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可能是为了给颠覆性的三屏折叠手机留下足够的空间,在S8/S9“傻傻分不清楚后”,Note 8/Note 9似乎也要延续这样的套路。
高通在去年发布了QC4. 0 快充技术,并且在骁龙 835 上首发,然而市场对这个技术似乎并不领情,鲜有支持QC4. 0 的手机发布,就连三星巨头也没有相关手机使用这个快充技术,现在有消息称三星下代旗舰S9 将配备QC4. 0 快充技术。
小米6支持QC4 0快充吗?为什么同为搭载骁龙835的努比亚Z17支持高通最新的QC4 0快充,而小米6却不支持呢?小米6为什么不支持QC4 0快充?这是不少米粉比较疑惑的一个问题,下面小编就来简单解答一下。
高通刚刚公布了下一代的旗舰芯片骁龙 835。据悉这款芯片将会由三星代工,基于 10nm FinFET 制程,跟现有的 14nm 骁龙 821 相比,其性能要强出 27%,同时最多能降低 40% 的功耗。除此之外,据称骁龙 835 的设计也有所改进,在总体续航力上将会有显著提高。
一直以来手机行业的高端处理器都是被高通和三星占据着,现在他们联合开发了高通骁龙系列下一代旗舰产品骁龙835处理器。根据展示会上的介绍,它是第一款利用三星10nm技术制造的手机芯片,明年上半年将会搭载到成品手机上面。
11月17日消息,高通刚刚公布了下一代骁龙处理器——骁龙835,高通骁龙835芯片将在2017年初发布,因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充电技术,基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙835处理器将取代骁龙821/820,成为高通公司顶级移动处理器。 不过目前高通并未公布骁龙835的更多信息,但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先,提升功率效率,作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。援引消息,三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯?