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IEDM2024大会上,台积电首次披露了N22nm工艺的关键技术细节和性能指标:对比3nm,晶体管密度增加15%,同等功耗下性能提升15%,同等性能下功耗降低24-35%。台积电2nm首次引入全环绕栅极纳米片晶体管,有助于调整通道宽度,平衡性能与能效。按照台积电的说法,28nm工艺以来,历经六代工艺改进,单位面积的能效比已经提升了超过140倍!
EDA电子设计自动化被称为芯片之母,是芯片设计及制造不可少的关键工具,前不久华为宣布已经攻克了14nm以上工艺的EDA工具,实现了国产化,但在这个领域,美国几家公司在全球是垄断性领先。在台积电的技术论坛会议上,美国新思科技也宣布跟台积电达成了合作,在后者的N2工艺上实现了数字及定制设计EDA流程,率先进入了2nm时代。台积电的2nm工艺要到2025年才能量产,提前准备好EDA工具有助于客户快速导入2nm芯片设计,新思与台积电的合作也是台积电每次都率先量产新工艺并获得大量客户的关键之一。