闪存芯片

今天，三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章，称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...

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