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据国外媒体报道称,台积电将于今年年底从荷兰供应商ASML接收首批全球最先进的芯片制造机器,仅比美国竞争对手英特尔晚几个月。高数值孔径极紫外光刻机是世界上最昂贵的芯片制造设备,每台的价格约为3.5亿美元。也是引起了行业专家的吐槽,有人甚至放话,如果没有先进光刻机,你们恐怕什么也不是。
快科技10月18日消息,据媒体报道,三星电子已决定推迟接收来自荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)的芯片制造设备。这批设备原本计划用于三星电子在得克萨斯州泰勒市斥资170亿美元新建的工厂。然而,目前三星电子尚未为该工厂赢得任何关键客户,这一现状无疑为项目的推进增添了不确定性。不仅如此,三星电子还推迟了向其他供应商下的订单。这一举动不仅迫使这些供应商开
在近日的财报电话会议上,IntelCEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的HighNAEUV。HighNAEUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一,其分辨率达到8纳米,能够显著提升芯片的晶体管密度和性能,是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。Intel计划在2027年前将HighNAEUV技术用于商业生产,并在2030年前实现代工业务的收支平衡。
台积电正全力以赴,加速安装对2nm工艺量产至关重要的EUV光刻机。为了满足这一高端生产需求,台积电计划在今明两年接收超过60台EUV光刻机,预计投资总额将超过123亿美元。业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NAEUV光刻机,这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。
4月3日7时58分,中国台湾花莲县海域发生7.3级地震,后续记录到上百起余震。4月3日晚,台积电对中国台湾发生的地震所造成影响做出最新评估。有网友表示:越先进的工艺,受影响越大”估计损失可能要好几亿美元了,机台上的晶圆都废了”。
Intel官方宣布,位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NAEUV极紫外光刻机,型号为TwinscanEXE:5000”,它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机,将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺,也就是1.8nm级别。新光刻机的价格估计至少3亿美元,甚至可能达到或超过4亿美元,也就是逼近人民币30亿元现有低NAEUV光刻机需要2亿美元左右。
随着制程工艺的进步,DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题,解决办法就是上EUV光刻机,但是设备实在太贵,现在还要榨干DUV工艺最后一滴,DDR5内存有望实现单条1TB。作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司,美光日前又创造了一个新纪录推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒,使用的是比前者1工艺更先进的1工艺,这也是美光最后的非EUV工艺了,再往后不想上EUV也没招了。显存GDDR路线上,2025年会推出GDDR7,频率32Gbps,核心容量16-24Gb,带宽128GB/s以上。
在半导体工艺进入7nm节点之后,EUV光刻机是少不了的关键设备,目前只有ASML能制造,单台售价10亿人民币,今年底还会迎来下一代EUV光刻机,价格也会大涨。光刻机的分辨率越高,越有利于制造更小的晶体管分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系,目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的,下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨,毕竟还要好几年才能上市。
作为摩尔定律的提出者,Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者,多次表示半导体工艺还会继续提升下去,在现有4年掌握5代CPU工艺之后,Intel还启动了未来两代的CPU工艺研发,目标逼近1nm了。Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A,其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了,Intel4会在下半年的14代酷睿上首发会首次用上EUV光刻工艺。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨,当前售价在1.5亿美元左右,下代价格轻松超过4亿美元。
Intel在先进制造工艺上投入颇深,按照官方说法进展也颇为顺利。Intel7已经大量用于消费级的12/13代酷睿、企业级的4代可扩展至强。Intel20A、Intel18A均已经完成了测试芯片的流片,它们将引入RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerVia后端供电两大关键新技术。