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ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

2019-09-24 16:15 · 稿源: 站长之家用户

此次新开发的系列产品采用4引脚封装,可充分地发挥出SiCMOSFET本身的高速开关性能...特别是采用了TO-247-4L封装的SiCMOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中...此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiCMOSFET,未来也会继续

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