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三星开始量产3nm Exynos芯片:Galaxy S25有望首发

2024-05-07 21:33 · 稿源: 快科技
三星突破性<a href="//www.chinaz.com/tags/3nm.shtml" target="_blank"><span>3nm</span></a>芯片量产

三星突破性3nm芯片量产

据报道,三星电子已启动其首款3nm Gate All Around (GAA)工艺芯片的量产。这款芯片预计将搭载于Galaxy S25系列智能手机。

该移动芯片配备了CPU、GPU和来自Synopsis的多个IP模块,通过Synopsys.ai EDA软件优化了性能和产量。此外,工程师还利用Synopsys Fusion Compiler电子设计自动化工具提升了芯片性能,降低了功耗并优化了芯片面积。

三星和Synopsis声称,Synopsys的设计自动化工具帮助芯片提升了300MHz的频率,同时降低了10%的功耗。

  • 设计分区优化
  • 多源时钟树综合 (MSCTS)
  • 智能线优化
  • 更简单的分层方法

三星以往的芯片在长时间使用后,通常会出现高功耗和性能下降的问题。GAA技术有望解决这些问题,为用户带来更流畅、更省电的体验。

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