站长之家（ChinaZ.com）12月22日 消息:外媒分析称，预计2021年将出现另一个半导体超级周期，半导体公司正在加大努力以获取更大的市场份额。尤其在存储器半导体市场中，对新技术的竞争正在加剧。
三星电子计划在2021年下半年正式推出DDR5DRAM。DDR5DRAM作为下一代产品，其传输速度和容量都比当前市场主流DDR4DRAM快得多。它们可以达到每秒6400Mbps的速度传输数据，是DDR4DRAM的3200Mbps的两倍。
DDR5DRAM的工作电压为1.1V，这比DDR4芯片的1.2V降低了9%。 DDR5的最大容量为64Gb，是当前DDR4的四倍。 DDR5产品有望提高芯片制造商的盈利能力，因为其单价高于DDR4DRAM。DDR4DRAM的单价比DDR3DRAM高1.5倍，DDR5DRAM的价格涨幅应该也是差不多。
业内观察家称，三星电子可能会加快DDR5DRAM的发布，因为许多专家预测明年将出现另一个存储超级周期。他们指出，SK海力士于去年10月6日首次在全球发布DDR5DRAM。
DDR5DRAM在存储器市场中的份额有望快速增长。市场研究公司TrendForce预测，DDR5在PC DRAM市场中的份额将从2020年的不到1%增长到2021年的10%。分析师预测，他们在服务器DRAM市场中的份额将从2020年的4%增加到15%。
此外，芯片制造商也在NAND闪存市场上竞争激烈。他们竞相开发领先于竞争对手的下一代制造工艺，并进行并购交易以获取新技术。
美国美光公司在今年11月宣布，已开始全球首次批量生产176层NAND闪存。该公司表示，新的176层NAND产品在读写数据方面的性能提高了35%以上，与同类最佳竞争对手相比，其尺寸减少了30%。
SK海力士还于12月7日宣布，继美光之后，已于12月初开发了176层4D NAND闪存。 SK海力士强调说，新产品发布同时其生产率提高35%以上，176层NAND将提高其价格竞争力。
三星电子泽计划在2021年发布第七代V-NAND闪存产品。理论上，第七代V-NAND闪存最多可以具有256层。
得益于去年10月从英特尔收购NAND闪存业务，SK海力士将其在全球NAND市场的市场份额扩大至23%左右。市场研究公司Omdia表示，截至2020年第二季度，三星电子以33.8%的份额在全球NAND市场中排名第一。 铠侠（前身为东芝存储）以17.3%位居第二，西部数据以15%位居第三，英特尔以11.5%位居第四，而SK海力士以11.4%位居第五。
市场专家预测，NAND闪存市场将比DRAM市场增长更快。“由于智能手机5G以及服务器对SSD的需求，到2024年NAND需求将以每年30%到35%的速度增长，而DRAM年平均增长率为15%到20%。”
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