站长之家(ChinaZ.com) 10月19日消息:HBM3e 在行业中的意义是巨大的，因为它将为下一代 AI GPU 铺平道路，而这对于实现高计算性能至关重要。
据 BusinessKorea 报道，三星电子已确认将其第五代 HBM3E 产品命名为「Shinebolt」。随着三星加快 HBM3E 的开发和营销，预计它将紧随该领域的领先者 SK 海力士。
据业内消息源于 10 月 17 日透露，三星电子正将 HBM3E 产品「Shinebolt」的原型发送给客户公司，以进行质量批准测试。该原型将 24 吉比特（Gb）芯片堆叠在 8 层，据报道不久将完成具有 12 层的 36 吉字节（GB）产品的开发。
「Shinebolt」的最大数据传输速度（带宽）约比 HBM3 高出 50%，达到 1.228 TB。在人工智能时代的黎明，HBM 被认为是下一代 DRAM。三星电子的 HBM 开发和生产速度略慢于 SK 海力士。然而，三星一直在制定战略，以重返先进存储器生产领域的领先地位。
三星电子记忆业务总裁 Lee Jung-bae 在一篇名为「释放三星记忆无限可能性」的文章中表示：「我们目前正在生产 HBM3，并顺利开发下一代产品 HBM3E。我们将进一步扩大生产以为客户提供定制 HBM。」
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