DDR5
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美光DDR5内存升级1γnm工艺 首次EVU！轻松单条128GB 9200MHz
美光宣布，基于最新1纳米工艺的DDR5DRAM内存芯片已经投产，性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值是1a、1b、1c、1、1、1这样的迭代顺序，越来越先进，其中1a比较接近20nm，1则接近10nm。美光在中国台湾的工厂也会引入EVU，并使用1工艺制造GDDR7显存、LPDDR5X高频内存。
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全新世界纪录！技嘉X870实现双通道DDR5-10200：运行相当稳定
技嘉内部超频专家hicookie分享了一张截图，展示了X870AORUSTachyonICE主板搭配全何DDR5内存套装，成功实现了DDR5-10200的内存速度。此次超频测试中，hicookie使用了两根24GB的DDR5内存，并成功将内存速度提升至10200MT/s。hicookie在此次超频中还使用了AMDRyzen8700G处理器，并搭配了AGESA1203a主板BIOS，只不过其他技嘉X870主板暂未更新AGESA1203a，这次应该也是内部测试。
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芝奇推出96GB DDR5内存套装：6400高频率、CL30低延迟
全球率先推出DDR5-6400CL3048GBx2规格的大容量、高频率、低延迟内存套装，幻锋戟、皇家戟两大系列均提供此规格。虽然常说鱼与熊掌不可得兼，但芝奇此次推出的新内存，确实做到了兼顾，6400MHz频率、96GB容量的同时，时序依然控制在CL30-39-39-102。新内存兼容Intel、AMD平台，尤其这个频率正是锐龙的甜点。
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佰维存储携Mini SSD亮相CES 2025，高频DDR5内存荣获创新大奖
第58届国际消费类电子产品展在拉斯维加斯盛大举行。本届展会以“DIVEIN”为主题，聚焦从AI向“AI”的延伸。顺应这一趋势，佰维存储将不断深化“研发封测一体化2.0”战略，充分发挥自身在芯片IC设计、存储介质特性研究、固件算法开发、先进封装测试及测试设备研发等多领域的核心能力优势，持续提升存储产品的性能、可靠性等特性，推出精准匹配市场新兴需求的创新产品
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三星Galaxy S25全系配LPDDR5X：自家产品面临过热问题或外购美光芯片
据报道，三星将于北京时间1月23日02:00举办GalaxyUnpackedJanuary2025，发布新一代GalaxyS25系列手机，包括GalaxyS25、GalaxyS25和GalaxyS25Ultra三款机型。三星GalaxyS25系列已确定将标配高达12GB的内存，并且有望全系列均搭载了美光的LPDDR5X内存芯片。这种策略赋予了三星更大的应对灵活性与韧性，有助于快速调整生产计划，最大限度地减少生产延误，从维持高效的生产运营。
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解锁192GB内存上限！微星X870主板BIOS更新：可插满DDR5-6400
微星近日宣布，为其X870E/X870系列主板推出BIOS更新，将内存容量上限提升至192GB支持更高的内存速度。用户可以在微星X870系列主板上插满四条DDR5-6400内存，每条可具备最高48GB的容量。用户现在可以在保持高性能模式和低延迟的同时，享受到更大内存容量带来的便利。
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全人类感谢你！芝奇内存又创纪录 DDR5-12666
DDR5内存频率之争愈演愈烈，芝奇又一次刷新了内存超频世界纪录，冲到了非常恐怖的DDR5-12666！芝奇此次联合了极限超频专业好手Splave，使用一条芝奇TridentZ524GBDDR5内存，搭配酷睿Ultra9285K处理器、华擎Z890TaichiOCF主板，当然也少不了液氮辅助、内存调教，才达成这一壮举。酷睿Ultra9285K处理器也只开启了2个P核、2个E核，频率降低到仅仅2GHz，分频比例达3:182。
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iQOO Neo10 Pro官宣：支持LPDDR5X Ultra 9600Mbps满血内存
今日iQOO官宣Neo10Pro将搭载LPDDR5XUltra满血内存，速率最高可达到9600Mbps。iQOONeo10Pro将采用天玑9400移动平台，是2~3K价位段中首搭这枚3nm天玑平台的机型，是截至目前同档位最强的芯片组。作为一款主打性能的旗舰手机，iQOONeo10Pro在硬件配置上的升级，将为用户带来更加流畅、高效的使用体验。
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ARES RGB DDR5 6000 C28：雷克沙为AMD平台定制的性能怪兽
雷克沙正式推出了专为AMD平台打造的战神之翼系列DDR5内存条——ARESRGBDDR56000C28。这款内存条不仅与AMD锐龙79800X3D处理器形成了完美的搭档，更在性能上实现了显著提升。雷克沙ARESRGBDDR56000C28战神之翼不仅与AMD9800X3D形成了完美的搭档，更在性能上实现了显著提升，成为了广大用户追求高性能内存的首选之一。
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获奖 | 佰维DW100 时空行者 RGB DDR5内存荣获 CES 2025创新奖
近日，2025年CES创新奖名单正式揭晓，佰维DW100时空行者RGBDDR5内存凭借其卓越的创新性和技术实力，荣获了这一备受瞩目的国际荣誉。CES创新奖由消费技术协会颁发，是年度影响力最大的产品评选之一，旨在表彰在创新性、工程技术、功能性、美学和设计等方面表现突出的产品。佰维DW100时空行者内存荣获CES创新奖，不仅是对佰维产品性能的认可，更是对其在存储领域持续投入和创新的肯定。
