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在日前举行的英伟达+GPU+技术大会上,英伟达公布了其在计算光刻技术方面的突破。新的+Nvidia+cuLitho+软件库将加速计算引入了计算光刻领域,使半导体公司能够在这一领域取得突破。从长远来看,cuLitho+将实现更好的设计规则、更高的密度、更高的产量和+AI+驱动的光刻技术。
在集成电路制造中,光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节,决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量,是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进,极紫外光刻成为首选的光刻技术。该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法,涉及光学领域,能够解决相干光因形成固定的干涉图样无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进达到匀光的目的,进解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样无法匀光的问题。
中国科学院官网刊文称,上海光机所在计算光刻技术研究方面取得重要进展。近日,中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC)。仿真结果表明,该技术具有较高的修正效率。光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一,光刻分辨率决定集成电路的特
3月26日据oltnews援引日经新闻报道,三星电子本周三宣布,已经在首尔华盛市的一家DRAM工厂的一条生产线上部署了极紫外光刻技术(EUV),将精密内存芯片制造的生产率提高一倍。三星是第一个将这项技术用于大规模生产存储芯片的公司,这是 20 年来生产技术的首次重新设计。三星的竞争对手SK海力士计划2021年在DRAM生产线上安装EUV设备。
10月18日早间消息,三星官方宣布,已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。