1cnm工艺DRAM芯片

据报道，SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破，其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期，有望帮助SK海力士在消费级和数据中心市场建立技术优势，挑战三星在DRAM领域的领导地位。随着良品率的持续提升和产能的逐步扩大，1cnmDRAM芯片有望重塑存储市场格局，为AI时代的数据处理需求提供更强大的支持。...

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