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中微半导体设备(上海)股份有限公司在2025年TechInsights半导体供应商评选中荣获六大奖项,包括WFE基础芯片制造商和薄膜沉积设备两项第一。这是中微公司连续多年获得国际权威认可,彰显其在半导体设备领域的技术实力和服务水平。公司开发的等离子刻蚀设备和MOCVD设备已广泛应用于国内外客户,覆盖65纳米至5纳米工艺。董事长尹志尧博士表示,未来将继续聚焦前沿技术,坚持三维发展战略,致力于成为全球领先的半导体设备企业。
2024年5月28日——近日,中微半导体设备股份有限公司推出自主研发的12英寸高深宽比金属钨沉积设备PreformaUniflex®HW以及12英寸原子层金属钨沉积设备PreformaUniflex®AW。这是继PreformaUniflex®CW之后,中微公司为各类器件芯片中超高深宽比及复杂结构金属钨填充提供的高性价比、高性能的解决方案。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户先进工艺的众多刻蚀应用,中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产,目前已在全球氮化镓基LEDMOCVD设备市场占据优势地位。
作为全球头号代工厂,台积电的新工艺正在一路狂奔,7nm EUV极紫外光刻工艺已经完成首次流片,5nm工艺也将在2019年4月开始试产。