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三星分享下一代DDR6-12800、GDDR7与HBM3存储产品规划

2021-11-22 16:58 · 稿源: cnbeta

在 2021 年度技术日活动期间,三星电子透露了有关下一代硬件开发的诸多规划。首先从遵循 JEDEC 规范的 DDR5 标准内存模组开始,该公司计划后续推出更高规格的 SKU 。虽然仍处于开发阶段,许多细节还有待进一步证实,但我们大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之类的高频模组将会到来。

其次是下一代 DDR6 内存标准,据说其速率是 DDR5 的两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段,但据 TechPowerUp 所述,每条内存模组的通道数量从 2 个升级到了 4 个,Bank 也增加到了 64 。

除了面向台式机 / 服务器平台的 DDR6 芯片,三星电子还致力于开发面向移动平台的低功耗衍生版本(LPDDR6)。

工艺方面,该公司定于 2022 年初启用 1a-nm 来制造 LPDDR5 内存,因而目前讨论 LPDDR6 还有些为时过早。

据说 DDR6 内存的基准速率会达到 128800 MT/s,高端超频模组更可以达到 17000 MT/s 。

接下来是面向图形市场的 GDDR 和 HBM 产品线,预计 GDDR6+ 将把速率从 18000 MT/s 提升至 24000 MT/s,辅以 1z nm 的首选制程工艺(有望本月开始启用)。

之后将是取代 GDDR6+ 的 GDDR7 显存,其速率有望达到 32000 MT/s,并且引入一项名叫“实时错误保护”的新功能(猜测为某种形式的 ECC 纠错方案)。

最后,这家韩国电子巨头宣称定于 2022 年 2 季度量产速率高达 800 GB/s 的 HBM3 产品,预计主要面向合作伙伴的人工智能等特定解决方案。

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