HBM3内存
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12-20
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JEDEC正式发布HBM3内存标准：6.4Gb/s速率 带宽最高819GB/s
电子元件工业联合会（JEDEC）今天正式发布了 HBM3高带宽内存标准，规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性...除了6.4Gb/s 速率 @819GB/s 的带宽，它还支持16-Hi 堆栈 @64GB 容量...为了满足市面上对于这类内存可靠性、寿命的需求，HBM3引入了强大的片上 ECC 纠错功能，同时具有实时报告错误的能力...
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JEDEC正式发布HBM3内存标准：6.4Gb/s速率 819GB/s带宽 16-Hi堆栈
除了 6.4 Gb/s 速率 @ 819 GB/s 的带宽，它还支持 16-Hi 堆栈 @ 64GB 容量...● 在经过验证的 HBM2 架构的基础上进一步扩展带宽，将每个引脚的速率提升一倍（定义 6.4 GB/s），以实现 819 GB/s 的高带宽...● 支持每层 8~32 Gb 的容量密度，可轻松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）设备密度，预计初代产品将基于 16Gb 存储层......
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SK海力士展出12-Hi堆栈24GB HBM3内存 传输速率6400Mbps
上月，SK 海力士确认已开发 24GB HBM3 芯片，且每堆栈带宽高达 819 GB/s 。而在 2021 OCP 峰会期间，我们终于看到了该公司展示的 12-Hi 堆栈 @ 24GB HBM3 内存模块，传输速率为 6400 Mbps 。WCCFTech 指出，下一代 CPU / GPU 需要更快更强的内存，HBM3 或许是个不错的解决方案。负责制定 HBM3 规范的 JEDEC 组织，尚未颁布最终草案。不过从 SK 海力士分享的早期测试结果来看，其速率从 5.2 到 6.4 Gbps 不等。2021 OCP 现场展示的
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NVIDIA准备精简版GPU B200A：144GB HBM3E内存、功耗低于2000W
据集邦咨询最新报告，NVIDIA将在今年下半年供货Blackwell架构的新一代B100、B200GPU，供应CSP云客户，同时增加一款精简版的B200A，面向有边缘AI需求的OEM企业客户。临时增加B200A的主要原因是B200所用的台积电CoWoS-L封装产能持续吃紧，需要集中满足CSP客户需求，B200A则会改用相对简单和宽松的CoWoS-S封装技术。集邦咨询预计，NVIDIA高端GPU明年的出货量将增长55％。
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三星发布全新内存芯片HBM3E12H，AI性能再创新高
三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片，被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后，三星电子强调该内存芯片的未来发展前景，并计划于2024年上半年开始量产。
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NVIDIA斥巨资 向SK海力士、美光预购大量HBM3E内存
韩国ChosunBiz近日报道，NVIDIA已经向SK海力士、镁光，交付了700亿至1万亿韩元的预付款，业内预计了这笔款项在10.8亿美元到15.4亿美元之间。虽然没有说明具体用途，但业界普遍认为，NVIDIA是为了确保2024年HBM供应稳定，避免新一代AI、HPCGPU因为发布后库存不足掉链子。毕竟在NVIDIA在AI、HPC领域遥遥领先，这也是为什么需要大量HBM内存，来确保H200GPU、以及GH200超级芯片的产品供应。
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第五代HBM3e内存来了！三大存储巨头集体向英伟达供货：2024年第一季度完成验证
据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，英伟达也规划加入更多的HBM供应商。三星的HBM3预期于今年12月在NVIDIA完成验证。在HBM4中，将首次看到最底层的Logicdie将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。
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三星电子确认第五代 HBM3E 产品命名为「Shinebolt」：为下一代 AI GPU 铺平道路
HBM3e在行业中的意义是巨大的，因为它将为下一代AIGPU铺平道路这对于实现高计算性能至关重要。据BusinessKorea报道，三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为「Shinebolt」。我们将进一步扩大生产以为客户提供定制HBM。
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英伟达 Blackwell B100 GPU 或将采用 SK 海力士 HBM3e DRAM：因人工智能需求快速增长提前到 2024 年第二季度推出
由于人工智能需求的大幅增加，英伟达计划将其下一代BlackwellB100GPU的发布日期从2024年第四季度提前到2024年第二季度。该公司预计将使用SK海力士的HBM3eDRAM来驱动其最新的芯片。这表明英伟达正在加快其AIGPU的步伐，希望在未来几年继续保持领先地位。
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24GB HBM3E内存明年初交付：NVIDIA疯狂堆料282GB！
将在明年初大批量出货交付HBM3E高带宽内存，首要客户就是NVIDIA。NVIDIAA100/H100计算卡热卖，对于HBM的需求也空前高涨，动辄单卡几十GB，最近宣布的GraceHopper超级芯片，双路系统就需要282GBHBM3E。美光还将在明年初出货32GBDDR5颗粒，可以轻松做成单条桌面32GB、服务器128GB，甚至能达成单条1TB。
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英伟达为 GH200 超级芯片带来 HBM3e 解决生成式人工智能瓶颈
不到一年时间，生成式人工智能已经成为企业计算的主导影响力，因此处理器创新也需要快速推进。英伟达在宣布其新的GH200超级芯片不到三个月后，已经对GH200进行了「提升」。新版本与5月份在Computex上发布的NVIDIAMGX服务器规范完全兼容，这意味着制造商可以轻松地将其添加到许多不同的服务器版本中。
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TrendForce：新型 AI 加速芯片助力 HBM3 和 HBM3e 主导 2024 年市场
2023年HBM市场的主导产品是HBM2e，该产品由英伟达A100/A800、AMDMI200以及大多数云服务提供商的自主开发的加速器芯片所采用。随着对AI加速器芯片需求的不断发展，制造商计划在2024年推出新的HBM3e产品，预计HBM3和HBM3e将成为明年市场的主流。
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三星电子将为英伟达最新的人工智能芯片 H100 提供 HBM3 和封装服务
据韩国经济日报消息，存储芯片制造商三星电子将为英伟达公司提供高性能半导体和封装服务，有望在其它大型科技公司中赢得订单。根据周二首尔的行业消息，三星和英伟达正在对 HBM3 芯片进行技术验证和封装服务。一旦完成工作，预计三星将负责封装 H100，英伟达最新的人工智能 GPU，同时为处理器供应 HBM3 芯片。
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SK海力士宣布向英伟达提供业内首批HBM3 DRAM
SK 海力士刚刚宣布，其已开始量产业内性能领先的 HBM3 DRAM 存储器...以英伟达为例，这家 GPU 巨头于近期完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估，预计相关产品可于今年 3 季度开始出货...为满足客户需求，SK 海力士将遵循英伟达的新品发布时间表...规格方面，SK 海力士的 HBM3 有望大幅提升加速计算应用的性能表现 —— 可提供高达 819 GB/s 的缓存带宽，相当于每秒传输 163 部 @ 5GB 的全高清（FHD）电影......
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SK海力士在GTC 2022大会上介绍HBM3动态随机存储器
TechPowerUp 报道称：在 3 月 21 - 24 日举办的英伟达 GPU 技术大会上，SK 海力士介绍了该公司最新研发的 HBM3 高带宽显存...在“完全堆叠”状态下，HBM3 高带宽显存可轻松达成 24GB 的容量，辅以较 HBM2E 翻倍的 16 通道架构 @ 6.4 Gbps 频率...预计到 2025 年，还可进一步上升至 35%...作为该公司的最新举措之一，其展示了 SK 海力士致力于保护环境、创建可持续和创新的内存生态系统的承诺的决心......
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三星分享下一代DDR6-12800、GDDR7与HBM3存储产品规划
在 2021 年度技术日活动期间，三星电子透露了有关下一代硬件开发的诸多规划。首先从遵循 JEDEC 规范的 DDR5 标准内存模组开始，该公司计划后续推出更高规格的 SKU 。虽然仍处于开发阶段，许多细节还有待进一步证实，但我们大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之类的高频模组将会到来。其次是下一代 DDR6 内存标准，据说其速率是 DDR5 的两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段，但据 TechPowerUp 所述，每条内存模组的通道数量从
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SK海力士宣布开发HBM3存储器：12-Hi堆栈24GB容量 带宽819GB/s
SK 海力士刚刚宣布了 HBM3 DRAM 存储器的最新开发进展，可知新一代内存标准不仅带来了更高的带宽，还可通过垂直堆叠来增加容量。从去年 7 月量产 HBM2E 内存开始，该公司就已经在着手 HBM3 新品的研发。随着今日的公告，我们得知 SK 海力士将带来两款衍生型号。除了基于 8-Hi 堆栈的 16GB SKU，SK 海力士还计划推出由 2GB DRAM 组成 12-Hi 堆栈的 24GB SKU，此外该公司提到其已将 DRAM 芯片的层高缩减至 30 μm 。负责 DRAM 开发的
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台积电公布先进CoWoS封装技术路线图 2023年结合小芯片与HBM3
在 HotChips33 年度会议期间，台积电介绍了该公司最先进的封装技术路线图，并且展示了为下一代小芯片架构和内存设计做好准备的最新一代 CoWoS 解决方案。WCCFTech 指出，这家业内领先的半导体巨头在先进芯片封装技术方面取得了快速进展。过去十年，该公司已经推出五代不同的基板上芯片封装工艺，且涵盖了消费级与服务器芯片领域。预计 TSMC 将于今年晚些时候宣布第 5 代 CoWoS 封装技术，其有望将晶体管数量翻至第 3 代封装解决方?
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SK海力士预告HBM3：带宽飙升达665GB/s
JEDEC标准组织还没有公布下一代HBM3高带宽内存/显存的具体规范，SK海力士已经坐不住了，预告了自己的规划。SK海力士称，他们的HBM3可以做到I/O输入输出速度不低于5.2Gbps，带宽则不低于665GB/s，相比于HBM2E 3.6Gbps、460GB/s的规格都猛增了多达45％。如果使用四颗，带宽就可以做到恐怖的2.6TB/s，GDDR6X什么的都弱爆了。SK海力士2019年8月第一个提出了HBM2E，2020年7月投入量产，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)，单颗容?
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SK海力士公布HBM3技术规格：带宽665Gbps 容量翻倍 改进散热
SK 海力士刚刚公布了下一代高带宽内存（HBM3）的技术规格，可知其在提升传输速率和增大容量的同时，还引入了散热方面的最新改进。具体说来是，该公司的 HBM3 产品将提供高达 665 Gbps 的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在官方产品页上，SK 海力士还分享了一张对比图表，以直观地展示从 HBM2E 到 HBM3 的变化。这家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望实现 5.2 Gbps 的 I/O 速率，较现有的 HBM2E 提升 44%，从而大幅提升整体的
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性能暴增30倍！SK海力士正开发HBM内存新标准
在SKIcheonForum2024论坛上，SK海力士副总裁RyuSeong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比目前HBM产品快20-30倍。RyuSeong-su表示，公司的目标是推出性能大幅提升的差异化产品，以期在HBM市场中取得领先地位。SK海力士还表达了创建其存储半导体的意向，根据计划，SK海力士和三星都计划在2025年中或年底之前发布各自的HBM4产品，以便及时集成到下一代产品中，如英伟达Robin等架构。
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温度直降100多度 HBM内存也要用上低温焊了：产能大增
随着AI市场的爆发，不仅CPU、GPU算力被带动了，HBM内存也成为香饽饽有2.5D、3D封装技术，但是它们的产能之前很受限制，除了成本高，焊接工艺复杂也是问题。芯片焊接目前主要采用高温焊，焊料主要是SAC锡、银、铜材质，熔点超过250℃，这个温度的焊接技术对大部分芯片来说没问题，但HBM内存使用了TSV硅通孔技术，这样的高温焊接就有可能导致变形。三星、SK海力士等公司正在扩大HBM内存的生产，这种低温焊技术很快也会得到大面积使用。
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ChatGPT火爆 韩国厂商天降喜事：HBM内存价格涨了5倍
作为当前最火的AI应用，ChatGPT已经成为各大科技巨头必争之地，陆续都会推出类似的产品这也带火了硬件行业，受益最大的是GPU显卡，但HBM内存吃到了流量，正在发愁内存跌价的韩国厂商天降惊喜，找到赚钱的地方了。在AI算力中，除了GPU性能，内存也非常重要，NVIDIA的高端加速卡也上了HBM2/2e之类的内存，其带宽及延迟性能远高于GDDR内存，A100加速显卡上最高配备了80GBHBM2内存。三星近年来也加大了HBM内存的投入跟AMD合作首发了HBM-PIM技术，将HBM内存与AI处理器集成在一起，大幅提高性能。
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AMD发布6nm MI210计算卡：64GB HBM2e显存、300W功耗
MI200回归单芯封装，规格、性能几乎完全就是MI250砍去一半：291亿个晶体管，104组计算单元，6656个流处理器核心，416个矩阵核心，4096-bit 64GB HBM2e显存，三条Infinity Link互连总线......
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AMD专业挖矿卡曝光：豪华HBM2显存、算力超RTX 3070
前不久刚刚表态对挖矿业务没有什么兴趣的AMD，私底下已经在暗度陈仓”了？爆料好手贴出的图片显示，基于7nm Navi 12核心打造的AMD BC-160矿卡现身，讯景设计，外形比较简约素雅。此前Navi 12核心被用于笔记本平台的Radeon Pro 5600M显卡，其集成2560颗流处理器。而BC-160则配备2304个流处理器，辅以8GB HBM2显存，走PCIe 4.0 x16插槽。算力方面，150瓦功耗下以太坊算力69.5MH/s，直接把RX 6900 XT也超了，主流显卡中仅次于RTX 3080
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英伟达升级Ampere A100加速器 配备80GB HBM2e内存
英伟达可能正在升级Ampere A100 GPU。现有的NVIDIA A100 HPC加速器是在去年6月推出的，看起来英伟达正计划给它进行重大规格升级。该芯片基于英伟达最大的安培GPU - A100，其尺寸为826平方毫米，容纳了540亿个晶体管，令人难以置信。在规格方面，A100 PCIe GPU加速器在核心配置方面没有什么变化。GA100 GPU保留了我们在250W版本上看到的规格，有6912个CUDA核心，排列在108个SM单元中，432个张量核心，但是内存升级到80GB HBM2e内存?
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Intel Xe HP顶级加速卡首次曝光：7680核心、32GB HBM2E显存
我们知道，Intel重返独立显卡市场的Xe GPU架构分为四种不同级别，从低到高分别是Xe LP、Xe HPG、Xe HP、Xe HPC，覆盖从轻薄本到高性能计算等各种领域。如果说相当于核显级别的Xe LP只是牛刀小试，Xe HPG就是游戏玩家的期待，Xe HP、Xe HPC则是高端计算的利器。现在，我们第一次看到了Xe HP架构的加速卡，规格很残暴，而且还有更残暴的。Xe HP加速卡代号Arctic Sound，采用一种名为Tile”的模块化堆积设计方式(类似chiplets小芯片)?
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台积电宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封装12颗HBM
除了5nm、4nm、3nm、2nm工艺进展和规划，台积电近日还公布了不少新的芯片封装技术，毕竟随着高性能计算需求的与日俱增、半导体工艺的日益复杂，单靠升级制程工艺已经不能解决所有问题。台积电
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HBM显存标准升级：一块显卡可配96GB 带宽1.23TB/s
目前在显存行业有两个方向，一是传统的GDDR继续演化，NVIDIA RTX 20系列已经用上最新的GDDR6，二就是高带宽的HBM，已经进化到第二代，NVIDIA、AMD的专业计算卡以及AMD的部分高端显卡都配备了它。
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最薄苹果手机！iPhone 17 Slim前瞻：搭载3nm A19芯片 8GB内存
近日，iPhone17Slim的详细配置曝光，新机将采用A19芯片，标配8GB内存，是苹果有史以来最薄的手机产品。iPhone17Slim预计搭载3nm制程工艺的苹果A19芯片，并配备8GB内存，介于标准版和Pro型号之间。随着发布日期的临近，消费者对这款新机的期待也在不断升温。
