！
将在明年初大批量出货交付HBM3E高带宽内存，首要客户就是NVIDIA。NVIDIAA100/H100计算卡热卖，对于HBM的需求也空前高涨，动辄单卡几十GB，最近宣布的GraceHopper超级芯片，双路系统就需要282GBHBM3E。美光还将在明年初出货32GBDDR5颗粒，可以轻松做成单条桌面32GB、服务器128GB，甚至能达成单条1TB。
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英伟达为 GH200 超级芯片带来 HBM3e 解决生成式人工智能瓶颈
不到一年时间，生成式人工智能已经成为企业计算的主导影响力，因此处理器创新也需要快速推进。英伟达在宣布其新的GH200超级芯片不到三个月后，已经对GH200进行了「提升」。新版本与5月份在Computex上发布的NVIDIAMGX服务器规范完全兼容，这意味着制造商可以轻松地将其添加到许多不同的服务器版本中。
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TrendForce：新型 AI 加速芯片助力 HBM3 和 HBM3e 主导 2024 年市场
2023年HBM市场的主导产品是HBM2e，该产品由英伟达A100/A800、AMDMI200以及大多数云服务提供商的自主开发的加速器芯片所采用。随着对AI加速器芯片需求的不断发展，制造商计划在2024年推出新的HBM3e产品，预计HBM3和HBM3e将成为明年市场的主流。
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SK海力士在GTC 2022大会上介绍HBM3动态随机存储器
TechPowerUp 报道称：在 3 月 21 - 24 日举办的英伟达 GPU 技术大会上，SK 海力士介绍了该公司最新研发的 HBM3 高带宽显存...在“完全堆叠”状态下，HBM3 高带宽显存可轻松达成 24GB 的容量，辅以较 HBM2E 翻倍的 16 通道架构 @ 6.4 Gbps 频率...预计到 2025 年，还可进一步上升至 35%...作为该公司的最新举措之一，其展示了 SK 海力士致力于保护环境、创建可持续和创新的内存生态系统的承诺的决心......
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三星分享下一代DDR6-12800、GDDR7与HBM3存储产品规划
在 2021 年度技术日活动期间，三星电子透露了有关下一代硬件开发的诸多规划。首先从遵循 JEDEC 规范的 DDR5 标准内存模组开始，该公司计划后续推出更高规格的 SKU 。虽然仍处于开发阶段，许多细节还有待进一步证实，但我们大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之类的高频模组将会到来。其次是下一代 DDR6 内存标准，据说其速率是 DDR5 的两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段，但据 TechPowerUp 所述，每条内存模组的通道数量从
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SK海力士展出12-Hi堆栈24GB HBM3内存 传输速率6400Mbps
上月，SK 海力士确认已开发 24GB HBM3 芯片，且每堆栈带宽高达 819 GB/s 。而在 2021 OCP 峰会期间，我们终于看到了该公司展示的 12-Hi 堆栈 @ 24GB HBM3 内存模块，传输速率为 6400 Mbps 。WCCFTech 指出，下一代 CPU / GPU 需要更快更强的内存，HBM3 或许是个不错的解决方案。负责制定 HBM3 规范的 JEDEC 组织，尚未颁布最终草案。不过从 SK 海力士分享的早期测试结果来看，其速率从 5.2 到 6.4 Gbps 不等。2021 OCP 现场展示的
