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SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:功耗降低15%

2018-11-12 14:16 · 稿源: 站长之家

站长之家(ChinaZ.com) 11月12日 消息:今天,SK Hynix(SK海力士)宣布基于1Ynm工艺的8GB(1GB)容量DDR4 DRAM芯片研发完成,芯片最高支持3200MHz频率,官方表示可以提供最佳的性能和容量密度。

相对于1Xnm工艺来说,1Ynm芯片的生产效率提高了20%,功耗降低了15%,另外还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构,使得数据传输的出错率下降。至于出货时间,官方表示将于明年一季度开始出货,将先应用与服务器和PC产品上,最后再向手机等领域推广。

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