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台积电3nm制程工艺有望本月量产 明年产能将平稳提升

2022-07-24 19:45 · 稿源: TechWeb.com.cn

7月24日消息,据国外媒体报道,三星电子6月30日就已在官网宣布,他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺,已在当日开始初步生产芯片,上周也有外媒报道称,三星电子采用3nm工艺代工的首批芯片,已定于7月25日出货。

在三星电子的3nm工艺量产、即将出货的情况下,台积电的这一制程工艺在何时量产,也就备受关注。 而外媒在报道中表示,台积电采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构的3nm制程工艺,将在本月或之后量产,采用全环绕栅极晶体管架构的制程工艺,将在2025年量产。

如果台积电的3nm制程工艺,真如外媒报道的那样在本月开始量产,他们在这一工艺的量产时间方面,就只会略晚于三星,他们重要客户即将推出的硬件产品,也就有望搭载3nm制程工艺代工的芯片。 对于3nm制程工艺的量产事宜,台积电CEO魏哲家在本月14日的二季度财报分析师电话会议上,也曾提及。魏哲家当时在会上表示,他们在按计划推进3nm制程工艺,以可观的良品率在下半年量产。 在此前的财报分析师电话会议上,魏哲家曾多次谈到,同5nm工艺相比,3nm工艺能使晶体管的逻辑密度提升70%,芯片的新能提升15%,能耗降低30%。 在本月14日的财报分析师电话会议上,魏哲家还透露,他们预计3nm工艺在明年上半年开始带来营收,在高性能计算产品和智能手机应用产品的推动下,产能在2023年也将平稳提升。

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