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台积电首次披露2nm关键指标:纳米片带来史上最大飞跃

2021-06-02 14:48 · 稿源:快科技

台积电今天线上举办2021年度技术研讨会,公布了未来新工艺进展,6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息传来。

2nm目前是各大半导体巨头角逐的制高点,IBM甚至已经在实验室内搞定,率先公布了2nm芯片,而除了台积电、三星两大代工巨头,欧洲、日本也在野心勃勃地规划。

不同于之前世代在相同的基础架构上不断演进,台积电的2nm工艺将是真正全新设计的,号称史上最大的飞跃,最大特点就是会首次引入纳米片(nanosheet)晶体管,取代现在的FinFET结构。

台积电首次披露2nm关键指标:纳米片带来史上最大飞跃

台积电表示,纳米片晶体管可以更好地控制阈值电压(Vt)在半导体领域,Vt是电路运行所需的最低电压,它的任何轻微波动,都会显著影响芯片的设计、性能,自然是越小越好。

台积电宣称,根据试验,纳米片晶体管可将Vt波动降低至少15%。

目前,台积电的2nm工艺刚刚进入正式研发阶段,此前消息是2023年试产、2024年量产。

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