站长之家(ChinaZ.com) 5 月 15 日消息：据外媒报道，三星宣布将于 2021 年推出全新的 3nm 芯片。

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报道称，三星将于 2021 年向市场推出一项突破性的处理器技术，采用全方位栅极晶体管，对最基本的电子元件进行根本性改造，使芯片性能提高 35% 的同时，能耗也能降低 50%。

三星在本周二举行的活动中宣布，这项名为「Gate All Around」 的技术能够对芯片核心晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快；并称应用该技术的芯片在 2021 年问世后，它们将成为三星与对手英特尔和台积电在竞争时的重要优势。

国际商业战略咨询公司首席执行官 Handel Jones 对此表示，三星强大的材料研究项目正在取得成效，这一新技术将领先台积电约 12 个月，英特尔则可能落后两三年。