站长之家(ChinaZ.com) 7月13日消息:三星电子和 SK 海力士等内存制造商正在研究降低内存功耗的技术，随着 HBM 和 DDR5 等内存在高性能计算中的重要性日益增加，内存的功耗问题变得越来越突出。
据 Chosun Biz 报道，构建人工智能模型时，数据中心中的内存功耗问题变得越来越明显。例如，DRAM 占据基于英伟达 A100 的数据中心平台总功耗的 40%。因此，内存供应商与学术界展开合作，投资于下一代技术以降低功耗。值得注意的是，随着层数的增加，HBM 的功耗也会增加。
基于 Compute Express Link 技术，三星开发了采用 12 纳米工艺的 16GB DDR5 DRAM，与上一代产品相比，功耗降低了 23%。三星正在与首尔国立大学合作进一步降低内存功耗。
SK 海力士推出了 LPDDR5X，将 High-K 金属栅（HKMG）工艺应用于移动 DRAM。高 k 材料的介电常数比传统 SiON 绝缘膜高约五倍，可以在相同面积和厚度下存储五倍的电荷，并帮助减少电流泄漏。通过控制泄漏电流，SK 海力士的 LPDDR5X 速度提高了 33%，功耗比上一代产品降低了 20% 以上。
此外，韩国的研究机构正在积极研究相较于性能改善功耗密度的新技术。首尔国立大学推出了 DRAM Translation Layer 技术，预计可以将 DRAM 的功耗降低 31.6%。
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