在各种类型的芯片中,3D 晶体管正逐渐普及,而 3D DRAM 内存也已经讨论了很多年,但一直没有实现。现在,三星发布的路线图中终于出现了 3D DRAM。
三星目前的 DRAM 芯片制造工艺为 1b,后续还有 1c、1d,均属于 10nm 级别。
在 10nm 以下的节点中,将分别命名为 0a、0b、0c、0d,其中第一个 0a 工艺预计在 2027 年底至 2028 年初量产(月产能超过 2 万块晶圆),0d 则要等到 2032 年。
在进入 10nm 之后,三星将全面开启 3D 内存时代,首先引入 **VCT(垂直通道晶体管)**,这似乎是基本的 FinFET 类型,而不是更先进的 GAA。
大约在 2030-2031 年,三星将升级到堆叠 DRAM,将多组 VCT 堆叠在一起,从而获得更大的容量和更高的性能,似乎还将引入电容器作为辅助。
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