在各种类型的芯片中，3D 晶体管正逐渐普及，而 3D DRAM 内存也已经讨论了很多年，但一直没有实现。现在，三星发布的路线图中终于出现了 3D DRAM。
三星目前的 DRAM 芯片制造工艺为 1b，后续还有 1c、1d，均属于 10nm 级别。
在 10nm 以下的节点中，将分别命名为 0a、0b、0c、0d，其中第一个 0a 工艺预计在 2027 年底至 2028 年初量产（月产能超过 2 万块晶圆），0d 则要等到 2032 年。
在进入 10nm 之后，三星将全面开启 3D 内存时代，首先引入 **VCT（垂直通道晶体管）**，这似乎是基本的 FinFET 类型，而不是更先进的 GAA。
大约在 2030-2031 年，三星将升级到堆叠 DRAM，将多组 VCT 堆叠在一起，从而获得更大的容量和更高的性能，似乎还将引入电容器作为辅助。
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