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极紫外光刻技术

极紫外光刻技术

3月26日据oltnews援引日经新闻报道，三星电子本周三宣布，已经在首尔华盛市的一家DRAM工厂的一条生产线上部署了极紫外光刻技术(EUV)，将精密内存芯片制造的生产率提高一倍。三星是第一个将这项技术用于大规模生产存储芯片的公司，这是 20 年来生产技术的首次重新设计。三星的竞争对手SK海力士计划2021年在DRAM生产线上安装EUV设备。...

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网络媒体对“极紫外光刻技术”描述

微电子光刻技术

主流技术

摩尔定律的潜在救星

最有可能达到量产化要求的光刻技术

潜在的摩尔定律的救世主

目前国际上的研究热门之一

最有前途的光刻技术

搜索引擎对“极紫外光刻技术”的分析

  • 波长：
    软 X 射线
  • 核心：
    极紫外光刻光源
  • 特征线宽：
    70纳米
  • 光源：
    11～14 nm
  • 组成部分：
    极紫外光源

网友给“极紫外光刻技术”贴的标签

  • 光刻技术
  • 技术
  • 光源
  • 曝光光源
  • 光刻机
  • 上

网络媒体对“极紫外光刻”描述

三星领先的下一代制造工艺的关键推动因素

使用极紫外（EUV）波长的下一代光刻技术

传统光刻技术的拓展

备受众多企业关注的光刻技术之一

应用于现代集成电路制造的光刻技术

投影光刻技术

最具潜力的下一代光刻技术

目前能力最强且最成熟的技术

下一代光刻技术

搜索引擎对“极紫外光刻”的分析

  • 也称：
    EUV
  • 波长：
    10-14纳米
  • 常称作：
    EUV光刻
  • 分辨率：
    30nm以下
  • 英语：
    Extreme ultra-violet
  • 来自于：
    ASML

网友给“极紫外光刻”贴的标签

  • 公司
  • 工艺
  • 生产工具
  • 生产工艺
  • 光刻胶

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