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Intel宣布全新CPU工艺路线图:10nm改名为7、7nm改为4

2021-07-27 07:45 · 稿源:快科技

前不久Intel宣布即将举行一次重要会议,今天凌晨这个会议正式召开,介绍了Intel在芯片工艺及封装上的进展,其中一个重要内容就是全新的CPU工艺路线图,而且Intel真的改名了,10nm工艺变成了Intel 7,7nm变成了Intel 4,未来还有Intel 3、Intel 20A

Intel是坚定的摩尔定律捍卫者,尽管每代工艺的技术指标是最强的,但在进度上确实已经落后于台积电三星,现在量产了10nm工艺,台积电已经是第二代5nm工艺了,明年还有3nm工艺。

工艺命名上始终落后对手,对Intel来说宣传很不利,早前网友调侃说Intel应该把10nm改成7nm,毕竟他们的晶体管指标确实达到甚至超过了台积电7nm的水平,没想到这个调侃成真,Intel这次真的改名了,但改的方式也有点独特。

此前的10nmEnhanced SuperFin工艺改为Intel 7对,没有7nm字样,官方就叫做Intel 7,你当7nm也行,但Intel没明确说是7nm,这次就是改了,但又没改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工艺,Intel 7工艺的每瓦性能提升10-15%(注意Intel介绍性能提升的方式也变了,说的是每瓦性能),首先应用于今年底的Alder Lake,数据中心处理器Sapphire Rapids则会在明年用上Intel 7工艺。

Intel原先的7nm工艺则会改名为Intel 4,这会是Intel首个应用EUV光刻工艺的FinFET工艺,每瓦性能提升20%,2022年下半年开始生产,2023年产品出货,就是之前的7nm Meteor Lake处理器。

Intel 4工艺之后是Intel 3工艺,是最后一代FinFET工艺,每瓦性能提升18%,2023年下半年开始生产。

再往后Intel也会放弃FinFET晶体管技术,转向GAA晶体管,新工艺名为Intel 20A,会升级到两大突破性技术PowerVia、RibbonFET,前者是Intel独创的供电技术,后者是GAA晶体管的Intel技术实现,预计2024年问世。

2025年及之后的工艺还在开发中,命名为Intel 18A,会继续改进RibbonFET工艺,同时会用上ASML下一代的高NA EUV光刻机,量产时间不定。

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