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晶体

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三星电子今天宣布,其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片...三星还称,第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中,这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%,性能提高30%,面积减少35%...为突破鳍式场效应晶体管(FinFET)的性能限制,三星选择了多桥通道 FET技术来制造首批 GAA 晶体管芯片......

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  • 三星宣布开始为客户代工试生产其 3nm GAA环栅晶体管芯片

    三星电子今天宣布,其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片...三星还称,第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中,这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%,性能提高30%,面积减少35%...为突破鳍式场效应晶体管(FinFET)的性能限制,三星选择了多桥通道 FET技术来制造首批 GAA 晶体管芯片...

  • 三星宣布开始用3nm工艺节点生产GAA环栅晶体管芯片

    作为全球半导体技术的领导者,三星电子刚刚宣布,其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片...通过展示业内领先的下一代芯片制造工艺,三星希望在高 K 金属栅极、FinFET 和 EUV 之外,通过 3nm MBCEFT 工艺来继续保持竞争优势...与 5nm 公司相比,三星电子初代 3nm GAA 工艺可较 5nm 降低多达 45% 的功耗,同时提升 23% 的性能和减少 16% 的面积占用......

  • 全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%

    三星称其实施的3纳米GAAFET晶体管为多桥通道场效应晶体管,但这只是晶体管的一个技术名称,它背后的优势才是关键:功率减少50%,占用的空间减少45%,并能在极低电压下更稳定地运行...

  • M2版MacBook Pro硬盘变慢 苹果客服回应:晶体管增多 能效提升

    日前苹果的M2版MacBook Pro笔记本爆出了性能问题,256GB版性能比上代慢了50%左右,不过苹果客服回应称这是因为M2晶体管增多,但它在能效上提升了...不过苹果客服的这一回应引发了网友吐槽,笔记本SSD硬盘速度变慢跟M2晶体管有什么关系?这个解释炉头不对马嘴,显然是苹果客服并不了解这次SSD变慢到底是什么情况,只好用一些培训过的术语来敷衍过去......

  • 台积电2nm工艺计划2025年量产 基于全新纳米片电晶体架构

    台积电3nm(N3)工艺将于2022年内量产,而台积电首度推出采用纳米片晶体管架构的2nm制程工艺,将于2025年量产...台积电表示,2nm制程工艺将基于全新的纳米片电晶体架构,与5nm工艺所采用的鳍式场效应晶体管(FinFET)完全不同,会带来更强的性能和更优的能效,但所需要的投资也会更大...

  • 台积电计划2025年实现N2环栅场效应晶体管芯片量产

    台积电刚刚在 2022 技术研讨会期间披露了 N2 工艺的一些技术细节,预计可在 2025 年的某个时候投入 2nm 级全栅场效应晶体管(GAAFET)的生产...作为一个全新的平台,台积电 N2 节点将结合 GAAFET 纳米片晶体管和背面供电工艺、并运用广泛的极紫外光刻(EUV)技术...● 新型环栅晶体管(GAAFET)结构具有广为人知的诸多优势,比如极大地改善漏电(当前栅极围绕沟道的所有四条边),并可通过调节沟道宽度以提升性能、或降低芯片功耗......

  • 终结FinFET晶体管!台积电正式公布2nm:功耗降低30%

    技术指标方面,台积电披露,N2相较于N3,在相同功耗下,速度块10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%,开启高效能新纪元...就纵向对比来看,2nm之于3nm的提升,似乎不如3nm之于5nm,包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数...在微观结构上,N2采用纳米片电晶体(Nanosheet),取代FinFET(鳍式场效应晶体管),外界普遍认为,纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管)......

  • 苹果M2芯片集成超过200亿个晶体管 MacBook Air和13英寸MacBook Pro率先搭载

    M2芯片采用第二代5纳米制程工艺打造,集成超过200亿个晶体管,集成8核中央处理器,最高10核图形处理器,16核神经网络引擎,高性能媒体处理引擎,ProRes视频编解码,最高24GB统一内存,100GB/s内存带宽...搭载M2芯片的新一代MacBook Air,超薄形态再进化,薄至1.13厘米,轻至1.24千克,纤薄精巧的机身100%采用再生铝金属,经久耐用,也更环保......

  • 52年来CPU芯片发生了什么?晶体管提升1亿倍

    现在到了2022年,晶体管规模已经达到了1000亿个,苹果的M1 Ultra芯片做到了1140亿晶体管,是52年前的1亿倍了...1000亿晶体管的芯片也不会是终点,实际上苹果M1 Ultra也不是唯一的千亿芯片怪物了,Intel的加速卡Ponte Vecchio也实现1000亿+晶体管了,不过Ponte Vecchio是由多个芯片组成的,M1 Ultra其实也不是单一芯片,也是2个M1 Max芯片组成的......

  • 亚马逊第三代处理器降临!550亿晶体管、七合一64核心

    官宣半年之后,亚马逊云(AWS)自研的第三代处理器Graviton3终于落地商用了,应用于最新的C7g实例。亚马逊Graviton3也采用了时下流行的chiplets小芯片设计,封装多达7个小芯片,一颗主芯片周围围绕着六颗辅助芯片。造型布局很别致,脑洞大开的外媒还把亚马逊云的LOGO改了一下P上去,一个手脚齐全的小胖机器人呼之欲出。这是内部结构简图。主芯片中是最多64个ARM架构核心,八横八纵呈Mesh网格状分布。左右两侧的四个是DDR5内存控制器,目前信息是四通道。下方两个则是PCIe 5.0控制器。单独把控制器做成小芯片,倒也是头一次见。制造工艺不详?

  • Applied Materials公布适用于3nm与GAA晶体管制造的下一代工具

    来自应用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就将为包括三星在内的晶圆厂提供 GAA 芯片的制造支持...为在晶体管尺寸缩放的同时、维持其性能与电气参数,芯片行业已于 2012 年开始,从平面型晶体管过渡到 FinFET(鳍式场效应晶体管),以通过使栅极更高来增加晶体管沟道和栅极之间的接触面积...更何况该工艺可在 CPU 之外的硬件上使用,比如三星 DRAM 亦能受益于更小的单元尺寸 / 更高的晶体管密度......

  • 晶体管在 3nm 达到临界点-广州同创芯电子有限公司

    代工厂后来转移到 16nm/14nm 的 finFET...“设计 28nm 芯片的平均成本为 4000 万美元,”IBS 首席执行官 Handel Jones 说...IRFP4668PBF 3.2KATMEGA32A-AU16kSTM32F207VET6一包STM32F205VET6 一包STM32F107RCT6两包STM8S003F3P6TR 30kKSZ8081MNXIA-TR 20KAT91SAM7X256C-AUR1KDS1631S+TR......

  • 科学家在工程晶体中获重大突破:可让计算机以更低功率运行

    于当地时间4月6日在线发表在《自然》上的一项研究中,加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管--构成计算机构件的微小电子开关--的设计中的一项重大突破,它可以在不牺牲速度、尺寸或性能的情况下大大降低其能源消耗...这项新研究显示了如何在一种由氧化铪和氧化锆的分层堆叠组成的工程晶体中实现负电容,这种晶体非常容易跟先进的硅晶体兼容...在这项研究中,研究小组表明,通过将氧化铪和氧化锆结合在一个被称为超晶格的工程晶体结构中也可以实现负电容,并且还能让铁电性和反铁电性同时存在......

  • 英特尔Arc DG2-512基于台积电6纳米工艺制造 拥有比GA104和Navi 22更多的晶体管

    这部分GPU具有相当强大的用途,包括原生1440p游戏,或在4K条件下进行游戏的性能提升--这一点英特尔以XeSS的形式拥有...DG2-512是在6纳米的台积电N6代工节点上制造的,是这个级别的三个GPU中最先进的节点...DG2-512的FP32吞吐量为13.5 TFLOPs,而Radeon RX 6700 XT桌面显卡上的Navi 22为13.2 TFLOPs,GeForce RTX 3070 Ti桌面显卡上的GA104则为21.7 TFLOPs...

  • Intel Arc独立显卡集成217亿晶体管!远超RTX 3070 Ti

    3月30日晚,Intel正式发布了Arc A系列锐炫独立显卡(代号Alchemist),首发移动端的Arc 3系列,后续还有更高端的Arc 5/7系列,并且会进入桌面、工作站。Arc A系列芯片采用台积电N6 6nm工艺制造,一大一小两个版本,代号DG2-512(ACM-G10)、DG2-128(ACM-G11),分别集成32个、8个Xe核心与光追单元,首发的Arc 3系列就是基于后者小核心。现在,我们终于知道了它们的面积、晶体管参数。DG2-512大核心面积406平方毫米,集成晶体管217亿个,密度为每平方毫米5340万个,顶级型号Arc A770M FP32峰值浮点性能13.5TFlops。它的对手是AMD Navi 22、NVIDI

  • 英伟达推出下一代Hopper架构GPU 首款H100芯片集成800亿个晶体管

    在昨晚的2022GTC 大会上,NVIDIA 宣布推出采用 Hopper 架构的新一代加速计算平台,其将取代两年前推出的 Ampere 架构...其采用台积电 N4工艺,是全球范围内最大的加速器,拥有 Transformer 引擎和高度可扩展的 NVLink 互连技术(最多可连接达256个 H100GPU,相较于上一代采用 HDR Quantum InfiniBand 网络,带宽高出9倍,带宽速度为900GB/s)等功能,可推动庞大的 AI 语言模型、深度推荐系统、基因组学和复杂数字孪生的发展......

  • 重大突破!清华大学首次实现亚1nm栅极晶体管:等效0.34nm

    据清华大学官网消息,集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。据清华大学介绍,目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上,日本中在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管,2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管,而清华大学目前实现等效的物理栅长为0.34nm。图1 亚1纳米栅长晶体管结构示意图官网介绍,为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈,本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极,通过?

  • 清华团队取得小尺寸晶体管研究重大突破 率先实现亚1纳米栅长

    但由清华大学集成电路学院任天令教授带领的一支团队,刚刚在这方面取得了重大的研究突破...论文通讯作者为清华大学集成电路学院任天令教授和田禾副教授,清华大学集成电路学院2018级博士生吴凡、田禾副教授、2019级博士生沈阳为共同第一作者,其他参加研究的作者包括清华大学集成电路学院2020级硕士生侯展、2018级硕士生任杰、2022级博士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授......

  • 苹果发布“双芯”M1 Ultra:20核CPU+64核GPU、1140亿晶体管

    CPU核心来到20个,包括16个性能核心、4个能效核心,前者每个核心有192KB指令缓存、128KB数据缓存,总计48MB二级缓存,后者每个核心有128KB指令缓存、64KB数据缓存,总计8MB二级缓存...GPU核心来到64个,包含8192个执行单元,最多196608个并发线程,最大算力21TFlops,纹理填充率每秒6600亿,像素像素填充率每秒3300亿......

  • 苹果发布全新M1 Ultra处理器 晶体管数量相比M1提升7倍

    凤凰网科技讯(作者/阎烁)北京时间3月9日凌晨,苹果召开2022春季新品发布会,本次发布会依旧采用线上形式...苹果自研的M系列芯片也在本次发布会上进行了更新,带来了M1家族的最后一款芯片M1 Ultra,定位桌面级性能处理器,定位高于M1 Max...M1 Ultra可以理解为将两块M1 Max相连,拥有最高800GB/s内存带宽,128GB统一内存,20核心CPU其中16个为高性能核心,4个高能效核心,以及64核心GPU,32核心神经网络引擎,媒体处理引擎性能相比M1 Max提升2倍...

  • 新晶体结构将帮助科学家了解大型岩石系外行星的深处

    发生在我们星球深处的物理学和化学是我们所知的生命存在的根本。但在遥远世界的内部究竟是什么力量在起作用,这些条件又是如何影响到它们的可居住性潜力的呢?针对这些问题,卡内基大学地球和行星实验室领导的新工作利用实验室的模拟技术揭示了一种新的晶体结构,这对我们理解大型岩石系外行星的内部有重大影响。相关研究报告已发表在《Proceedings of the National Academy of Sciences》上。 来自卡内基大学的Rajkrishna Dutta指出:“我们星球的内部动力学对于维持一个生命可以茁壮成长的表面环境至关重要--驱动着创造我们磁场的地球动

  • Intel宣布先进CPU工艺路线图:EUV光刻今年量产 8年集成1万亿晶体管

    在过去的2021年,Intel最重要的一步当然是量产了Intel 7(之前的10nm SF工艺)工艺,以此为基础推出了12代酷睿Alder Lake,今年的13代酷睿Raptor Lake也会继续使用Intel 7工艺,提高产能、优化性能是重点,13代酷睿这次又增加了8个效能核,总计24核32线程......

  • 科学家们在一种奇特的电子晶体中发现了一种神秘的过渡现象

    当温度发生变化时,许多材料会发生相变,例如液态水变成冰,或者金属变成超导体。有时,一个所谓的滞后环伴随着这样的相变,根据材料的冷却或升温,过渡温度是不同的。在《物理评论快报》的一篇新论文中,由麻省理工学院物理学教授NuhGedik领导的一个全球研究小组在一种名为EuTe4的层状化合物中发现了一种不寻常的滞后转变,其中的滞后涵盖了一个超过400开尔文的巨大温度范围。这一巨大的热跨度不仅打破了晶体固体中的记录,而且有望在拥有层状结构的材料中引入一种新的过渡类型。这些发现将为固体在极端温度范围内的滞后行为的基础研究创

  • 传英伟达Hopper GH100 GPU采用5nm工艺 晶体管超1400亿

    ChipHell 上又冒出了新的传闻,指出 Hopper GH100 可能具有超过 1400 亿个晶体管...最终配置可能在每个 GPU 模块上 144 组 SM 单元中的 134 个,但若未启用 GPU Sparsity,英伟达又不大可能达成与 AMD Instinct MI200 竞品相当的 FP32 / FP64 数据......

  • “错位”晶体的晶体学:先进的算法揭示了材料结构

    寻求DNA结构的一个关键突破来自于X射线晶体学,这是一种根据X射线辐射束如何通过样品中的原子间的空间进行衍射来描绘分子中电子密度的技术...他们的新技术被称为小分子串行飞秒X射线晶体学,或smSFX,通过添加定制的图像处理算法和X射线自由电子激光器(XFEL)对传统的晶体学进行增压...Paley和MBIB的研究科学家Aaron Brewster开发了将XFEL数据转换为高质量衍射图案所需的算法,通过分析可以揭示样品中每个微小晶粒的单元格--晶体的基本单元,在三维空间中不断重复......

  • 科学家打造出微型晶体管:宽度只有头发的1/25000

    一个国际研究小组通过利用一个插入电子显微镜的独特工具创造出了一个只有人的头发宽度1/25000的晶体管。这项研究已发表在《科学》上,来自日本、中国、俄罗斯和澳大利亚的研究人员参与了这项于五年前开始的项目。领导该研究项目的昆士兰大学材料科学中心联合主任Dmitri Golberg教授指出,这项成果是一个“非常有趣的基础性发现”,它可以为未来开发微小的晶体管并用于未来几代的先进计算设备引路。Golberg教授表示:“在这项工作中

  • 台积电自曝2nm晶体管新结构:终于告别FinFET

    12月22日,中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD 2021)举行。据媒体报道,会上,台积电南京公司总经理罗镇球表示,台积电将于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台,汽车工艺产品会符合所有汽车安全规则。同时,他还透露,台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料。罗镇球最后表示台积电从今年开始大幅提升资本开支,在2021年-2023年,会在已扩产的基础上投资超过1000亿美

  • 首创双层晶体管:索尼介绍全新的堆叠式CMOS图像传感器技术

    索尼半导体解决方案公司,已经成功开发出了全球首个采用双层晶体管像素技术的堆叠式 CMOS 图像传感器。据悉,传统方案需要将光电二极管和像素晶体管置于同一基板,而索尼新技术将两者分离放置在了不同的基板层上。得益于几乎增强了一倍的饱和信号电平,以及动态范围的提升 / 噪声的下降,新方案显著可提升成像性能。(来自:SONY 官网)在像素芯片内,负责光电信号转换的二极管、和控制信号的像素晶体管位于同一层。而在传统堆叠式

  • NVIDIA发布Quantum-2网络平台:570亿晶体管、网速超50Tbit/s

    在今天的GTC 2021大会上,NVIDIA发布了专为高性能计算而生的新一代Quantum-2网络平台,核心是7nm工艺的Quantum-2交换芯片,7nm工艺,570亿晶体管,可以支撑64路400Gbps网络,网速高达50.2Tbit/s,也就是5000万兆以上。NVIDIA此前花费了500亿元收购了网络芯片巨头Mellanox,去年8月份完成法律程序,之前发布的Mellanox NDR 400G InfiniBand等芯片还是Mellanox自己研发的,现在的Quantum-2则是NVIDIA主导下研发的,意义不同,算是真?

  • 570亿晶体管:英伟达推出新一代InfiniBand平台Quantum-2

    GTC 2021 大会期间,英伟达发布了全新的 InfiniBand 网络平台,它就是基于 Bluefield-3 DPU 和 Quantum-2 Infiniband 交换机的 Quantum-2 。官方新闻稿称,其旨在为云计算提供商和超算中心带来极致性能、广泛的可访问性、以及强大的安全性。作为有史以来最先进的端到端网络平台,NVIDIA Quantum-2 底层是 400Gbps 的 InfiniBand 网络。在结合该公司的 Quantum-2 交换机、ConnectX-7 网络适配器、BlueField-3 数据处理单元(DPU),