碳化硅晶圆
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12-20
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一手好牌打的稀烂！碳化硅晶圆巨头Wolfspeed濒临破产
据最新财报显示，碳化硅晶圆制造巨头Wolfspeed2024年第四季度营收约2.007亿美元，未达分析师预期的2.013亿美元。亏损额更是高达1.749亿美元，每股亏损1.39美元，远超预估的85美分，整个财年，Wolfspeed合并营收虽有增长，但毛利率大幅下降，全年亏损高达8.642亿美元。Wolfspeed的库存问题同样令人担忧，高达6.7个月的库存量可能隐藏着市价以上的成品成本，预示着未来可能的跌价损失。
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英飞凌与小米汽车达成协议：供应SU7碳化硅功率模块及芯片至2027年
英飞凌科技股份公司今日宣布，将为小米SU7供应碳化硅HybridPACKDriveG2CoolSiC功率模块及芯片产品至2027年。英飞凌方面称，为小米SU7Max版供应两颗1200VHybridPACKDriveG2CoolSiC模块，此外为小米汽车供应满足不同需求的其它广泛产品，例如不同应用中的EiceDRIVER栅极驱动器和10款以上的微控制器。小米汽车副总裁、供应链部总经理黄振宇对此表示，两家公司的合作不仅有助于确保小米汽车碳化硅器件的供货稳定能帮助公司打造安全可靠、性能出色和功能强大的豪华科技汽车。
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小米汽车SU7：全系都是全域碳化硅，布局小米超级充电站
今日晚上7点，小米SU7上市发布会正式举行。小米SU7全系都是「全域碳化硅」，全系不挑桩。小米超级充电站600kW液冷超充方案，首批规划城市北京、上海、杭州将逐步建设。
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小米自研800V高压碳化硅平台 雷军：实际已达900V
在正在举行的小米汽车技术发布会上，雷军称小米自研了800V高压碳化硅平台。同时其还表示，目前市面上的800V很多都不是800V，只有700多，甚至个别还有500多，虽然在业界都可以统称800V，但小米并不准备这样做。雷军称小米的电池还具有更多高端科技，包括电芯倒置技术，确保安全将挑战冬季电车续航之王。
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小米汽车技术发布会直播！小米自研800V高压碳化硅平台发布
在小米汽车技术发布会上，雷军宣布小米成功自研了800V高压碳化硅平台。市面上很多标称为800V的产品实际上只达到了700多V，个别甚至只有500多V。雷军的公开透露更是让用户对小米电动汽车的未来表现充满期待。
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小米汽车电池将采用 800V 碳化硅高压平台 续航超1000km
在今日下午的技术发布会上，小米的自研800V碳化硅高压平台正式登场。小米的800V碳化硅高压平台拥有真正的高压，其最高电压达到871V。在更为实际的应用场景中，使用132kWh的电量，CLTC工况续航也能超过1000km。
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成都汇阳投资关于从智界 S7 看碳化硅产业趋势！
鸿蒙智行阵营首款碳化硅车型发布，SiC上车渗透可期11月28日，华为智界S7正式发布，搭载全新一代华为DriveONE800V碳化硅高压动力平台，对比硅基IGBT，总成效率提升4.4%，MCU功率密度提升25%。华为智界S7作为华为鸿蒙智行阵营首款搭载碳化硅的车型，或起到一定的宣示效应，加速SiC的上车渗透，SiC也成为未来“华为智能车”主线的重要一环。公司主要提供4-6英寸SiC产品。
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华为新一代碳化硅电机发布：22000转/分、零百加速3.3秒！
技术密集型的华为又带来了全新的震撼新品，全新一代DriveONE800V高压碳化硅黄金动力平台。其首发了行业内量产最高转速的电机，每分转速可达22000转，最高效率达到了98%。余承东表示，经过多次测算，四个版本全部亏损在卖，希望后面通过扩大销量来扭亏为盈。
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曝特斯拉新车型使用碳化硅 未来两年产能明显短缺
随着主流车企在接下来的两年内纷纷推出使用碳化硅的新车型，相关上市企业的高层近日预测，碳化硅产能届时将出现明显短缺。预计今年下半年，IGBT短缺程度将大幅提高，而到2024年和2025年，碳化硅短缺状况将会达到顶峰。这一趋势让人对汽车行业未来的市场前景表示担忧。
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从此再无续航焦虑！智己发布全域800伏双碳化硅平台 5分钟可充200公里
日前，智己汽车全域800伏SiC双碳化硅平台正式发布。该平台将在智己LS6上正式使用。新车上市后，其充电速度能否够达到宣传的标准，让我们拭目以待吧！
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Soitec 宣布与 KLA 公司拓展合作，提升碳化硅生产良率
北京，2022 年 7 月 22 日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国 Soitec 半导体公司正式宣布选用 KLA 公司（纳斯达克股票代码：KLAC）的检测技术，实现碳化硅 （SiC） 器件的高良率...这种合作伙伴关系将使 SiC 衬底生产达到新的甚至更高的水平，助推行业发展，加速高质量碳化硅在汽车市场的应用...2022 年 3 月，Soitec 宣布在法国贝宁总部建设新的贝宁 4 号晶圆厂，主要用于生产 150mm 和 200mm 的 SmartSiC™ 晶圆......
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长沙“芯”再添新成员 钛芯电子全国首发碳化硅功率芯片全应用链
得芯片者驰天下，造应用者掌全局。2021年9月10日，湖南钛芯电子科技有限公司于长沙举办以第三代化合物半导体碳化硅 （SiC） 为基础材料作为功率器件芯片(MOSFET)设计核心，推出全新功率器件品牌“钛芯特能”SiCtron? 全应用链全国产品首发仪式圆满举行。中共湖南省台湾工作办公室副主任郭俊彦，湖南省科技厅党组成员、副厅长鲁先华，湖南省工业和信息化厅党组成员、副厅长彭涛，湖南省人民政府驻深圳办事处一级巡视员于云彩，长沙?
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华为投资天域半导体，后者经营范围含碳化硅外延晶片等
7月1日，东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更，新增股东华为关联公司深圳哈勃科技投资合伙企业(有限合伙)，同时公司注册资本由约9027万元人民币增至约9770万元人民币，增幅超8%。
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露笑半导体研发的碳化硅衬底片已送样检测通过
6月27日消息，露笑科技股份有限公司近日发布公告称，露笑半导体研发的碳化硅衬底片已送样检测通过，目前正在积极向下游客户进行送样；合肥露笑半导体一期生产用设备的安装调试工作已经完成，并准备近期投产。
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外媒：2025年电动汽车所需碳化硅功率半导体将占到全行业近4成
9月7日消息，据国外媒体报道，随着技术的成熟和充电设施的完善，电动汽车近几年开始大量普及，在未来几年将快速增长。电动汽车市场的快速增长，也拉动了对相关零部件的需求，碳化硅功率半导体就是其中之一。外媒在报道中预计，随着电动汽车市场的快速发展，电动汽车所需的碳化硅功率半导体，在2025年将占到碳化硅功率半导体市场的37%，较2021年将提升25%。在电动汽车中，碳化硅功率半导体用在多个零部件中，并且发挥着
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臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室
中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)与全球知名半导体厂商ROHM Co.， Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布在中国(上海)自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于 2020 年 6 月 9 日举行了揭牌仪式。与IGBT* 1 等硅(Si)功率元器件相比，碳化硅(SiC)功率元器件具有传导损耗、开关损耗* 2 小、耐温度变化等优势，作为能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车车载充电器以及DC
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罗姆集团与意法半导体就碳化硅晶圆长期供货达成协议
全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体(以下简称“ST”)宣布，双方就碳化硅(以下简称“SiC”)晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH (以下简称“SiCrystal”)供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1. 2 亿美元的协议，由SiCrystal(SiC晶圆生产量欧洲第一)向ST(面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商)供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官(CEO) Jean-Marc
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基本半导体推出高性能3D SiC系列碳化硅肖特基二极管
碳化硅（SiC）功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,对电力电子行业的发展具有重要意义。作为较早实现产业化的 SiC 器件,碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）能提供近乎理想的动态性能。近日，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC?系列 SiC JBS已火热上市,凭借其优越性能广受市场追捧。SiC JBS产品优势 作为单极型器件,SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存,其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容,反向恢复电荷以及反向恢复损
