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在集成电路制造中,光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节,决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量,是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进,极紫外光刻成为首选的光刻技术。该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法,涉及光学领域,能够解决相干光因形成固定的干涉图样无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进达到匀光的目的,进解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样无法匀光的问题。
10月18日早间消息,三星官方宣布,已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。