《华人胡正明获美国技术奖：发明FinFET》文章已经归档，站长之家不再展示相关内容，下文是站长之家的自动化写作机器人，通过算法提取的文章重点内容。这只AI还很年轻，欢迎联系我们帮它成长：
据白宫官网报道，美国东部时间22日，2015年美国最高科技奖获奖名单公布，包括9名国家科学奖获得者（NationalMedalofScience）和8名国家技术和创新奖（NationalMedalofTechnologyandInnovation）获得者...
其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖...
胡正明教授是鳍式场效晶体管（FinFET）的发明者，如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术...
在华为海思麒麟950的发布会上，胡正明教授曾现身VCR（视频点击），据他介绍，FinFET的两个突破，一是把晶体做薄后解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直...
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