V-NAND

三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼作为替代材料，与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限，三星前瞻性地转向钼，这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减能显著降低NAND闪存的响应时间，为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力含钼材料的市场则将迅速崛起。...

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