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在AI算力需求激增的背景下,存储芯片成为决定计算性能的关键。文章重点分析了三大易失性存储技术:SRAM凭借高速读写特性在CPU缓存中不可替代;DRAM作为数字世界的“主内存”,在容量与速度间实现平衡;HBM则通过3D堆叠架构革命性提升带宽,突破AI训练中的“内存墙”瓶颈。当前HBM需求爆发式增长,预计2025年市场规模将达340亿美元。中国企业在DRAM领域逐步突破,并开始布局HBM技术,正通过持续技术积累提升在全球半导体生态中的地位。...

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