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三星成功流片3nm GAA芯片:性能优于台积电

2021-06-30 09:57 · 稿源:站长之家

站长之家(ChinaZ.com) 6月30日消息:日前三星宣布,与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经正式流片。

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据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,采用GAA结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:「三星代工是推动下一阶段行业创新的核心,我们不断进行基于工艺技术的发展,以满足专业和广泛市场应用不断增长的需求。我们最新的、先进的3nm GAA工艺受益于我们与Synopsys的广泛合作,Fusion Design Platform加速准备以有效实现3nm工艺的承诺,证明了这些关键联盟的重要性和好处。」

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