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4月24日消息,三星将逐步停产1y/1z制程8Gb DDR4内存,并停止HBM2E产品生产,转向新一代HBM3E和HBM4研发。随着AI、高性能计算需求激增,HBM市场前景广阔,但三星在该领域落后于SK海力士和美光。为应对竞争,三星需加快技术迭代。美光已通知客户将停产服务器用DDR4模块,SK海力士也计划减少DDR4产量。中国内存厂商崛起加剧行业竞争,长鑫存储已量产16纳米DDR5,并计划2025年提升产能,2026年进军LPDDR5和车用DRAM市场,未来或将涉足HBM领域。
据集邦咨询最新报告,NVIDIA将在今年下半年供货Blackwell架构的新一代B100、B200GPU,供应CSP云客户,同时增加一款精简版的B200A,面向有边缘AI需求的OEM企业客户。临时增加B200A的主要原因是B200所用的台积电CoWoS-L封装产能持续吃紧,需要集中满足CSP客户需求,B200A则会改用相对简单和宽松的CoWoS-S封装技术。集邦咨询预计,NVIDIA高端GPU明年的出货量将增长55%。
三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片,被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后,三星电子强调该内存芯片的未来发展前景,并计划于2024年上半年开始量产。
韩国ChosunBiz近日报道,NVIDIA已经向SK海力士、镁光,交付了700亿至1万亿韩元的预付款,业内预计了这笔款项在10.8亿美元到15.4亿美元之间。虽然没有说明具体用途,但业界普遍认为,NVIDIA是为了确保2024年HBM供应稳定,避免新一代AI、HPCGPU因为发布后库存不足掉链子。毕竟在NVIDIA在AI、HPC领域遥遥领先,这也是为什么需要大量HBM内存,来确保H200GPU、以及GH200超级芯片的产品供应。
据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,英伟达也规划加入更多的HBM供应商。三星的HBM3预期于今年12月在NVIDIA完成验证。在HBM4中,将首次看到最底层的Logicdie将首次采用采用12nm制程晶圆,该部分将由晶圆代工厂提供,使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。
HBM3e在行业中的意义是巨大的,因为它将为下一代AIGPU铺平道路这对于实现高计算性能至关重要。据BusinessKorea报道,三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为「Shinebolt」。我们将进一步扩大生产以为客户提供定制HBM。
由于人工智能需求的大幅增加,英伟达计划将其下一代BlackwellB100GPU的发布日期从2024年第四季度提前到2024年第二季度。该公司预计将使用SK海力士的HBM3eDRAM来驱动其最新的芯片。这表明英伟达正在加快其AIGPU的步伐,希望在未来几年继续保持领先地位。
将在明年初大批量出货交付HBM3E高带宽内存,首要客户就是NVIDIA。NVIDIAA100/H100计算卡热卖,对于HBM的需求也空前高涨,动辄单卡几十GB,最近宣布的GraceHopper超级芯片,双路系统就需要282GBHBM3E。美光还将在明年初出货32GBDDR5颗粒,可以轻松做成单条桌面32GB、服务器128GB,甚至能达成单条1TB。
不到一年时间,生成式人工智能已经成为企业计算的主导影响力,因此处理器创新也需要快速推进。英伟达在宣布其新的GH200超级芯片不到三个月后,已经对GH200进行了「提升」。新版本与5月份在Computex上发布的NVIDIAMGX服务器规范完全兼容,这意味着制造商可以轻松地将其添加到许多不同的服务器版本中。
2023年HBM市场的主导产品是HBM2e,该产品由英伟达A100/A800、AMDMI200以及大多数云服务提供商的自主开发的加速器芯片所采用。随着对AI加速器芯片需求的不断发展,制造商计划在2024年推出新的HBM3e产品,预计HBM3和HBM3e将成为明年市场的主流。