站长之家（ChinaZ.com）7月13日 消息:三星于2019年5月发布了3GAE（3nm Gate-All-Around Early）和3GAP(3nm Gate-All-Around Plus)节点，承诺通过这些新技术生产的芯片可以大幅降低功耗并提高整体性能. 与现有的7LPP节点技术相比，除了降低50% 的功耗之外，还预计性能提升35%。
三星的芯片制造部门——三星代工厂于2021年介绍了这些工艺。三星计划于2021年开始通过该工艺大批量生产芯片。然而，芯片制造市场遇到了一些挑战，疫情在全球的蔓延影响到了原本的计划，导致三星推迟3nm工艺的进度。
三星代工厂现在已经对其3nm工艺节点进行了更改，并表示第一批3GAE 芯片将从2022年开始在其工厂内量产。然而，似乎3GAE芯片已从公司在中国举行的 Foundry2021活动期间公布的路线图中删除，这可能意味着三星早期将只为三星智能手机内部提供3nm芯片。3GAE的后继芯片是3GAP型号，它预计在2023年之前在三星代工厂大批量生产。三星路线图还提供了其他几种芯片技术的时间表，如5LPP 和4LPP，它们定于2021年和2022年高量产。
三星代工厂是仅次于台积电的第二大智能手机芯片制造商。作为三星的一个独立部门，提供关键部件，使三星能够充分应对全球芯片短缺，而不会对其整体业务发展产生重大影响。此前有报道称，三星正在跳过4nm工艺，专注于3nm工艺。虽然目前用于三星最新旗舰产品的芯片是基于5nm工艺制造的，但3nm芯片将更小、性能更强、功耗更高效。
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