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三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片,被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后,三星电子强调该内存芯片的未来发展前景,并计划于2024年上半年开始量产。
韩国ChosunBiz近日报道,NVIDIA已经向SK海力士、镁光,交付了700亿至1万亿韩元的预付款,业内预计了这笔款项在10.8亿美元到15.4亿美元之间。虽然没有说明具体用途,但业界普遍认为,NVIDIA是为了确保2024年HBM供应稳定,避免新一代AI、HPCGPU因为发布后库存不足掉链子。毕竟在NVIDIA在AI、HPC领域遥遥领先,这也是为什么需要大量HBM内存,来确保H200GPU、以及GH200超级芯片的产品供应。
据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,英伟达也规划加入更多的HBM供应商。三星的HBM3预期于今年12月在NVIDIA完成验证。在HBM4中,将首次看到最底层的Logicdie将首次采用采用12nm制程晶圆,该部分将由晶圆代工厂提供,使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。
HBM3e在行业中的意义是巨大的,因为它将为下一代AIGPU铺平道路这对于实现高计算性能至关重要。据BusinessKorea报道,三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为「Shinebolt」。我们将进一步扩大生产以为客户提供定制HBM。
由于人工智能需求的大幅增加,英伟达计划将其下一代BlackwellB100GPU的发布日期从2024年第四季度提前到2024年第二季度。该公司预计将使用SK海力士的HBM3eDRAM来驱动其最新的芯片。这表明英伟达正在加快其AIGPU的步伐,希望在未来几年继续保持领先地位。
将在明年初大批量出货交付HBM3E高带宽内存,首要客户就是NVIDIA。NVIDIAA100/H100计算卡热卖,对于HBM的需求也空前高涨,动辄单卡几十GB,最近宣布的GraceHopper超级芯片,双路系统就需要282GBHBM3E。美光还将在明年初出货32GBDDR5颗粒,可以轻松做成单条桌面32GB、服务器128GB,甚至能达成单条1TB。
不到一年时间,生成式人工智能已经成为企业计算的主导影响力,因此处理器创新也需要快速推进。英伟达在宣布其新的GH200超级芯片不到三个月后,已经对GH200进行了「提升」。新版本与5月份在Computex上发布的NVIDIAMGX服务器规范完全兼容,这意味着制造商可以轻松地将其添加到许多不同的服务器版本中。
2023年HBM市场的主导产品是HBM2e,该产品由英伟达A100/A800、AMDMI200以及大多数云服务提供商的自主开发的加速器芯片所采用。随着对AI加速器芯片需求的不断发展,制造商计划在2024年推出新的HBM3e产品,预计HBM3和HBM3e将成为明年市场的主流。
在 2021 年度技术日活动期间,三星电子透露了有关下一代硬件开发的诸多规划。首先从遵循 JEDEC 规范的 DDR5 标准内存模组开始,该公司计划后续推出更高规格的 SKU 。虽然仍处于开发阶段,许多细节还有待进一步证实,但我们大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之类的高频模组将会到来。其次是下一代 DDR6 内存标准,据说其速率是 DDR5 的两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段,但据 TechPowerUp 所述,每条内存模组的通道数量从
上月,SK 海力士确认已开发 24GB HBM3 芯片,且每堆栈带宽高达 819 GB/s 。而在 2021 OCP 峰会期间,我们终于看到了该公司展示的 12-Hi 堆栈 @ 24GB HBM3 内存模块,传输速率为 6400 Mbps 。WCCFTech 指出,下一代 CPU / GPU 需要更快更强的内存,HBM3 或许是个不错的解决方案。负责制定 HBM3 规范的 JEDEC 组织,尚未颁布最终草案。不过从 SK 海力士分享的早期测试结果来看,其速率从 5.2 到 6.4 Gbps 不等。2021 OCP 现场展示的
SK 海力士刚刚宣布了 HBM3 DRAM 存储器的最新开发进展,可知新一代内存标准不仅带来了更高的带宽,还可通过垂直堆叠来增加容量。从去年 7 月量产 HBM2E 内存开始,该公司就已经在着手 HBM3 新品的研发。随着今日的公告,我们得知 SK 海力士将带来两款衍生型号。除了基于 8-Hi 堆栈的 16GB SKU,SK 海力士还计划推出由 2GB DRAM 组成 12-Hi 堆栈的 24GB SKU,此外该公司提到其已将 DRAM 芯片的层高缩减至 30 μm 。负责 DRAM 开发的
根据最新曝料,NVIDIA正在准备120GBHBM2e显存版的H100计算卡,PCIe形态,显存带宽还是高达3TB/s...GH100核心采用台积电4nm工艺制造,集成800亿个晶体管,核心面积814平方毫米,内部集成了多达18432个CUDA核心、576个Tensor核心、60MB二级缓存,分为144个SM单元,另有12个512-bit显存控制器,总位宽6144-bit......
近日有消息称,英伟达正在开发一款 Hopper H100 PCIe 加速卡,特点是具有高达 120GB 的 HBM2e 显存...每组 SM 单元最多由 128 个 FP32 单元,那样满血版应该是 18432 个 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心,每颗 GPU 拥有 18432 个 FP32 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心,每颗 GPU 拥有 16896 个 FP32 CUDA 核心......