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12-20
SK海力士新研发出的238层512GbTLC4DNAND闪存,是他们在2020年12月份研发出176层的NAND闪存之后,时隔19个月再次取得突破...从SK海力士方面公布的消息来看,虽然他们的238层NAND闪存计划在明年上半年才会量产,但他们已在为商用做准备,他们已经向客户提供了样品...而在研发出238层512GbTLC4DNAND闪存后,SK海力士还计划研发密度更大的238层NAND闪存,他们在官网上就表示,计划在明年推出1Tb密度的全新238层NAND闪存产品......
SK海力士将把目前最高的238层NAND(V8)应用于新一代内置闪存UFS(通用闪存)的最新规格产品,预计最早明年上半年可以量产...三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND(V7),连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s...V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND,与前几代176层相比,传输速度更加出色...SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品,计划明年上半年进行量产...
新闪存走的还是TLC,首次引入6个平面,存储密度创新高14.6Gb/mm2,2.4GB/sIO速度提升50%,读取带宽提升785%,写入带宽提升10%,封装面积减小28%,还首发支持NVLPDDR4内存...