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台积电突然对外公布了16nmFinFET技术,是不是有点意外?台积电官网宣布推出大学FinFET专案,目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。台积电设计生态系统服务伙伴已准备就绪和参与大学FinFET专案的学者建立联系。
技术指标方面,台积电披露,N2相较于N3,在相同功耗下,速度块10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%,开启高效能新纪元...就纵向对比来看,2nm之于3nm的提升,似乎不如3nm之于5nm,包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数...在微观结构上,N2采用纳米片电晶体(Nanosheet),取代FinFET(鳍式场效应晶体管),外界普遍认为,纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管)......
在3nm节点,三星为了跟台积电竞争,激进地选择了下一代的GAA晶体管技术,台积电方面更稳妥一些,第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺,好处是今年下半年就可以量产...台积电强调,3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在,能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本......
12月22日,中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD 2021)举行。据媒体报道,会上,台积电南京公司总经理罗镇球表示,台积电将于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台,汽车工艺产品会符合所有汽车安全规则。同时,他还透露,台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料。罗镇球最后表示台积电从今年开始大幅提升资本开支,在2021年-2023年,会在已扩产的基础上投资超过1000亿美
当前,最先进的芯片已经采用了5nm工艺(苹果A14),这在另一方面也意味着,晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。来自Digitimes的最新报道称,台积电2nm GAA工艺研发进度提前
FinFET(鳍式场效应晶体管)在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术,台积电甚至打算一路用到3nm时代。不过,不为认知的是,三星在过去4年的时间内,深陷FinFET专利侵权案中,直到最近
缩减硅工艺的可怕竞争,最近又难倒了一位参赛选手。格罗方德(GlobalFoundries)今日宣布,它将无限期地暂停 7nm LP 工艺的开发,以便将资源转移到更加专业的 14nm 和 12nm FinFET 节点的持续开发上。这一突然的战略转折,发生在该公司位于纽约马耳他的 Fab 8 工厂宣称对这项前沿技术加大投资规模的几个月之后。
援引科技媒体Digitimes报道,台积电近期已经开始下线(Tape Out,指集成电路或印刷电路板设计的最后步骤)为2017年款iPhone设计的A11处理器,按照往年的惯例苹果将会为旗舰手机使用两年周期,A11有望率先装备在苹果iPhone 7s/7s Plus上。
据白宫官网报道,美国东部时间22日,2015年美国最高科技奖获奖名单公布,包括9名国家科学奖获得者(National Medal of Science)和8名国家技术和创新奖(National Medal of Technology an...
对于高通来说,2015年因为骁龙810处理器而变得与众不同,由该处理器的发热问题所引发的一些列问题都成为网友关注的焦点,而高通方面也早以决定通过全新制程工艺的骁龙820处理器来一雪前耻。然而,骁龙820都还没有正式发布,关于骁龙830的消息却已经泄露了出来。据称,骁龙830将会采用10nm FinFET工艺。