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西部数据已将其NANDFlash业务完全拆分给其全资子公司闪迪。这一举措意味着西部数据将不再生产和销售SSD产品,未来将专注于机械硬盘市场。现有西部数据SSD用户的售后应该也会由闪迪负责,毕竟闪迪是西部数据的子公司,售后不会有什么问题。
随着NAND闪存技术竞争日益激烈,三星电子公布的路线图显示,计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。为了实现这一目标,三星计划引入一种名为多BV”的NAND结构,通过堆叠四片晶圆来突破结构限制。除了晶圆键合技术外,三星还计划在未来的NAND生产中引入多种关键技术,包括低温刻蚀和钼的使用,这些技术将从400层NAND开始应用。
两家公司预展第十代3D闪存技术,为性能、能效和位密度设立新标准。国际固态电路会议——铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术,凭借4.8Gb/sNAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度,树立了行业新标准。除非法律要求,否则闪迪不承担更新或修订这些前瞻性声明以反映新信息或事件的义务。
快科技1月13日消息,据报道,三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量,减少10%以上,平均月产量从20万片晶圆降至17万片。与此同时,三星在韩国华城的两条关键生产线12号和17号,也面临产量调整,旨在进一步缩减整体产能规模。当前,全球NAND闪存市场深陷供过于求的困境,业界普遍预测今年价格将遭遇大幅滑坡。在此背景下,三星此番举措被视为旨在维护自身盈利能力、促进市场价格稳定的战略部署。值得注意的是,与三星的保守策略形成鲜明对比的是,其竞争对手SK海力士正积极扩大NAND闪存的生产规模,并对自家新技术展现出高度自信。这不仅
快科技12月25日消息,据媒体报道,面对市场需求疲软和价格持续下跌的压力,NAND闪存大厂美光将减少10%的NAND晶圆产量,以调控供给量,期望借此提振市场需求。美光此前公布的财报及展望显示,尽管财务数字符合市场预期,但展望却低于预期,主要由于消费性电子需求未见好转,客户库存仍偏高。美光经营层指出,即使是与HBM2一起引领市场的企业级固态硬盘,到2025年第一季,需求也在放缓。虽然美光认为企业级固态硬盘需求放缓是短期问题,但考虑到全球经济的不确定性,2025年上半年内存市场难以乐观。还有厂商指出,若仅是供需问题,原厂减产?
三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力含钼材料的市场则将迅速崛起。
铠侠最近公布了3DNAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来,3DNAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。值得注意的是,提高3DNAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数,更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。
快科技1月6日消息,据供应链最新消息称,由于当前存储价格卖的实在是太便宜,导致不少厂商亏损严重,所以相关价格继续上涨就没有太多悬念。NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAND相关业者表示,NAND芯片供应商为达赚钱目的,将持续强力拉抬报价,预料还要再涨四成以上,才能让大厂跨过损平基准,要能赚钱,未来报价涨幅至少会达五成甚至更高。这意味现在NAND芯片价格扬升,只是涨价首部曲,下一波涨势好戏在后头,短期内将再迎来一波高达50%的暴力涨价。为了?
据国内媒体报道称,为了让存储价格继续上涨,三星会进一步减产,这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到,三星电子计划到明年上半年为止,将NAND生产量削减规模扩大40%-50%,此举推高了NAND价格。竞争对手很可能也会效仿三星的做法,提高NANDFlash快闪存储的定价,这也会倒逼国产厂商被动进入涨价,从削弱竞争力。
今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。