低功耗性能
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苹果A19单核性能登顶全球第一！超越一众PC CPU：功耗仅4W
苹果A19芯片在PassMark单核性能测试中表现卓越，以5149分登顶榜首，超越英特尔Core Ultra 9 285K和AMD EPYC等桌面处理器。其仅依靠被动散热，功耗约4瓦，能效优势显著。尽管多线程性能受限于核心数量，但作为移动设备芯片，这一成绩已足够亮眼。
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冲就对了：天玑9500 的GPU“满帧低功耗双满贯”，换机党直接抄作业
联发科天玑9500芯片在手机市场实现性能与能效的突破。其第三代全大核CPU单核性能提升32%，多核性能提升17%，功耗大幅下降，超大核功耗降低55%，多核功耗降低37%。全新G1-Ultra GPU峰值性能提升33%，功耗节省42%，支持光线追踪与倍帧技术，在《王者荣耀》等游戏中实现120帧流畅体验，功耗较前代降低19%。同时，芯片率先支持虚幻引擎5.5与5.6技术，提升几何细节与光影渲染能力，推动手游画质迈向主机级。天玑9500将高帧率与高画质结合，成为旗舰手机的常态选择。
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慧荣科技SM2508主控芯片读写性能登顶，功耗控制树行业新标杆
慧荣科技推出基于6nm工艺的SM2508 SSD主控芯片，在性能、功耗和体积三个维度实现完美平衡。该芯片显著提升了SSD读写速度，数据传输如闪电般迅捷，同时增强稳定性，为用户带来流畅可靠的使用体验。其出色表现得益于先进制程工艺与精心优化的算法设计协同发力。在AI PC、游戏主机等前沿领域展现出广阔应用前景，能为复杂AI算法提供硬件支持，并为玩家带来前所未有的流畅游戏体验。慧荣科技凭借卓越技术实力，再次成为行业发展的领航者，引领SSD市场迈向新高度。
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谁说高性能必须高能耗？揭秘企业级SSD功耗管理“黑科技”
文章介绍了数据中心高密度计算场景下，企业级SSD功耗管理对优化TCO(总体拥有成本)的重要性。忆联新一代PCIe Gen5 ESSD UH812a/UH832a通过创新散热设计、智能算法和硬件协同，实现高性能与低功耗平衡：优化DRAM缓存技术降低发热量，外壳散热设计提升散热能力；支持多档位功耗模式动态调节，实测随机读/写功耗分别低至17W/22W；内置功耗检测电路，实时监测误差<3%；待机功耗<5W，比同类产品温度低3-12℃。该方案可帮助数据中心降低非IT设备能耗，实现更优PUE指标。
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iQOO Z10安兔兔跑分首曝：骁龙7s Gen3低功耗芯片 为长续航而生
今日，iQOOZ10手机的安兔兔跑分在社交平台上曝光，成绩为765324分。根据这一成绩推测，新机搭载的芯片预计为骁龙7sGen3，这一芯片采用4nm工艺，8核架构，集成Adreno810GPU，可以看做是骁龙7Gen3的低功耗版本，该芯片主要在GPU性能方面有所差异。在影像方面，iQOOZ10后置5000万像素索尼IMX882主摄，支持OIS光学防抖，配以200万像素的副摄，前置3200万像素自拍镜头，能够满足用户日常拍摄需求。
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凌华智能推出OSM-MTK510——超小尺寸高性能、超低功耗，专为长期关键任务与AI应用打造
6核强劲性能，5W超低功耗，极致耐用，10年长效支持重点摘要：·支持MediaTekGenio510，适用于高强度工作负载和低功耗场景·提供高达8GBLPDDR4内存和128GBeMMC存储，支持4K图形显示、30MPISP摄像头及丰富的I/O选项·可在-40°C至85°C环境下运行，10年生命周期，适合长期关键任务使用·符合OSMR1.1标准的Size-L模块中国上海–2025年2月18日全球边缘计算领导者凌华智能宣布推出全新OSM-MTK510模块。这是一款符合OSMR1.1标准的Size-L模块，采用662BGA封装，搭载MediaTekGenio510系列处理器。欢迎关注凌华智能官方微信公众号：凌华智能，或访问www.adlinktech.com.cn了解更多。
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慧荣SM2268XT2主控芯片高效能、低功耗的存储解决方案
慧荣科技再次展示了其在存储解决方案领域的创新实力，推出了全新的SM2268XT2主控芯片。这款芯片不仅延续了慧荣科技一贯的高效能、低功耗设计理念进一步提升了存储性能和稳定性，为用户提供了更加出色的存储体验。市场上已经有众多知名品牌如宏基、华硕、戴尔、惠普、联想、小米等采用了慧荣科技的主控产品，这充分证明了慧荣科技在存储解决方案领域的领先地位。
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AMD RX 9070 XT功耗、性能有惊喜！可媲美RTX 4080
AMD新一代最高端显卡已确认命名为RX9070XT，当然不是真正的旗舰，不可能去竞争RTX5090甚至是RTX5080。之前有曝料显示，RX9070XTTimeSpy基准跑分只稍高于RX7900GRE不如现有次旗舰RX7900XT，对比竞品大致相当于RTX4070Ti。RX9070XT应该会和未来的RTX5070差不多，不太可能追上RTX5070Ti。
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台积电首次公开2nm！性能提升15％、功耗降低35％
IEDM2024大会上，台积电首次披露了N22nm工艺的关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。台积电2nm首次引入全环绕栅极纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。按照台积电的说法，28nm工艺以来，历经六代工艺改进，单位面积的能效比已经提升了超过140倍！
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小米15搭载超窄四等边阳光屏：定制M9发光材料 高亮低功耗
小米15系列今晚正式登场，屏幕参数正式公布，新机配备了超级阳光屏”的显示屏，采用1.38mm超窄四等边设计。这款屏幕采用独家定制的M9发光材料和双微腔屏幕结构，峰值亮度可达3200nits，发光效率在同类产品中领先，并且实现了屏幕功耗下降10%。小米15搭载小米龙晶玻璃，相比小米14耐摔性能提升10倍，另支持超声波指纹，湿手秒解，夜间不刺眼。
