V-NAND

按照三星的表述，与现有相同容量的闪存芯片相比，新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率，从而进一步降低了成本，这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘...在未来，三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过500层，这被视为3D闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造1000层堆栈的3D闪存.........

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