三星闪存
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12-20
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三星宣布280层QLC闪存：M.2 SSD可达16TB！
三星宣布，正在开发下一代V9QLC闪存技术，一举堆叠到280层，容量、性能都实现了巨大的飞跃，预计今年内就会正式推出。三星V9QLC闪存的存储密度达到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的长江存储232层QLC20.62Gb提高了多达36％。虽然很多人依然不待见QLC，但是随着TLC的潜力被挖掘殆尽，QLC已经成为绝对主流，各家都已经全部转向，三星也从2022年开始就将几乎全部精力放在了QLC。
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三星将在明年量产300层NAND闪存芯片：2030年实现1000层
今天，三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章，称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。
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SK海力士首发321层闪存 三星被偷家原因揭秘：步子迈太大
日前SK海力士宣布全球首发321层堆栈的4D闪存，这也是闪存首次提升到300层以上，核心容量1Tb，TLC类型。在堆栈层数上，SK海力士的4D闪存因为架构不同，相比其他家来说堆栈层数占优一些，比如之前美光及国产长江存储推出的都是232层闪存，SK海力士上一个记录是238层，多了那么几层。三星这次步子迈得很大，计划是美好的，但是跳过这一级别的闪存，技术上挑战也不小，最终能否如愿还要时间来检验。
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三星电子下半年将继续削减存储芯片产量 尤其是NAND闪存
7月28日消息，据外媒报道，在当地时间周四发布的二季度财报中，三星电子预计在业内更大范围的减产、客户库存调整减弱的推动下，存储芯片的需求在下半年将会逐渐恢复。但从外媒的报道来看，预计存储芯片的需求在下半年将会开始逐渐恢复的三星电子，并不会因此而增加产量，他们在下半年还会继续削减DRAM和NAND闪存的产量。外媒在报道中提到，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子的高管表示，他们计划下半年继续削减存储芯片的产量，以加速库存正常化，他们将继续调整DRAM和NAND闪存的产量，尤其是大幅削减NAND闪存的产量。三星电子继?
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不是UFS 4.0！曝三星Galaxy S23标准版128GB仅采用UFS 3.1闪存
此前有消息称，三星GalaxyS23/Ultra系列将搭载更快的LPDDR5X内存和UFS4.0存储，然最新消息显示，并非所有机型都是这样的高规格。根据数码博主@IceUniverse爆料，三星GalaxyS23标准版128GB将配备UFS3.1闪存，使其读写速度低于其他型号的UFS4.0闪存。UFS3.1存储速度因容量异，128GB芯片版顺序写入速度为850MB/s。
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曝三星 S23 标准版 128GB 版本仅采用 UFS 3.1 闪存
根据@IceUniverse爆料，三星S23标准版128GB仅采用UFS3.1闪存，其读写速度低于其他型号的UFS4.0闪存。UFS4.0的顺序数据读取速度为4200MB/s，顺序写入速度为2800MB/s，作为对比UFS3.1的顺序读取速度2100MB/s，顺序写入速度1200MB/s，前者是后者存储速度的两倍。如果爆料信息是确真的，可以想象三星S23标准版128GB版本的性能会差一些。
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难以仰望的三星：内存第一30年 闪存第一20年！
三星集团是渗入韩国社会方方面面的超级巨头，三星电子作为其一部分，同样是科技行业的巨无霸，尤其是在存储领域根本没有敌手。2022年第三季度，三星电子在全球DRAM内存芯片(非内存条)市场的份额高达40.6％，已经连续30年稳居世界第一。而在NAND闪存芯片领域，三星电子的份额也有31.6％，连续20年高居榜首。无论是DRAM内存还是NAND闪存，三星电子的份额都比第二名高出超过10个百分点。不过，三星电子也并非高枕无忧，比如在NAND闪存领域，竞争其实十分激烈，尤其是随着长江存储的崛起，让三星感到了巨大的压力。另外，三星芯片设计、代工都
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三星已连续30年是全球第1大DRAM厂商 连续20年是最大NAND闪存厂商
1月29日消息，据国外媒体报道，业务涵盖消费电子及面板、存储芯片等的三星电子，多项业务在全球的份额高于其他厂商，在DRAM和NAND闪存方面的份额，就明显高于其他厂商。而在最新的报道中，外媒还披露，在DRAM市场，三星电子的份额已连续30年位居全球第一，在NAND闪存市场已连续20年居首。外媒在报道中还提到，在去年三季度，三星电子在全球DRAM市场的份额高达40.6%，在NAND闪存市场的份额也高达31.6%，市场份额较第二大厂商均高出超过10个百分点。不过，外媒在报道中也提到，虽然三星电子目前在全球DRAM和NAND闪存市场的份额遥遥领先，但?
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SSD跌成白菜价 三星急忙出手：闪存逆市涨价10%
2022年内存及闪存两种存储芯片的价格一直在下滑，以致于SSD硬盘跌成白菜价了，2TB不到700元，但是这样的价格也让闪存厂商很难受，三星已经开始出手逆转价格，12月份闪存涨价10%。虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格，其中3D NAND闪存价格涨幅高达10%。三星之前一直没表态削减投资，但基于三星这样的地位，他们的涨价举动具有风向标的作用，接下来恐怕会有更多厂商跟进涨价了。
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第一次：三星晶圆代工收入超过NAND闪存
据TrendForce最新数据，三星电子2022年Q3晶圆代工业务的营收达55.84亿美元，高于其NAND闪存43亿美元的营收额。这是三星半导体自2017年拆分出晶圆代工业务之后，首次营收超越NANDFlash闪存业务。由于PC和智能手机需求下滑，NAND闪存的需求与价格也都出现下滑，这也是NAND闪存业务营收被晶圆代工超越的原因。
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2TB 799很便宜？SSD硬盘还得降！三星量产第8代V-NAND闪存
按照三星的表述，与现有相同容量的闪存芯片相比，新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率，从而进一步降低了成本，这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘...在未来，三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过500层，这被视为3D闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造1000层堆栈的3D闪存......
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三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能
三星正准备量产第 8 代 V-NAND 闪存，包括即将推出的 PCIe 5.0 SSD 在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升...除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1（以及最新的 UFS 4.0）标准的高速闪存...不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事，尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND，但实际推行仍相当谨慎...在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升......
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三星Galaxy S23全系配骁龙8 Gen 2+UFS4.0闪存 这大招怎么接？
有网友对AOSP代码挖掘发现，GalaxyS23对应的型号如SM-918、SM-S918BDS、SM-S918U、SM-S918U1、SM-S918W均已现身，其内部代号为DM3...S23将全系搭载骁龙8Gen2芯片，包括韩国、欧洲等地也不会有Exynos芯片的S23...除了最新的骁龙芯片外，UFS4.0闪存的加入也是一个非常值得期待的配置...采用三星第七代V-NAND闪存和自研主控，连续读取可达4200MB/s，连续写入可达2800MB/s，这已经不是两倍于UFS3.1的成绩了...
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三星宣布UFS 4.0闪存实现量产，8月份的旗舰谁会搭载？
中关村在线消息：8月3日，三星在2022闪存峰会上宣布：“UFS4.0闪存本月投入量产，UFS4.0会率先用于旗舰级智能手机上，从而满足处理高分辨率图像、重负载游戏时更高的数据吞吐速度需求...目前业内性能最好的三星512GBUFS3.1闪存芯片（2020年3月发布），标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s...
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三星在2022闪存峰会上公布了影响深远的下一代存储解决方案
在加州圣克拉拉举办的2022闪存会峰会期间，三星电子隆重介绍了下一代内存和一系列存储技术...首先，为了在数据驱动的世界中，尽最大限度地提升数据中心的效率，三星推出了下一代“PB 级”存储结束...新解决方案旨在为单个服务器单元内提供超过1PB 的存储空间...好消息是，三星遥测技术能够从客户 SSD 内的关键组件（例如 NAND 闪存、DRAM 缓存、以及 SSD 主控固件）收集人类可读的元数据...而三星长期致力于开发革命性的存储技术，从未为将来的数据移动、存储、处理和管理方式带来更加深远的变化......
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旗舰机要大换代了！三星宣布UFS 4.0闪存本月量产：写速暴增133%
继今年5月宣布开发出业内首款UFS 4.0存储产品后，三星于今日（8月3日）在2022闪存峰会上宣布，UFS 4.0闪存本月投入量产...基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s...可做对比的是，目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存芯片（2020年3月发布），标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s......
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三星电子与SK海力士一季度全球NAND闪存市场份额超过50%
研究机构的数据显示，在今年一季度，三星电子NAND闪存的销售额同比增长3.4%，达到了63.2亿美元，市场份额也增至35.3%，提升2.2个百分点...通过收购英特尔NAND闪存及固态硬盘业务，SK海力士的NAND闪存业务实力有增强，他们今年一季度的市场份额为18%...虽然SK海力士同英特尔已经完成了第一阶段70亿美元的收购交易，但他们的销售额与市场份额，与收购交易完成之前的上一季度相比其实有下滑，销售额下滑10.7%，市场份额下滑1.5%......
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三星正式发布 UFS 4.0 闪存：提高数据传输速度和电源效率
与UFS3.1相比，它的数据传输速度和电源效率都有所提高...借助三星第7代 V-NAND 技术和专有的控制器，UFS4.0将提供4200MB/s 的顺序读取速度和2800MB/s 的顺序写入速度...能效方面，UFS4.0将提供每 mA（毫安）6.0MB/s 的顺序读取速度，比上一代提高了46%...
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三星首次推出全新UFS 4.0闪存 读速达到4200MB/s或UFS 3.1的两倍
三星今天公布了最新的移动存储解决方案标准 - 通用闪存（UFS）4.0。新的UFS4.0规范承诺将移动闪存媒体存储的性能提高一个档次，将读取速度提高到4200MB/s，或基本上是目前可用的UFS3.1标准的两倍。同时，写入速度从1200MB/s提高到2800MB/s，三星说它的实际表现会是上一代的1.6倍。需要注意的是，这里所指的读和写的性能数字都是针对顺序传输的，所以随机读和写的速度可能会更慢。三星能够实现这一巨大的速度提升，要归功于UFS 4.0的每秒23.2Gbps的通道传输率与第七代V-NAND（垂直NAND）闪存技术的搭配，该技术由高达176层组成。而在容量方
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简洁高效 三星Type-C USB3.1闪存盘体验评测
官方数据显示，三星Type-C闪存盘读取速度能够达到400MB/s，这在目前的同级别优盘产品中同样领先...首先是Crystal Disk Mark，实测空盘状态下三星Type-C闪存盘持续读取速度能够达到420MB/s，写入速度能够达到近115MB/s...从软件测试来看，三星Type-C闪存盘在测试文件为1MB时Type-C闪存盘的读取速度已经可以达到402MB/s左右，之后可以保持在400MB/s左右的峰值读取速度......
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三星在NAND闪存市场份额排名第一 份额达到33.1%
根据市场研究公司 TrendForce 的数据，2021 年第四季度全球 NAND 闪存销售额环比下降 2.1% 至 184.8 亿美元...其中市场份额最大的三星2021 年第四季度的 NAND 销售额总计 61.1 亿美元，比上一季度下降 6.1%...它补充说，由于最近铠侠和西部数据联合运营的工厂发生污染事故导致 NAND 闪存生产中断，价格下跌可能小于预期...
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最快今年底量产 三星将推出224层闪存：速度提升30%
三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代，最高176层，原本计划在去年底量产，但因为NAND闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年Q1季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司...不过三星在下一代闪存上有望追回来，最快今年底明年初推出第八代V-NAND闪存，堆栈层数首次超过200层，之前传闻是228层，现在的说法是224层，相当于在128层基础上再堆栈96层......
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在闪存市场价格下降的背景下 三星年初逆势提高其SSD产品的价格
DigiTimes援引业内人士的话报道，三星正在考虑提高其自有品牌固态硬盘的价格。该报告没有为预期的价格上涨提供数字或百分比，但也指出，三星似乎正朝着与其他SSD供应商相反的方向发展。在面临低于预期的需求后，三星的竞争对手预计将降低整体定价达10%，试图增加产品的吸引力。三星是世界上最大的NAND芯片制造商之一，并享有完全垂直的SSD开发能力：该公司生产自己的NAND和控制器芯片，这使得它在行业和消费者对SSD速度和可靠性的?
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全球15%的闪存停产？三星回应：西安半导体工厂正常运行 封闭管理
由于疫情防控原因，西安地区的工厂也难免受到影响，其中三星在西安投产的闪存工厂占全球产能的15%，此前有传闻称已经停止运营，SSD市场风波乍起，不过三星刚刚已经澄清工厂还在生产，目前是全封闭式管理。据报道，就西安工厂生产调整一事，三星相关负责人表示，三星在西安的半导体工厂按照当地政府的防疫要求，对在岗人员和物流车辆采取了全封闭管理措施，能够保障基本运营条件。目前三星半导体工厂处于生产运行状态。12月29日，三
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占全球产能15% 三星确认西安NAND闪存工厂不受影响
最近几天西安因为疫情防控的原因已经开始封闭，该地区也是中国重要的半导体芯片生产基地，其中三星在西安的NAND工厂产能占全球15%，地位举足轻重。据媒体报道，三星电子设在当地的半导体工厂进入紧急运营状态，确保工厂正常生产。三星电子方面表示，目前正在最大限度地动用住在职工宿舍内的人员确保生产线正常运行，今后具体运营方案还需同国内政府部门协商。据悉，三星电子安排生产线运转所需人员停留在工厂附近的职工宿舍而非私?
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第三季度NAND闪存市场份额：三星以34.5%位列第一
三星电子2021年第三季度的NAND闪存销售额较上季度增长16.5%，达到65.1亿美元。据市场研究公司TrendForce称，销售增长是由智能手机和数据中心市场需求增加推动的。三星电子的市场份额从2021年第二季度的34.0% 上升到第三季度的34.5%，增长了0.5 个百分点。
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三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘
随着闪存的发展，如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了，这让消费者很不爽，因为QLC闪存不仅可靠性差，而且性能也慢很多，没有缓存加速的时候，性能甚至跑不过HDD机械硬盘。QLC闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬盘之前有人实测过，拷贝文件的速度也就160MB/s，这个速度甚至还不如一些HDD机械盘快。三星也注意到这个问题了，未来也会重点关注QLC闪存的性?
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三星970 EVO Plus固态盘主控、闪存换了 官方确认：半导体缺货害的
前不久，西数未通知消费者，对所出货SN550固态盘的闪存、固件做了变更，导致用户发现缓外写速最高能降一半。官方随后致歉并承诺会引入新产品编号，以示区分。其实，三星、美光也做了类似的事情。这不，三星发声明确认，为了应对半导体缺芯局面、保证产品的正常出货，对970 EVO Plus固态盘的主控、闪存等进行了升级”，固件版本也变更为3B2QEXM7。不过，三星学聪明老实了，配套970 EVO Plus的规格表同步做了修改，主控从三星Phoeix?
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Q2三星NAND闪存销售额增至55.9亿美元 但市场份额增加并不明显
【TechWeb】8月26日消息，据国外媒体报道，研究机构的报告显示，在需求强劲与平均销售价格环比上涨近7%的推动下，二季度全球NAND闪存的销售额，达到了164亿美元，环比增长10.8%。具体到厂商方面，三星电子在二季度仍是全球最大的NAND闪存供应商，市场份额也远高于其他厂商。从研究机构的报告来看，二季度三星电子NAND闪存的销售为55.9亿美元，较上一季度的49.7亿美元增加6.2亿美元，环比增长12.5%。市场份额方面，研究机构的数据显
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三星、海力士霸占手机闪存市场前2 铠侠退居第三
存储芯片中，NAND闪存芯片的市场价值仅次于DRAM内存，此前全球有6大闪存原厂，不过现在手机闪存市场悄然开始洗牌，三星以49%的份额继续霸占第一，SK海力士则超越铠侠成为第二。现在我们所用的NAND闪存是铠侠前身东芝存储在上世纪80年代末发明的，此前东芝存储也是全球闪存一哥，然而很快就被三星超越，最近几年都是全球第二。不过在手机闪存市场上，铠侠现在SK海力士超越了，Q1季度中市场份额只有19%，而SK海力士则拿下20%的份额，
