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晶体管技术

晶体管技术

据国外媒体报道,在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后,三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单,苹果的订单也就全部交给了台积电,三星随后在芯片制程工艺和良品率方面,也始终不及台积电,在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。...

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  • 三星3nm制程工艺已成功流片 采用全环绕栅极晶体管技术

    据国外媒体报道,在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后,三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单,苹果的订单也就全部交给了台积电,三星随后在芯片制程工艺和良品率方面,也始终不及台积电,在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。

  • 台积电2nm工艺研发进展超预期 将采用环绕栅极晶体管技术

    9月22日消息,据国外媒体报道,在5nm工艺今年一季度投产,为苹果等客户代工最新的处理器之后,芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家透露,他们3nm工艺的研发正在按计划推进,仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),计划在明年风险试产,2022年下半年大规模投产。同多次提及的3nm工艺相比,台积电目前并未公布太多2nm工?

  • 英特尔称新的晶体管技术可使芯片性能提高20%

    英特尔周四公布了一种在半导体上制造晶体管的新方法,该公司首席设计师表示,这一新的方法将使英特尔下一轮处理器的性能提高20%。

  • OPPO Find N3要用!OPPO索尼合作推出双层晶体管像素技术

    索尼半导体今日官宣,旗下光喻LYTIA图像传感器品牌与OPPO合作,联合推出拥有双层晶体管像素技术的LYTIA图像传感器。索尼半导体早在2021年就推出双层晶体管像素技术,这次OPPO与索尼半导体合作,配合算法,OPPO新机在影像方面应该会有不错表现。OPPOFindN3已经入网,型号为PHN110”,预计搭载第二代骁龙8移动平台将提供16GB1TB超大内存版本,可以满足用户对大容量内存的需求。

  • 首创双层晶体管:索尼介绍全新的堆叠式CMOS图像传感器技术

    索尼半导体解决方案公司,已经成功开发出了全球首个采用双层晶体管像素技术的堆叠式 CMOS 图像传感器。据悉,传统方案需要将光电二极管和像素晶体管置于同一基板,而索尼新技术将两者分离放置在了不同的基板层上。得益于几乎增强了一倍的饱和信号电平,以及动态范围的提升 / 噪声的下降,新方案显著可提升成像性能。(来自:SONY 官网)在像素芯片内,负责光电信号转换的二极管、和控制信号的像素晶体管位于同一层。而在传统堆叠式

  • 苹果深夜扔出M4核弹,iPad Pro碾压所有AI PC!280亿晶体管3nm工艺称霸地表

    【新智元导读】苹果发布会,一如既往的惊喜。地表最强iPadPro,号称史上最薄苹果产品。全新的「司贝手」,以及「键盘手」,都是由AI构建,简单操控即可实现精彩表演。

    M4
  • 台积电董事长预测:未来15年每瓦GPU性能提升1000倍,GPU晶体管数破万亿!

    GTC2024大会上,老黄祭出世界最强GPU——BlackwellB200,整整封装了超2080亿个晶体管。比起上一代H100,B200晶体管数是其2倍多训AI性能直接飙升5倍,运行速度提升30倍。我们将不再被过去的限制所束缚。

  • 2080亿晶体管!英伟达推出最强AI芯片GB200:今年上市

    在英伟达GTC2024大会上,英伟达CEO黄仁勋在GTC宣布推出新一代GPUBlackwell。第一款Blackwell芯片名为GB200,将于今年晚些时候上市。GB200包含了两个B200BlackwellGPU和一个基于Arm的GraceCPU组成,推理大语言模型性能比H100提升30倍,成本和能耗降至25分之一。

  • NVIDIA GPU弱爆了!世界第一AI芯片升级4万亿晶体管、90万核心

    CerebrasSystems发布了他们的第三代晶圆级AI加速芯片WSE-3”,规格参数更加疯狂在功耗、价格不变的前提下性能翻了一番。2019年的第一代WSE-1基于台积电16nm工艺,面积46225平方毫米,晶体管1.2万亿个,拥有40万个AI核心、18GBSRAM缓存,支持9PB/s内存带宽、100Pb/s互连带宽,功耗高达15千瓦。WSE-3的具体功耗、价格没公布,根据上代的情况看应该在200多万美元。

  • 全能轻薄大折叠!vivo X Fold3入网:双层晶体管、超声波指纹均在列

    近日,有两款vivo新机入网工信部,预计是即将发布的vivo大折叠XFold3,以及XFold3Pro。根据数码博主数码闲聊站此前的爆料信息来看,vivo新款折叠机将搭载骁龙8Gen3移动平台,影像能力得到重大提升。目前这两款新机的差异我们还不得知,不过据该博主透露,vivoXFold3系列新机最快将会在今年3月份登场,敬请期待。

  • 折叠影像天花板!vivo X Fold3首曝:骁龙8 Gen3 双层晶体管CMOS

    今天,数码博主@数码闲聊站发布了,关于vivoXFold3折叠屏手机的部分配置信息。该博主表示,vivoXFold3将采用高通骁龙8Gen3处理器,搭载5000万像素大底三摄,其中包含一颗潜望镜,主摄则是采用了双层晶体管传感器。支持120W有线快充50W无线快充,后置5000万像素大底主摄1200万像素广角主摄1200万像素人像摄像头,前置1600万像素镜头,起售价为8999元。

  • 运行AI最快芯片“北极”面世:220亿晶体管 速度是同类芯片22倍

    快科技10月23日消息,美国IBM公司最新推出了一款类脑芯片北极”,其运行由人工智能驱动的图像识别算法的速度是同类商业芯片的22倍,能效是同类芯片的25倍。据了解,因受到了人脑工作方式的启发,北极”芯片将其计算模块与存储信息的模块交织在一起,允许每个计算核心像访问相邻的存储块一样轻松地访问远程存储块,大大加快了计算单元和存储单元之间信息交换的速度

  • 索尼双层晶体管像素!一加Open折叠屏旗舰曝光

    根据爆料人士OnLeaks的曝光,一加Open折叠屏旗舰的真机照片已经曝光。这款手机将在海外上市发售国行版本将对应OPPOFindN3。在参数方面,OPPOFindN3将搭载高通骁龙8Gen2移动平台,预计于10月份发布。

  • 全新GPU光追超越所有!苹果正式发布A17 PRO处理器:3nm 190亿晶体管

    iPhone15Pro系列带来了全新的处理器,但不是传说中的A17Bionic是叫做A17PRO”,实现了又一次进化。相比上代A16,这次的A17PRO处理器制造工艺从台积电4nm升级到台积电3nm,晶体管数量从160亿个增加到190亿个。高通、联发科虽然早已硬件支持实时光追,但在游戏落地方面进展极为缓慢,现在有了苹果的带动,相信大家很快就能玩上各种光追手游了。

  • 全球首个木质晶体管出世:长约3厘米 可承受高电流冲击

    快科技5月8日消息,众所周知,电子器件的核心部件是晶体管,它可以控制电流的开关和大小,从而实现各种计算和信号处理。目前,晶体管的主要材料是硅,因为它具有良好的半导体特性,可以在微观尺度上制造出高性能的晶体管。不过硅晶体管也面临着一些挑战,比如制造成本、能耗、环境影响等。近期,瑞典皇家理工学院和林雪平大学的研究团队取得了进展,首次成功地使用导电木头制造出了晶体管。这种晶体管不仅可以控制电流,而且还具有可降解、可持续、低成本等优点。研究人员使用巴沙木作为原料,因为它有着均匀而无纹理的结构。他们首先去除

  • Intel提了个小目标:处理器能效将提升10倍 集成1万亿晶体管

    Intel的创始人之一的戈登摩尔是摩尔定律的提出者,指出芯片晶体管密度18-24个月翻倍,50多年来Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者,尽管这几年中质疑定律失效的声音也越来越多。摩尔定律需要半导体工艺2年左右就要升级一代,才能实现晶体管翻倍的目标,对当前的芯片工艺来说难度可不小,不过Intel依然有办法,接下来会大量使用先进工艺及封装,小芯片设计、3D封装等手段可以不断提升密度。想象力够丰富的可以畅想下2030年的CPU、显卡有多强大了。

  • 1460亿晶体管!AMD全球首创超级APU MI300下半年见

    APU,AMD最成功的概念和产品之一,除了在消费级市场上大受欢迎将在数据中心、超算领域大放异彩。这就是Instinct MI300”,AMD的新一代加速器/计算卡,号称全球第一款数据中心整合CPU+GPU,一改以往Instinct系列产品只有GPU的设计,首次采用融合架构。Intel的要到明年才会出货。

  • 一万亿个晶体管的处理器来了!Intel重大决定:密度再翻10倍 两步实现

    一万亿个晶体管的单芯片要来了。单个封装可以放入1千亿个晶体管。对于摩尔定律”可行性的争论在半导体业界时有发生,但由此来看,Intel仍是摩尔定律的坚定支持者。

  • 英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路

    在晶体管诞生 75 周年之际,英特尔在IEDM2022 上宣布将把封装技术的密度再提升 10 倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管微缩。在IEDM 2022上,英特尔发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在未来十年内持续推进摩尔定律,最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔继续引入新的物理学概念,制造用于量子计算的性能更强的量子位:英特尔的研究人员加深了对各种界面缺陷的认识,这些缺陷可能会成为影响量子数据的环境干扰,从找到了储存量子信息的更好方法。

  • 台积电4N 5nm威武!4080 12GB晶体管竟远超3090Ti 却小了一半

    -RTX408016GBAD103:378.6平方毫米、459亿晶体管、1.211亿/平方毫米...-RTX408012GBAD104:294.5平方毫米、358亿晶体管、1.211亿/平方毫米...三个核心在单位平方毫米上集成的晶体管都超过了1.2亿个,AD103、AD104还完全一样,远远超过了台积电8nm工艺RTX3090/TiGA102核心的4510万个...更惊人的是,AD104作为一个小核心,晶体管数量比GA102大核心还要多足足75亿个,但面积还不到后者的一半,缩小了多达53%!......

  • NVIDIA发布全新汽车芯片Thor:8倍性能、770亿晶体管“核弹”

    NVIDIA昨晚发布了RTX40系列显卡,这是游戏玩家最关注的产品,但对汽车用户来说,NVIDIA发布的Thor(雷神索尔)自驾芯片才是王炸,其性能达到了2000TFLOPS,是目前Orin芯片的8倍...NVIDIA去年发布了Orin迭代升级的自驾芯片Altan,性能从Orin的275TFLOPS提升到了1000TFLOPS,原本预定2024年上市,然而NVIDIA现在推出了Thor芯片,直接替代了Altan,后者会被取消,不再上市......

  • 英伟达RTX 40系列AD102旗舰GPU或封装多达750亿个晶体管

    据 @Kopite7kimi 周二推特爆料,英伟达 RTX 40 系列 Ada Lovelace 旗舰 GPU(AD102)将配备多达 750 亿个晶体管 —— 达到上一代 RTX 30 系列 Ampere 旗舰 GPU(GA102)的 2.65 倍...由于目前所见的大多数非公版旗舰显卡都采用了“风冷”散热方案,除非 TGP 功耗超过 600W,否则英伟达不大可能为 RTX 40 的旗舰 FE 显卡提供水冷散热器......

  • NVIDIA 4nm RTX40显卡将有750亿晶体管!2.65倍于8nm RTX30

    权威博主kopite7kimi曝出最新猛料,RTX40系列的大核心AD102,要用于RTX4090、RTX4090Ti的,将会集成多达750亿个晶体管!...RTX30系列大核心GA102集成了283亿个晶体管,AD102是它的多达2.65倍,是近年来增幅最大的一次...再往前,12nmTU102186亿个,12nmGV100211亿个,16nmGP102120亿个,它们的密度都是2500万个/平方毫米,GA102大幅增加到了4510万个/平方毫米......

  • 苹果正式发布A16处理器!4nm 160亿晶体管、6+5+16核心

    iPhone 14、iPhone 14 Plus果然使用了上代A15处理器,iPhone 14 Pro、iPhone 14 Pro Max则毫无疑问升级为最新一代A16 Bionic...A16重点提升能效、显示和拍照性能,制造工艺从台积电5nm升级为台积电4nm,晶体管数量从150亿个增加到160亿个,再创新纪录...GPU核心还是5个,神经引擎继续16核心,每秒算力从15.8万亿次增加到17万亿次,提升幅度不到8%,对比上代34%有点牙膏了......

  • AMD“Zen 4”芯片、晶体管数量、缓存大小和延迟细节初步解析

    Chiakokhua(又名退休工程师)发布了一张表格,详细介绍了各种缓存及其延迟,并与"Zen 3"内核的缓存进行了比较...Zen 4"CCD的晶体管数量为65.7亿,比"Zen 3"CCD及其41.5亿晶体管数量增加了58%...新的6纳米cIOD尺寸为124.7平方毫米,Ryzen 5000系列的cIOD略大124.9平方毫米..."Raphael"多芯片模块为6核和8核SKU配备一个CCD,为12核和16核SKU配备两个CCD......

  • 三星宣布开始为客户代工试生产其 3nm GAA环栅晶体管芯片

    三星电子今天宣布,其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片...三星还称,第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中,这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%,性能提高30%,面积减少35%...为突破鳍式场效应晶体管(FinFET)的性能限制,三星选择了多桥通道 FET技术来制造首批 GAA 晶体管芯片...

  • 三星宣布开始用3nm工艺节点生产GAA环栅晶体管芯片

    作为全球半导体技术的领导者,三星电子刚刚宣布,其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片...通过展示业内领先的下一代芯片制造工艺,三星希望在高 K 金属栅极、FinFET 和 EUV 之外,通过 3nm MBCEFT 工艺来继续保持竞争优势...与 5nm 公司相比,三星电子初代 3nm GAA 工艺可较 5nm 降低多达 45% 的功耗,同时提升 23% 的性能和减少 16% 的面积占用......

  • 全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%

    三星称其实施的3纳米GAAFET晶体管为多桥通道场效应晶体管,但这只是晶体管的一个技术名称,它背后的优势才是关键:功率减少50%,占用的空间减少45%,并能在极低电压下更稳定地运行...

  • M2版MacBook Pro硬盘变慢 苹果客服回应:晶体管增多 能效提升

    日前苹果的M2版MacBook Pro笔记本爆出了性能问题,256GB版性能比上代慢了50%左右,不过苹果客服回应称这是因为M2晶体管增多,但它在能效上提升了...不过苹果客服的这一回应引发了网友吐槽,笔记本SSD硬盘速度变慢跟M2晶体管有什么关系?这个解释炉头不对马嘴,显然是苹果客服并不了解这次SSD变慢到底是什么情况,只好用一些培训过的术语来敷衍过去......

  • 台积电计划2025年实现N2环栅场效应晶体管芯片量产

    台积电刚刚在 2022 技术研讨会期间披露了 N2 工艺的一些技术细节,预计可在 2025 年的某个时候投入 2nm 级全栅场效应晶体管(GAAFET)的生产...作为一个全新的平台,台积电 N2 节点将结合 GAAFET 纳米片晶体管和背面供电工艺、并运用广泛的极紫外光刻(EUV)技术...● 新型环栅晶体管(GAAFET)结构具有广为人知的诸多优势,比如极大地改善漏电(当前栅极围绕沟道的所有四条边),并可通过调节沟道宽度以提升性能、或降低芯片功耗......