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在数字化时代,存储技术是推动科技进步的关键力量。作为国内领先的半导体企业,一直致力于通过技术创新,为消费者带来更高效、更稳定的存储解决方案。无论是对固态硬盘或闪存数码产品有需求的消费者是对半导体技术感兴趣的科技爱好者,都可以在这个特别的日子里,找到属于自己的惊喜和收获。...

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  • 紫光闪存京东品牌焕新日来袭!多重福利精彩放送

    在数字化时代,存储技术是推动科技进步的关键力量。作为国内领先的半导体企业,一直致力于通过技术创新,为消费者带来更高效、更稳定的存储解决方案。无论是对固态硬盘或闪存数码产品有需求的消费者是对半导体技术感兴趣的科技爱好者,都可以在这个特别的日子里,找到属于自己的惊喜和收获。

  • 三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料:可降低层高和延迟

    三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力含钼材料的市场则将迅速崛起。

  • 业界最大!铠侠推出2Tb容量BiCS8 FLASH QLC闪存

    铠侠宣布,推出基于第八代BiCSFLASH3D闪存技术的BiCS8FLASH2TbQLC闪存,目前已开始送样。这款2TbQLC存储器拥有业界最大容量,将存储器容量提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。1TbQLC更适用于高性能领域,包括客户端SSD和移动设备。

  • 铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:计划2027年实现1000层堆叠

    铠侠最近公布了3DNAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来,3DNAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。值得注意的是,提高3DNAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数,更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。

  • 西部数据WD Blue SN5000 SSD上线:最高8TB容量、TLC/QLC闪存混用

    西部数据WDBlueSN5000SSD上线目前已经在西部数据官网上线,最大提供8TB容量。WDBlueSN5000SSD之所以能在众多竞品中脱颖出,离不开其强大的技术支撑。西部数据将会为WDBlueSN5000NVMeSSD提供五年质保,官方暂时还没有提供产品的定价。

  • 国产旗舰固态硬盘明日之星!紫光闪存UNIS SSD S2 Ultra现已开售

    在数字化浪潮推动下,人们的数据存储量不断攀升,数据存储和传输的速度成为衡量技术进步的重要指标。凭借在智能科技领域的深厚积累,紫光集团于今年上半年重磅推出国产固态存储品牌——紫光闪存,为消费者带来全新的存储解决方案。紫光闪存UNISSSDS2Ultra作为紫光闪存旗下消费级固态硬盘的当家花旦,从产品性能参数、性价比,以及品牌实力等多角度出发来看,已然具备了高端盘的所有必备要素。

  • 国产高端SSD不二之选!紫光闪存UNIS S2 Ultra正式上架

    紫光集团旗下国产存储品牌——紫光闪存系列消费级固态硬盘正式上架京东开启预售。本届618是紫光闪存品牌自推出以来的首个电商大节,为此商家也为用户带来了丰厚的销售福利。618大促期间,该产品1TB版到手价格仅489元;2TB顶配版本亦仅售899元。

  • 国产存储技术新高度 紫光闪存系列固态硬盘即将上市

    随着数字化转型加速推进,数据量呈现爆炸式增长,数据存储不再仅仅是保存信息的简单功能已然成为支撑现代经济社会运行的基础设施之一。基于闪存介质的固态硬盘产品依托自身快速的读写速度、高可靠性、耐用性,以及低能耗等显著优势,正成为高性能存储系统的优选。在为消费者带来更优存储解决方案的同时,也将进一步推动整个行业的技术进步。

  • 业界最高性能!SK海力士推出新一代移动端闪存ZUFS 4.0

    快科技5月9日消息,SK海力士今日宣布,已成功开发出新一代移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.0”,专为端侧AI手机优化。SK海力士表示,ZUFS 4.0是业界最高性能的移动端NAND闪存解决方案,它通过区分数据特性进行管理,与现有UFS相比,ZUFS采用分区存储方式,显著提升了手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。在长期使用环境下,ZUFS 4.0相比现有UFS,能够使手机应用程序的运行时间提升约45%,并且在存储读写性能下降方面实现了超过4倍的改善,从而将产品的使用寿命提升了约40%。SK海力士自2019年起便与全球平台企业合作开发ZUF

  • IBM发布全新的入门级全闪存存储平台IBM FlashSystem 5300

    北京2024年4月29日--近日,IBM发布了全新的IBMFlashSystem5300,这是一款功能强大的入门级存储解决方案,仅使用一个机架单元就能为各种规模的企业提供高性价比和高可用性的企业级数据服务。当企业面临数据中心资源紧张、工作负载过大等挑战时,IBMFlashSystem5300可为其提供具有超高性能和可扩展性的全闪存主存储平台,能够帮助各种规模的客户为其对延迟非常敏感的工作负载和�

  • Lexar雷克沙亮相2024中国闪存峰会,新品领先行业

    2024年3月20日,中国闪存市场峰会在深圳前海JW万豪酒店隆重召开。本次峰会以“存储周期、激发潜能”为主题,现场汇聚了全球存储产业链及消费类等终端应用企业,共同探讨在供需关系依然充满挑战的大环境下未来存储市场的变化,以及如何挖掘产业价值、激发潜能,实现存储产业链由“价格”走向“价值”的升维。面对千变万化的存储市场环境,Lexar雷克沙立足本土、放眼国际,以包容开放、与时俱进的经营理念,不断提升其产品性能,以傲人的优势冲击市场,引领行业技术创新,打造具有全球影响力的消费类存储品牌。

  • 赌城“大圆球”配备4000TB闪存:分辨率高达16K

    诞生还不到一年,赌城拉斯维加斯的大圆球”已经赚足了噱头和关注度,吸引海量游客,更多技术细节也被披露出来。这个世界最大的球形结构剧场耗资达23亿美元,高达112米,最宽157米,外表面覆盖120万个超高分辨率LED光源,总面积5.4万平方米,可以播放预先编程的3D动态影像,内部则是面积超过1.5万平方米的环形LED屏幕,分辨率19000x1350。大家一定要去体验体验,那种震撼,是无法传达的。

  • 内存、闪存涨价25%是开始!1T、12/16/24G手机珍惜了 要么涨价要么下架

    SSD存储涨价只是开始,这也倒逼大内存、存储手机且买且珍惜,要么厂商涨价来消化成本上升,要么就是直接下架这些产品。经历一年多的供过于求之后,三星电子的NAND闪存售价一度持平成本,因此其计划与大客户进行谈判,将价格拉回到合理水平上。由于内存和闪存涨价太多,手机存储配置会被迫下降,所以不要指望今年还有24GB1TB的新手机出来了。

  • 铠侠正式发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存

    性能改进持续推动车载应用发展,提升驾驶员体验存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社宣布,该公司已开始提供业界首款面向车载应用的通用闪存4.0版嵌入式闪存设备的样品。新产品性能高,采用小型封装,提供快速的嵌入式存储传输速度,适用于多种新一代车载应用,诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统。*所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

  • 三星宣布280层QLC闪存:M.2 SSD可达16TB!

    三星宣布,正在开发下一代V9QLC闪存技术,一举堆叠到280层,容量、性能都实现了巨大的飞跃,预计今年内就会正式推出。三星V9QLC闪存的存储密度达到了前所未有的每平方毫米28.5Gb,相比目前最好的长江存储232层QLC20.62Gb提高了多达36%。虽然很多人依然不待见QLC,但是随着TLC的潜力被挖掘殆尽,QLC已经成为绝对主流,各家都已经全部转向,三星也从2022年开始就将几乎全部精力放在了QLC。

  • 华为的存储产品怎么样?OceanStor Dorado系列迈出全闪存第一步

    存储产品是计算机设备中的重要零部件。虽然存储产品的整体技术在持续发展,但其技术和生产基本都被国外把控,国内整体市场波动很大,甚至出现所谓“内存期货”“SSD期货”的说法。为了应对“NA、商业市场、分销市场”这三类市场的不同需求,华为可以说很早就对存储产品、解决方案和IT平台进行大力投入,未来将继续与众多合作伙伴共同帮助企业客户实现数字化转型。

  • 存储涨价进一步蔓延!NOR闪存明年一二季度连涨

    快科技12月25日消息,据媒体报道,存储芯片涨价的趋势或将进一步蔓延,NOR闪存将启动存储芯片新一轮涨价潮,预计明年1月起先涨5%,二季度涨幅或将扩大至10%。 摩根士丹利的最新报告指出,今年和去年,NOR闪存都处于供过于求的状态,但随着PC、智能手机、服务器需求持续上升,NOR闪存市场需求也将增长。 再加上兆易创新、华邦电子、旺宏等NOR闪存供应商去年底启动减产�

  • 内存、闪存大涨价要来了!明年将出现缺货潮

    NANDFlash控制IC厂商群联CEO潘健成7日表示,随着主要存储芯片厂相继减产,加上部分终端市场回温,NAND市况开始走强、报价上涨。近期客户拉货更趋积极,但市场供给持续因大厂减产受限缩,预期明年将出现缺货潮。这波涨势将延续到明年第一季度。

  • 三星将在明年量产300层NAND闪存芯片:2030年实现1000层

    今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。

  • 西数与铠侠闪存业务合并:打造全球最大NAND制造商

    西部数据目前就NAND闪存生产业务合并进行谈判,目前即将敲定最终计划。他们将打造全球最大的NAND闪存制造商。铠侠和西部数据合并后,市场份额达到了34.3%,超越三星成为最大的NAND闪存供应商。

  • 内存、闪存全面涨价!1TB、12/16GB大内存手机且买且珍惜 要涨价节奏

    TrendForce发布新的报告,自2024年第四季度起,DRAM和NAND闪存均价开始全面上涨。其中DRAM预计按季度上涨3~8%,涨势是否能够延续还要看供应商是否坚持减产策略,以及市场的回暖程度,重点在于通用型服务器领域。面对这样的情况,有行业人士也是表示,大内存、大存储的智能手机都会迎来不同程度的涨价,所以大家且买且珍惜。

  • “芯存储 AI未来”:2023闪存峰会在杭州成功举办

    8月29日,由DOIT传媒主办、杭州华澜微电子股份有限公司协办,以“芯存储AI未来”为主题的2023闪存峰会在杭州开元名都大酒店召开。2023闪存峰会现场本次峰会由杭州市萧山区人民政府、萧山经济技术开发区管理委员会指导,中国计算机学会信息存储专委会、中国计算机行业协会信息存储与安全专委会、武汉光电国家研究中心、浙江省半导体行业协会、上海市计算机学会、JEDEC�

  • SK海力士首发321层闪存 三星被偷家原因揭秘:步子迈太大

    日前SK海力士宣布全球首发321层堆栈的4D闪存,这也是闪存首次提升到300层以上,核心容量1Tb,TLC类型。在堆栈层数上,SK海力士的4D闪存因为架构不同,相比其他家来说堆栈层数占优一些,比如之前美光及国产长江存储推出的都是232层闪存,SK海力士上一个记录是238层,多了那么几层。三星这次步子迈得很大,计划是美好的,但是跳过这一级别的闪存,技术上挑战也不小,最终能否如愿还要时间来检验。

  • 全球首个!华为全闪存存储获国际认可:达到业界领先水平

    7月28日,全球领先的检验、检测及认证机构DEKRA德凯为华为OceanStor全闪存存储颁发全球首个DEKRA德凯存储产品碳足迹和DEKRASeal碳标签证书。到2025年,数据中心能耗将占全球总能耗4.5%,数据中心节能将成为全球各国迈向碳中和的关键。”他补充道:华为OceanStor全闪存存储通过高密设计、数据缩减、系统融合等创新方案提升资源利用、降低空间占用,并根据数据冷热特征及业务负载规律构建系统调优模型,可达到整系统能耗最优。

  • 三星电子下半年将继续削减存储芯片产量 尤其是NAND闪存

    7月28日消息,据外媒报道,在当地时间周四发布的二季度财报中,三星电子预计在业内更大范围的减产、客户库存调整减弱的推动下,存储芯片的需求在下半年将会逐渐恢复。但从外媒的报道来看,预计存储芯片的需求在下半年将会开始逐渐恢复的三星电子,并不会因此而增加产量,他们在下半年还会继续削减DRAM和NAND闪存的产量。外媒在报道中提到,在二季度的财报分析师电话会议上,三星电子的高管表示,他们计划下半年继续削减存储芯片的产量,以加速库存正常化,他们将继续调整DRAM和NAND闪存的产量,尤其是大幅削减NAND闪存的产量。三星电子继?

  • 小尺寸、高性能、低功耗,佰维UFS3.1高速闪存赋能旗舰智能手机畅快体验

    佰维存储嵌入式事业部总经理刘阳表示:“智能手机已经成为我们生活中不可或缺的一部分。随着高速5G网络、创新传感器和人工智能的应用普及,更高分辨率的视频和图像内容、复杂丰富的应用程序以及实时的通讯交互等等,都对手机系统架构的各方面性能提出了更高要求,也给手机存储带来严峻的挑战。佰维将持续深化研发封测一体化布局,发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势,赋能移动智能终端市场和客户。

  • 61.44TB全球第一!Solidigm发布D5-P5336 SSD:QLC闪存70年写不死

    Solidigm公司近日发布了新一代旗舰企业级SSDD5-P5336,容量起步就有7.68TB,最高更是做到了史无前例的61.44TB,是此前纪录的整整两倍,1U机箱就可以达成2PB的存储空间!SolidigmD5-P5336提供了多种形态、容量规格,首发出货的是E1.L,最高容量30.72TB。Solidigm表示,相比于全TLC闪存阵列,D5-P5336可节省17%的TCO成本,机架占地面积减少1.9倍,供电和散热能耗减少1.25倍,对比全SAS硬盘阵列、混合阵列的优势更大。

  • 消息称小米14将搭载骁龙8 Gen3 配备1TB闪存

    根据博主数码闲聊站的暗示,小米14将会提供大存储版本的选项,包括512GB和1TB。目前小米数字系列标准版中,最高提供了512GB存储的版本。搭载高通骁龙8Gen3的小米14预计将在今年11月份发布,成为安卓阵营中实力强大的小钢炮。

  • UFS 3.1闪存上车了!2GB/s速度起飞、功耗降低33%

    快科技7月13日讯记得当年特斯拉早期的ModelS/X车型曾出现黑屏门,最后发现是因为eMMC闪存磨损过度造成,特斯拉也被迫给用户免费升级MCU及闪存模块以彻底解决。随着汽车智能化、娱乐化水平的提高,对于中控系统的存储单元读写速度提出了更高要求。这套UFS3.1方案通过了车规半导体AEC-Q100Grade2认证,可以满足零下40C到105C范围下的工况。

  • 佰维再获NCN-ICT峰会大奖——2022年度领先闪存厂商

    佰维亮相第15届年度NCN-ICT渠道合作伙伴峰会,并斩获“2022年度领先闪存厂商”奖。佰维亦在该峰会上斩获“消费级存储领域杰出成就”奖,表明佰维不断深耕全球市场,在产品技术研发、产品迭代升级及本地服务等方面表现优异,赢得广泛认可。依托研发封测一体化布局带来的定制化开发和交付效率优势,佰维通过构建品牌矩阵和全球分布的立体化销售/交付网络,持续开拓国内外客户和各地区市场,提供优质的产品和本地化服务,不断提升公司市场份额和品牌影响力。