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投资180亿美元 三星有意在美国建5nm EUV芯片厂:2024量产

2021-05-18 13:17 · 稿源:快科技

在新一代半导体工艺中,美国本土的厂商已经落后于三星台积电,Intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。

据韩媒援引业内人士消息,三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂,以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。

该工厂将采用5nm制程,计划于今年Q3开工,2024年投产,预计耗资180亿美元。

这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。

业内估计三星将在5月21日左右就此发布正式公告。

在此之前,台积电去年宣布,将在美国亚利桑那州建设一座芯片工厂,建成之后将采用5nm工艺为相关的客户代工芯片,计划月产能20000片晶圆,这一工厂计划2021年开始建设,目标是2024年投产,台积电计划2021年到2029年在这一工厂投资120亿美元。

最新消息称,台积电管理层目前正在讨论,他们在美国的下一座芯片工厂,是否采用更先进的3nm制程工艺,为相关的客户代工芯片。

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