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三星规划在2025年开始量产基于GAA的2纳米制程产品

2022-06-20 14:49 · 稿源:站长之家

站长之家(ChinaZ.com) 6月20日消息:据BusinessKorea报道,三星电子已规划好未来三年的3nm米环绕闸极(GAA)制程技术,并且寻求在2025年让2纳米GAA制程量产。

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据了解,GAA 是一种下一代工艺技术,它改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面,而不是当前 FinFET 工艺中的三个侧面。 GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。

三星电子押注将 GAA 技术应用到3纳米制程以赶上台积电。据报道,三星㫣了6月初将晶圆置于3纳米 GAA 工艺中进行试量产,成为世界上第一家使用 GAA 技术的公司。它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。与5纳米工艺相比,3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15% 和30%,同时芯片面积减少了35%。

另外,此前台积电宣布3nm(N3)工艺将于2022年内量产,而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺,将于2025年量产。

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